Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

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Resultados: 451

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1: S/10.08
1,040En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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Hoja de datos

1,040En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.46

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

107 A

3.1 mOhms

20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

NVMFS5C456NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/7.01
1,425En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C456NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

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Hoja de datos

1,425En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.32

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.7 mOhms

20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM

NTMFS4C06NT1G
onsemi
1: S/3.78
67,590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C06NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4C06NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM

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Hoja de datos

67,590En existencias

Cinta cortada

S/3.78

S/2.05

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

30 V

69 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

30.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLT1G
onsemi
1: S/17.36
8,802En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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Hoja de datos

8,802En existencias

Cinta cortada

S/17.36

S/11.05

S/8.56

S/7.36

S/6.93

Envase tipo carrete

S/6.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFD024N06CT1G
onsemi
1: S/12.81
25,404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

25,404En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/8.33

S/5.76

S/4.67

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

24 A

22.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO

NVBLS001N06C
onsemi
1: S/46.83
4,440En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS001N06C

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS001N06C

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO

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Hoja de datos

4,440En existencias

Cinta cortada

S/46.83

S/32.58

S/24.60

S/23.74

Envase tipo carrete

S/23.71

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

422 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

143 nC

- 55 C

+ 175 C

284 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C450NAFT1G
onsemi
1: S/8.60
13,447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C450NAFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Hoja de datos

13,447En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.41

S/3.54

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

102 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C688NLT4G
onsemi
1: S/10.04
9,977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C688NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C688NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

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Hoja de datos

9,977En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.42

S/4.40

S/3.73

S/3.30

Envase tipo carrete

S/3.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

17 A

22.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

NVMFD5C668NLT1G
onsemi
1: S/19.31
1,855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C668NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C668NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

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Hoja de datos

1,855En existencias

Cinta cortada

S/19.31

S/12.65

S/9.42

S/7.90

Envase tipo carrete

S/6.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

68 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21.3 nC

- 55 C

+ 175 C

57.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/17.83
6,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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Hoja de datos

6,822En existencias

Cinta cortada

S/17.83

S/11.68

S/8.72

S/7.28

Envase tipo carrete

S/6.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFS016N06CTAG
onsemi
1: S/7.82
5,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS016N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS016N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Hoja de datos

5,560En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/4.98

S/3.35

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

NVTFS5C454NLWFTAG
onsemi
1: S/9.89
3,159En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C454NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C454NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF

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Hoja de datos

3,159En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/5.92

S/4.20

S/3.53

S/3.06

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFWS015N04CTAG
onsemi
1: S/7.59
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS015N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS015N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.25

S/2.57

S/2.09

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

27 A

17.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.3 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL

NTTFS5C673NLTAG
onsemi
1: S/1.95
48,308En existencias
237,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C673NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5C673NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL

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Hoja de datos

48,308En existencias

237,000En pedido

Cinta cortada

S/1.95

S/1.22

S/0.981

S/0.934

S/0.852

Envase tipo carrete

S/0.849

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,500

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA

NTMFS0D7N03CGT1G
onsemi
1: S/14.99
1,405En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D7N03CGT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D7N03CGT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA

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Hoja de datos

1,405En existencias

Cinta cortada

S/14.99

S/9.81

S/6.85

S/5.61

S/5.29

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

30 V

409 A

650 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

147 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH

NTMFS4C55NT1G
onsemi
1: S/3.58
15,386En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4C55NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4C55NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH

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Hoja de datos

15,386En existencias

Cinta cortada

S/3.58

S/2.23

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

30 V

21.7 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

NTMJS1D4N06CLTWG
onsemi
1: S/13.62
1,559En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS1D4N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS1D4N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK

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Hoja de datos

1,559En existencias

Cinta cortada

S/13.62

S/8.91

S/6.19

S/5.02

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

262 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK

NVD5C464NT4G
onsemi
1: S/10.74
2,956En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C464NT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C464NT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK

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Hoja de datos

2,956En existencias

Cinta cortada

S/10.74

S/6.46

S/4.63

S/3.82

S/3.56

Envase tipo carrete

S/3.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

59 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C466NWFT1G
onsemi
1: S/12.07
1,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C466NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C466NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

1,488En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.36

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C410NWFAFT1G
onsemi
1: S/24.64
805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C410NWT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

Obtenga más información

Hoja de datos

805En existencias

Cinta cortada

S/24.64

S/16.50

S/11.91

S/10.94

S/10.35

Envase tipo carrete

S/10.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

760 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C426NLWFT1G
onsemi
1: S/17.13
1,384En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C426NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C426NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

Obtenga más información

Hoja de datos

1,384En existencias

Cinta cortada

S/17.13

S/11.29

S/7.94

S/6.70

S/6.31

Envase tipo carrete

S/6.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

237 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH

NVTFS4C05NWFTAG
onsemi
1: S/11.13
2,216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C05NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C05NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH

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2,216En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/7.20

S/4.94

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

102 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET

NTMFS5C426NT1G
onsemi
1: S/8.41
2,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C426NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C426NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET

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2,783En existencias

Cinta cortada

S/8.41

S/4.98

S/3.50

S/2.88

S/2.40

Envase tipo carrete

S/2.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

235 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

NTMYS014N06CLTWG
onsemi
1: S/8.95
2,840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

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2,840En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.61

S/3.69

S/2.93

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NTTFS5C460NLTAG
onsemi
1: S/4.05
8,164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C460NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5C460NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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8,164En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.53

S/1.65

S/1.31

Envase tipo carrete

S/0.903

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

74 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W