IXTH6N150

IXYS
747-IXTH6N150
IXTH6N150

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/52.24 S/52.24
S/31.72 S/317.20
S/27.17 S/3,260.40

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
500 V
6 A
3.5 Ohms
- 20 V, 20 V
5 V
67 nC
- 55 C
+ 150 C
540 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 38 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 6.5 mS
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 20 ns
Serie: IXTH6N150
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99