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NVMFS5C404NET1G

Name: onsemi NVMFS5C404NET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C404NET1G
Price: 15.1 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMFS5C404NET1G

Fabricante N.º:

NVMFS5C404NET1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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	S/15.10	S/15.10
	S/9.89	S/98.90
	S/6.89	S/689.00
	S/5.64	S/2,820.00
	S/5.25	S/5,250.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/5.22	S/7,830.00
	S/5.02	S/22,590.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	378 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	700 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	128 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	200 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	109 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	113 ns
Serie:	NVMFS5C404N
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	77 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.