Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.48
4,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5CGSCATMA1

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726-IQE030N06NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/14.48

S/9.50

S/6.66

S/5.88

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.15
67,587En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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S/9.15

S/5.84

S/4.09

S/3.25

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S/2.59

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- 20 V, 20 V

1.2 V

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+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.51
2,013En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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S/13.51

S/8.80

S/6.19

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT044N15N5ATMA1
Infineon Technologies
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4,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT044N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT044N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/20.79

S/13.86

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S/9.54

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.48
2,153En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/14.48

S/9.50

S/6.66

S/5.88

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.43
4,990En existencias

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IQE065N10NM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/8.80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IST026N10NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.82
1,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST026N10NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST026N10NM5AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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S/16.82

S/11.21

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
3,847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ009NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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S/6.54

S/5.33

S/4.63

S/3.93

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.20
4,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/13.20

S/8.60

S/6.11

S/5.25

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Envase tipo carrete

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5N102ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.55
4,677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5N102ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5N102A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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S/4.55

S/3.10

S/2.08

S/1.64

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Envase tipo carrete

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1 Channel

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42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
6,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ065N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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6,017En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/1.71

S/1.25

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.884

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TSDSON-8

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49 A

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2 V

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+ 150 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.98
4,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE008N03LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE008N03LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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4,732En existencias

Cinta cortada

S/10.98

S/7.12

S/4.90

S/4.05

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Envase tipo carrete

S/3.28

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N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

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- 16 V, 16 V

2 V

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- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.52
5,096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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5,096En existencias

Cinta cortada

S/11.52

S/7.67

S/5.33

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.89

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.69
3,266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

3,266En existencias

Cinta cortada

S/12.69

S/8.29

S/5.76

S/4.94

Ver

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

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N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IST019N08NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.52
477En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IST019N08NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST019N08NM5AUMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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477En existencias

Cinta cortada

S/14.52

S/11.17

S/7.90

S/7.24

S/6.58

Envase tipo carrete

S/5.88

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

290 A

1.9 Ohms

- 20 V, 20 V

3.8 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISG0614N06NM5HATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.18
3,011En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISG0614N06NM5HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0614N06NM5HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

3,011En existencias

Cinta cortada

S/18.18

S/12.65

S/9.03

S/7.94

S/7.67

Envase tipo carrete

S/6.93

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

60 V

233 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.03
2,977En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISG0616N10NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0616N10NM5HSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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2,977En existencias

Cinta cortada

S/19.03

S/14.67

S/10.55

S/10.28

S/9.73

Envase tipo carrete

S/8.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

100 V

139 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISG0614N06NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.54
2,708En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISG0614N06NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0614N06NM5HSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

2,708En existencias

Cinta cortada

S/19.54

S/13.66

S/9.77

S/8.72

Envase tipo carrete

S/7.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

60 V

233 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IQD063N15NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.70
4,082En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQD063N15NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD063N15NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,082En existencias

Cinta cortada

S/16.70

S/11.64

S/10.00

S/9.69

Ver

Envase tipo carrete

S/8.37

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

150 V

148 A

6.32 Ohms

- 10 V, 10 V

3 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1: S/5.68
53,692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7545PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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Hoja de datos

53,692En existencias

S/5.68

S/2.68

S/2.39

S/1.87

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

95 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
4,462En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E022N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

4,462En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/8.25

S/6.07

S/5.06

Ver

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.57
3,819En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E046N08LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

IAUC120N06S5L022ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
3,240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5L022ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5L022

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

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S/8.99

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S/3.97

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

170 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

77 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

IAUC120N06S5N032ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.63
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5N032ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5N032

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

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S/7.63

S/4.87

S/3.28

S/2.60

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S/1.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

3.23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT009N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.27
1,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT009N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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S/22.27

S/16.82

S/13.62

S/12.11

S/10.35

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S/10.35

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

60 V

427 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

171 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
16 A
21 A
40 A
41 A
44 A
46 A
47 A
49 A
69 A
72 A
84 A
85 A
95 A
99 A
100 A
101 A
112 A
120 A
122 A

290 uOhms
350 uOhms
580 uOhms
750 uOhms
800 uOhms
850 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
960 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.47 mOhms
1.55 mOhms
1.57 mOhms
1.6 mOhms
1.72 mOhms

10 nC
11 nC
11.1 nC
12.5 nC
15 nC
17 nC
28 nC
30 nC
34 nC
35 nC
38 nC
39 nC
43 nC
44 nC
47 nC
48 nC
49 nC
52 nC
53 nC
55 nC

2.1 W
2.5 W
3.8 W
26 W
27 W
30 W
36 W
37 W
38 W
42 W
69 W
71 W
79 W
89 W
94 W
96 W
100 W
107 W
125 W
136 W