Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.64
4,456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/14.64

S/9.54

S/6.66

S/5.61

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Envase tipo carrete

S/4.87

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: 5,000

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TTFN-9

N-Channel

1 Channel

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151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.91
4,375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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4,375En existencias

Cinta cortada

S/14.91

S/9.38

S/6.81

S/5.72

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Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 1
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WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

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13 A

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- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

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+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.43
4,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Cinta cortada

S/16.43

S/10.04

S/7.47

S/6.38

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Envase tipo carrete

S/5.53

Min.: 1
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WHTFN-9

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3 mOhms

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3.3 V

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+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1: S/6.23
56,743En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7545PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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56,743En existencias

S/6.23

S/3.64

S/2.66

S/2.21

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Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

95 A

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StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.00
3,872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT044N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT044N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/23.00

S/15.06

S/11.09

S/9.89

S/8.80

Envase tipo carrete

S/8.80

MouseReel Disponible

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1 Channel

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174 A

4.4 mOhms

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67 nC

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300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IST011N06NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: S/23.74
2,869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST011N06NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST011N06NM5AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/23.74

S/15.57

S/11.44

S/10.16

S/9.03

Envase tipo carrete

S/9.03

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60 V

399 A

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3.3 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT063N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.62
1,681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT063N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT063N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/26.62

S/17.44

S/12.85

S/11.41

S/10.12

Envase tipo carrete

S/10.12

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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1 Channel

150 V

122 A

6.3 mOhms

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4.6 V

47 nC

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+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IST026N10NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.02
1,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST026N10NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST026N10NM5AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/24.02

S/15.73

S/11.56

S/10.28

S/9.11

Envase tipo carrete

S/9.11

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

248 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
3,537En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ009NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/8.87

S/6.42

S/4.87

S/3.97

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Envase tipo carrete

S/3.47

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

960 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.06
4,063En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/15.06

S/9.15

S/6.38

S/5.53

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Envase tipo carrete

S/4.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

137 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

IQE012N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.90
3,500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE012N03LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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3,500En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.05

S/4.83

S/3.93

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Envase tipo carrete

S/3.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package

ISC015N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.92
3,140En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC015N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC015N06NM5ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package

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3,140En existencias

Cinta cortada

S/12.92

S/8.37

S/5.76

S/4.83

Ver

Envase tipo carrete

S/3.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

259 A

1.5 mOhms

20 V

3.3 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.95
5,096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

5,096En existencias

Cinta cortada

S/14.95

S/9.73

S/6.81

S/5.68

Ver

Envase tipo carrete

S/4.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH61N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/32.93
2,879En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQFH61N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH61N06NM5ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

2,879En existencias

Cinta cortada

S/32.93

S/22.15

S/17.01

S/14.52

S/13.39

Envase tipo carrete

S/13.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

510 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC015N06NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.72
9,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC015N06NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC015N06NM5LF2A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

9,955En existencias

Cinta cortada

S/21.72

S/14.21

S/10.59

S/8.87

Ver

Envase tipo carrete

S/7.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

275 A

1.55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.45 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

IPP023N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.16
935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP023N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP023N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

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Hoja de datos

935En existencias

S/26.16

S/15.06

S/11.87

S/10.51

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.57
3,655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E046N08LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

3,655En existencias

Cinta cortada

S/15.57

S/9.69

S/7.36

S/6.23

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Envase tipo carrete

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

IAUC120N06S5L022ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.98
3,914En existencias
5,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5L022ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5L022

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

Obtenga más información

Hoja de datos

3,914En existencias

5,000Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

S/10.98

S/7.05

S/4.79

S/4.09

Ver

Envase tipo carrete

S/3.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

170 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

77 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

IAUC120N06S5N032ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.45
3,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5N032ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5N032

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

Obtenga más información

Hoja de datos

3,575En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.37

S/3.61

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

3.23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQDH29NE2LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.03
1,114En existencias
5,000Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IQDH29NE2LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH29NE2LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,114En existencias

5,000Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/19.03

S/12.46

S/9.30

S/7.79

S/7.24

Envase tipo carrete

S/6.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

789 A

290 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.35
8,643En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE006NE2LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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8,643En existencias

Cinta cortada

S/13.35

S/8.64

S/5.96

S/4.98

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Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.92
5,268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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5,268En existencias

Cinta cortada

S/15.92

S/10.39

S/7.43

S/6.15

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Envase tipo carrete

S/5.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.97
1,553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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1,553En existencias

Cinta cortada

S/16.97

S/11.09

S/8.29

S/6.93

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Envase tipo carrete

S/6.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.79
2,778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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2,778En existencias

Cinta cortada

S/14.79

S/9.61

S/6.73

S/5.64

S/5.53

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.61
1,103En existencias
6,000Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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1,103En existencias

6,000Se espera el 3/12/2026

Cinta cortada

S/15.61

S/10.20

S/7.43

S/6.23

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Envase tipo carrete

S/5.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
16 A
21 A
40 A
41 A
44 A
46 A
47 A
49 A
69 A
72 A
84 A
85 A
95 A
99 A
100 A
101 A
112 A
120 A
122 A

290 uOhms
350 uOhms
580 uOhms
750 uOhms
800 uOhms
850 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.55 mOhms
1.57 mOhms

10 nC
11 nC
11.1 nC
12.5 nC
15 nC
17 nC
28 nC
30 nC
34 nC
35 nC
38 nC
39 nC
40 nC
43 nC
44 nC
47 nC
48 nC
49 nC
52 nC
53 nC

2.1 W
2.5 W
3.8 W
26 W
27 W
30 W
36 W
37 W
38 W
42 W
69 W
71 W
79 W
89 W
94 W
96 W
100 W
107 W
125 W
136 W