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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL

NVMFS5C645NWFT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C410NWFAFT1G-TK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C426NWFAFT1G-TK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

NVMFS4C303NWFET1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO

NVMFS4C305NET1G-YE
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NWFHT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C442NWFHT1G
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S/2.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C450NWFHT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C426NWFHT1G
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NVMFS5C426NWFHT1G

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S/6.03

S/4.09

S/3.29

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S/2.83

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP

NTMFD001N03P9
onsemi
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NTMFD001N03P9

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863-NTMFD001N03P9

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP

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S/10.94

S/7.08

S/4.90

S/4.01

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S/3.26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V LFPAK 5X7

NTMJST2D6N08HTXG
onsemi
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2,920En existencias
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NTMJST2D6N08HTXG

N.º de artículo de Mouser
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S/14.01

S/9.19

S/6.42

S/5.61

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S/4.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7

NTMJST1D4N06CLTXG
onsemi
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2,820En existencias
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NTMJST1D4N06CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJSTD4N06CLTXG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7

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S/11.37

S/7.36

S/5.10

S/4.20

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S/3.43

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 200A

NTMFS5C430NLT1G
onsemi
1: S/6.07
43,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C430NLT1G

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863-NTMFS5C430NLT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 200A

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S/6.07

S/3.81

S/2.53

S/2.00

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S/1.65

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL

NTTFS5C673NLTAG
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1: S/2.61
90,534En existencias
76,500Se espera el 10/03/2026

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NTTFS5C673NLTAG

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76,500Se espera el 10/03/2026

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S/1.62

S/1.17

S/0.993

S/0.775

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S/0.775

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLT1G
onsemi
1: S/11.60
8,807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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S/11.60

S/9.69

S/7.63

S/7.01

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S/5.92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLAFT1G
onsemi
1: S/25.07
5,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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S/25.07

S/17.79

S/12.85

S/12.53

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S/10.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

NVMTS001N06CLTXG
onsemi
1: S/33.86
4,239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS001N06CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS001N06CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

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Cinta cortada

S/33.86

S/24.76

S/24.72

S/19.89

Ver

Envase tipo carrete

S/16.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION

NVMTS0D6N04CLTXG
onsemi
1: S/35.11
4,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D6N04CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D6N04CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION

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Cinta cortada

S/35.11

S/24.44

S/19.89

S/19.54

Envase tipo carrete

S/17.71

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH

NVMTS0D7N06CTXG
onsemi
1: S/43.71
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS0D7N06CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS0D7N06CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/43.71

S/30.28

S/25.53

S/23.39

Envase tipo carrete

S/20.82

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

NVTFS5C658NLTAG
onsemi
1: S/6.85
25,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C658NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C658NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL

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Hoja de datos

25,263En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.79

S/3.73

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NET1G
onsemi
1: S/15.10
1,350En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NET1G

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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1,350En existencias

Cinta cortada

S/15.10

S/9.89

S/6.89

S/5.64

Envase tipo carrete

S/5.22

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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