Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

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Resultados: 451

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1: S/10.08
1,188En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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Hoja de datos

1,188En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.46

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

107 A

3.1 mOhms

20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

NVMFS5C456NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/7.01
1,275En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C456NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

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Hoja de datos

1,275En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.32

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.7 mOhms

20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM

NTMFS4C06NT1G
onsemi
1: S/2.92
67,590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C06NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4C06NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM

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Hoja de datos

67,590En existencias

Cinta cortada

S/2.92

S/1.81

S/1.33

Envase tipo carrete

S/1.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

69 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

30.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLT1G
onsemi
1: S/17.36
8,802En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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Hoja de datos

8,802En existencias

Cinta cortada

S/17.36

S/11.05

S/8.56

S/7.36

S/6.93

Envase tipo carrete

S/6.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFD024N06CT1G
onsemi
1: S/12.81
25,404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

25,404En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/8.33

S/5.76

S/4.67

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

24 A

22.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO

NVBLS001N06C
onsemi
1: S/46.79
4,440En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS001N06C

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS001N06C

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO

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Hoja de datos

4,440En existencias

Cinta cortada

S/46.79

S/32.58

S/24.56

S/23.74

Envase tipo carrete

S/23.71

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

422 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

143 nC

- 55 C

+ 175 C

284 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C450NAFT1G
onsemi
1: S/8.60
13,430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C450NAFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Hoja de datos

13,430En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.41

S/3.54

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

102 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C688NLT4G
onsemi
1: S/10.04
9,977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C688NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C688NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

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Hoja de datos

9,977En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.42

S/4.40

S/3.73

S/3.30

Envase tipo carrete

S/3.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

17 A

22.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

NVMFD5C668NLT1G
onsemi
1: S/18.22
1,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C668NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C668NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

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Hoja de datos

1,870En existencias

Cinta cortada

S/18.22

S/11.21

S/8.52

S/7.32

Envase tipo carrete

S/6.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

68 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21.3 nC

- 55 C

+ 175 C

57.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/16.58
6,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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Hoja de datos

6,822En existencias

Cinta cortada

S/16.58

S/10.16

S/7.71

S/6.46

Envase tipo carrete

S/5.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFS016N06CTAG
onsemi
1: S/7.82
5,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS016N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS016N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

5,560En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/4.98

S/3.35

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C454NLWFTAG
onsemi
1: S/9.77
3,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C454NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C454NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

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Hoja de datos

3,163En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/5.68

S/4.09

S/3.43

Envase tipo carrete

S/2.87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFWS015N04CTAG
onsemi
1: S/7.59
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS015N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS015N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.25

S/2.57

S/2.09

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

27 A

17.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.3 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi
1: S/18.80
10,243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C420NLWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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Hoja de datos

10,243En existencias

Cinta cortada

S/18.80

S/11.76

S/9.07

S/7.90

S/7.43

Envase tipo carrete

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET

NTMFS5C426NT1G
onsemi
1: S/8.41
2,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C426NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C426NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET

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Hoja de datos

2,783En existencias

Cinta cortada

S/8.41

S/4.98

S/3.50

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

235 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

NTMYS014N06CLTWG
onsemi
1: S/8.95
2,840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

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Hoja de datos

2,840En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.61

S/3.69

S/2.93

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NTTFS5C460NLTAG
onsemi
1: S/4.05
8,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C460NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5C460NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

8,163En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.53

S/1.65

S/1.29

S/0.985

Envase tipo carrete

S/0.837

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

74 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C470NT1G
onsemi
1: S/11.68
2,864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C470NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C470NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

2,864En existencias

Cinta cortada

S/11.68

S/7.55

S/5.22

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLWFT1G
onsemi
1: S/12.81
4,194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C672NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C672NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Hoja de datos

4,194En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/7.82

S/5.76

S/4.67

Envase tipo carrete

S/3.85

S/3.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

49 A

9.8 mOhms, 9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NT1G
onsemi
1: S/17.59
1,447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

Obtenga más información

Hoja de datos

1,447En existencias

Cinta cortada

S/17.59

S/9.89

S/8.06

S/7.24

Envase tipo carrete

S/5.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

NVMFS5C468NWFT1G
onsemi
1: S/8.72
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/5.57

S/3.77

S/3.00

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
1: S/28.10
2,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04C

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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Cinta cortada

S/28.10

S/17.24

S/13.74

S/13.23

S/12.81

Envase tipo carrete

S/11.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH

NTTFS4C13NTAG
onsemi
1: S/3.11
10,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS4C13NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS4C13NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH

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Cinta cortada

S/3.11

S/1.98

S/1.35

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.837

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

38 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

21.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL IN DPAK

NVD5C434NT4G
onsemi
1: S/17.56
2,256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C434NT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C434NT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL IN DPAK

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Cinta cortada

S/17.56

S/11.13

S/8.76

S/7.90

S/7.59

Envase tipo carrete

S/6.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

163 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

80.6 nC

- 55 C

+ 175 C

117 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C668NLT4G
onsemi
1: S/11.99
2,661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C668NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C668NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

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Cinta cortada

S/11.99

S/7.75

Envase tipo carrete

S/7.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 70

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

49 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18.7 nC

- 55 C

+ 175 C

44 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W