IXTH4N150

IXYS
747-IXTH4N150
IXTH4N150

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 240

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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/40.83 S/40.83
S/29.39 S/293.90
S/21.14 S/2,536.80
S/19.35 S/9,868.50

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
4 A
6 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
44.5 nC
- 55 C
+ 150 C
280 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: IXTH4N150
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8542900006
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors