DN2625DK6-G

Microchip Technology
689-DN2625DK6-G
DN2625DK6-G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE

Modelo ECAD:
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En existencias: 21,908

Existencias:
21,908 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
4 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/11.68 S/11.68
S/10.78 S/107.80
S/9.73 S/243.25
S/9.30 S/930.00
S/9.26 S/4,537.40
5,390 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
2 Channel
250 V
1.1 A
3.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.1 V
7.04 nC
- 55 C
+ 150 C
Depletion
Tray
Marca: Microchip Technology
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 20 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 20 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 490
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 10 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 161.193 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99