Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
SSM6L826R,LF
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
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1
S/3.58
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S/1.58
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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1
S/8.02
10
S/5.06
100
S/3.31
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S/2.63
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S/2.04
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Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA020V120E5
APC-E
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APC-E
Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
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S/18.80
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S/10.78
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S/9.54
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NSVT5551DW1T1G
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onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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S/3.81
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Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA030V120E5
APC-E
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APC-E
Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
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Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA040V120E5
APC-E
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N.º de artículo de Mouser 896-ASA040V120E5
Nuevo producto
APC-E
Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
271 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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20,608 En existencias
N.º de artículo de Mouser 689-DN2625DK6-G
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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S/12.26
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S/11.41
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S/9.46
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S/9.26
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Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
C4D40120D
Wolfspeed
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N.º de artículo de Mouser 941-C4D40120D
Wolfspeed
Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
837 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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ZXMS6005DN8Q-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-ZXMS6005DN8Q-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
72,061 En existencias
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S/3.85
10
S/2.46
100
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S/1.78
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S/1.62
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GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
CGH40180PP
MACOM
1:
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N.º de artículo de Mouser 941-CGH40180PP
MACOM
GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
1:
S/4.01
6,254 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-MBR1060DCAUR26A1
Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
6,254 En existencias
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S/4.01
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S/1.47
800
S/1.47
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
CSD87330Q3D
Texas Instruments
1:
S/5.84
50,092 En existencias
N.º de artículo de Mouser 595-CSD87330Q3D
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block
50,092 En existencias
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S/5.84
10
S/3.87
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S/3.23
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S/2.43
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S/2.41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
S/5.53
42,124 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
42,124 En existencias
1
S/5.53
10
S/3.49
100
S/2.32
500
S/1.81
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S/1.37
6,000
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S/1.65
6,000
S/1.33
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S/1.32
24,000
S/1.29
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
1:
S/1.87
268,820 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
268,820 En existencias
1
S/1.87
10
S/1.16
100
S/0.732
500
S/0.549
1,000
S/0.49
3,000
S/0.385
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
1:
S/96.85
1,258 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
1,258 En existencias
1
S/96.85
10
S/66.06
100
S/65.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/13.39
44,397 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
44,397 En existencias
1
S/13.39
10
S/8.37
100
S/6.38
500
S/5.22
1,000
S/5.14
2,000
S/4.48
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 45V 10A SM SCHOTTKY
V10KM45CHM3/H
Vishay Semiconductors
1:
S/7.12
2,564 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-V10KM45CHM3/H
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky RECT 45V 10A SM SCHOTTKY
2,564 En existencias
1
S/7.12
10
S/4.48
100
S/2.94
500
S/2.34
1,500
S/1.84
3,000
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1,000
S/2.07
3,000
S/1.78
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Carrete :1,500
Detalles
Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
SCS240KE2HRC11
ROHM Semiconductor
1:
S/105.68
1,011 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SCS240KE2HRC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
1,011 En existencias
1
S/105.68
10
S/67.77
100
S/67.26
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Detalles
Módulos IGBT IGBT MODULE NFH-SERIES HI-FREQUENCY DUAL
CM200DU-12NFH
Mitsubishi Electric
1:
S/563.79
78 En existencias
N.º de artículo de Mouser 917-CM200DU-12NFH
Mitsubishi Electric
Módulos IGBT IGBT MODULE NFH-SERIES HI-FREQUENCY DUAL
78 En existencias
1
S/563.79
10
S/466.87
100
S/444.60
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Detalles
Rectificadores y diodos Schottky Schottky Plastic Lead-Free ZBD
MA4E2200D1-287T
MACOM
1:
S/14.13
3,756 En existencias
N.º de artículo de Mouser 937-MA4E2200D1-287T
MACOM
Rectificadores y diodos Schottky Schottky Plastic Lead-Free ZBD
3,756 En existencias
1
S/14.13
10
S/9.19
100
S/7.05
500
S/5.88
1,000
S/5.45
3,000
S/5.14
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
1:
S/0.545
645,226 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS302ALF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
645,226 En existencias
1
S/0.545
10
S/0.378
100
S/0.284
500
S/0.21
3,000
S/0.093
6,000
Ver
1,000
S/0.183
6,000
S/0.09
9,000
S/0.078
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1:
S/1.83
267,701 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L14FETE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
267,701 En existencias
1
S/1.83
10
S/1.11
100
S/0.705
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S/0.525
4,000
S/0.335
8,000
Ver
1,000
S/0.471
2,000
S/0.424
8,000
S/0.308
24,000
S/0.296
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Carrete :4,000
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product.
PMD2001D,115
Nexperia
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S/2.96
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N.º de artículo de Mouser 771-PMD2001D115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product.
185,901 En existencias
1
S/2.96
10
S/2.03
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S/1.28
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S/0.794
1,000
S/0.588
3,000
S/0.522
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Carrete :3,000
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product.
PMP4201Y,135
Nexperia
1:
S/2.41
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N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y135
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) The factory is currently not accepting orders for this product.
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Embalaje alternativo
1
S/2.41
10
S/1.50
100
S/0.958
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S/0.728
1,000
Ver
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S/0.475
1,000
S/0.588
5,000
S/0.518
10,000
S/0.475
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Carrete :10,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/7.43
110,673 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
110,673 En existencias
1
S/7.43
10
S/4.75
100
S/3.17
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S/2.51
3,000
S/2.16
6,000
Ver
1,000
S/2.29
6,000
S/2.07
9,000
S/2.00
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
