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NVMFS5C450NWFHT1G

Name: onsemi NVMFS5C450NWFHT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFS5C450NWFHT1G
Price: 5.84 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-VMFS5C450NWFHT1G

Fabricante N.º:

NVMFS5C450NWFHT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/5.84	S/5.84
	S/3.68	S/36.80
	S/2.45	S/245.00
	S/1.92	S/960.00
	S/1.66	S/1,660.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/1.56	S/2,340.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	102 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	23 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	68 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	US
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	47 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns

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NVMFS5C450NWFHT1G Hoja de datos

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.