Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
SSM6L826R,LF
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L826RLF
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
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1
S/3.58
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S/1.58
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6,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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S/8.02
10
S/5.06
100
S/3.31
500
S/2.63
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NSVT5551DW1T1G
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onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
PMP4201Y,115
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N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y115
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
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S/0.584
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
SH8JE5TB1
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-SH8JE5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
1,467 En existencias
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S/12.49
10
S/8.10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 80V 23A
BUK7K15-80EX
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N.º de artículo de Mouser 771-BUK7K15-80EX
Nexperia
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 80V 23A
22,489 En existencias
7,500 Se espera el 30/06/2026
1
S/8.99
10
S/5.80
100
S/3.93
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S/3.12
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S/2.73
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S/3.02
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S/2.60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
181,173 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.89
100
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500
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3,000
S/0.712
6,000
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6,000
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S/0.588
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified
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SQ4920EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ4920EY-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified
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S/9.93
10
S/6.38
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S/4.36
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S/3.02
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Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
VS-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductors
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S/6.38
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Vishay Semiconductors
Rectificadores 200 Volt 6.0 Amp
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S/3.75
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT457 40V .6A NPN/P NP BJT
PMD2001D,115
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N.º de artículo de Mouser 771-PMD2001D115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT457 40V .6A NPN/P NP BJT
186,264 En existencias
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S/0.856
10
S/0.514
100
S/0.405
500
S/0.381
3,000
S/0.339
6,000
Ver
1,000
S/0.366
6,000
S/0.327
9,000
S/0.315
24,000
S/0.311
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
PMP4201Y,135
Nexperia
1:
S/2.57
288,118 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y135
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
288,118 En existencias
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1
S/2.57
10
S/1.59
100
S/1.02
500
S/0.771
1,000
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S/0.502
1,000
S/0.623
5,000
S/0.549
10,000
S/0.502
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/7.43
110,643 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
110,643 En existencias
1
S/7.43
10
S/4.75
100
S/3.17
500
S/2.51
3,000
S/2.16
6,000
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S/2.29
6,000
S/2.07
9,000
S/2.03
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/8.64
71,043 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
71,043 En existencias
1
S/8.64
10
S/5.49
100
S/3.70
500
S/3.00
3,000
S/2.51
6,000
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1,000
S/2.69
6,000
S/2.42
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/5.72
52,294 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
52,294 En existencias
1
S/5.72
10
S/3.61
100
S/2.39
500
S/1.87
2,500
S/1.51
5,000
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1,000
S/1.70
5,000
S/1.41
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PJQ5948V-AU_R2_002A1
Panjit
1:
S/5.33
2,874 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5948VAUR202A1
Panjit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
2,874 En existencias
1
S/5.33
10
S/3.34
100
S/2.20
500
S/2.00
3,000
S/2.00
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
1:
S/1,449.61
27 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
27 En existencias
1
S/1,449.61
10
S/1,167.36
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
FDMS3669S
onsemi
1:
S/10.78
42,680 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDMS3669S
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
42,680 En existencias
1
S/10.78
10
S/6.97
100
S/4.79
500
S/3.83
1,000
S/3.28
3,000
S/3.28
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
BAV199T-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/1.32
333,819 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-BAV199T-F
Diodes Incorporated
Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
333,819 En existencias
1
S/1.32
10
S/0.806
100
S/0.506
500
S/0.374
1,000
S/0.331
3,000
S/0.331
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Máx.: 1,380
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/4.67
110,610 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ3985EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
110,610 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.67
10
S/2.93
100
S/1.93
500
S/1.49
3,000
S/1.17
6,000
Ver
1,000
S/1.35
6,000
S/1.08
24,000
S/1.07
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/14.52
12,468 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
12,468 En existencias
1
S/14.52
10
S/9.46
100
S/6.66
500
S/5.57
1,000
S/5.25
2,000
S/4.90
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
FF600R12KE4PBOSA1
Infineon Technologies
1:
S/759.70
65 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-FF600R12KE4PBOSA
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
65 En existencias
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Detalles
Rectificadores RECT 800V 10A SM SUPER FST
RFN10NS8DFHTL
ROHM Semiconductor
1:
S/14.99
1,361 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RFN10NS8DFHTL
ROHM Semiconductor
Rectificadores RECT 800V 10A SM SUPER FST
1,361 En existencias
1
S/14.99
10
S/9.77
100
S/6.85
500
S/5.61
1,000
S/5.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
FF600R12KE7EHPSA1
Infineon Technologies
1:
S/604.47
26 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-FF600R12KE7EHPSA
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
26 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Rectificadores 200V 30A TO-263 Fred Pt
+1 imagen
VS-30CTH02S-M3
Vishay Semiconductors
1:
S/12.81
9,822 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-VS-30CTH02S-M3
Vishay Semiconductors
Rectificadores 200V 30A TO-263 Fred Pt
9,822 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.81
10
S/7.32
100
S/6.15
500
S/5.37
1,000
S/5.10
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block
CSD87351ZQ5D
Texas Instruments
1:
S/7.67
1,900 En existencias
N.º de artículo de Mouser 595-CSD87351ZQ5D
Texas Instruments
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block
1,900 En existencias
1
S/7.67
10
S/5.14
100
S/4.32
500
S/4.16
2,500
S/3.93
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
