Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
SSM6L826R,LF
Toshiba
1:
S/3.58
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM6L826RLF
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
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1
S/3.58
10
S/2.55
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S/1.58
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
AHV85043K18ESTR
Allegro MicroSystems
1:
S/7.94
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N.º de artículo de Mouser 250-AHV85043K18ESTR
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Allegro MicroSystems
Controladores de puerta con aislamiento galvánico SECONDARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V
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1
S/7.94
10
S/5.88
25
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S/3.89
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/8.02
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3,000 Se espera el 7/06/2027
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ768ELP-T1_GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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1
S/8.02
10
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S/2.00
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 863-NSVT5551DW1T1G
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onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
2,796 En existencias
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S/4.20
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S/0.926
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
1:
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20,608 En existencias
N.º de artículo de Mouser 689-DN2625DK6-G
Microchip Technology
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
20,608 En existencias
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S/12.26
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S/10.74
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
1:
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6,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-MBR1060DCAUR26A1
Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
6,235 En existencias
1
S/4.01
10
S/2.50
100
S/1.63
500
S/1.47
800
S/1.47
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 28.7A
SI7252ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1:
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49,719 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SI7252ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 28.7A
49,719 En existencias
1
S/10.78
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S/6.97
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 45V 10A SM SCHOTTKY
V10KM45CHM3/H
Vishay Semiconductors
1:
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N.º de artículo de Mouser 78-V10KM45CHM3/H
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky RECT 45V 10A SM SCHOTTKY
2,564 En existencias
1
S/7.12
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3,000
S/1.78
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
+2 imágenes
SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1:
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
78,980 En existencias
1
S/6.81
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PJQ5948V-AU_R2_002A1
Panjit
1:
S/5.33
2,884 En existencias
N.º de artículo de Mouser 241-PJQ5948VAUR202A1
Panjit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
2,884 En existencias
1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
S/5.92
41,883 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41,883 En existencias
1
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10
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S/1.46
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.02
265,154 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
265,154 En existencias
1
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S/0.588
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
1:
S/96.88
1,258 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/14.01
43,678 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
43,678 En existencias
1
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1,000
S/5.14
2,000
S/4.87
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Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
FF200R17KE4
Infineon Technologies
1:
S/536.04
25 En existencias
N.º de artículo de Mouser 641-FF200R17KE4
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
25 En existencias
1
S/536.04
10
S/445.85
100
S/409.57
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
FDC6318P
onsemi
1:
S/4.79
53,343 En existencias
N.º de artículo de Mouser 512-FDC6318P
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
53,343 En existencias
1
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10
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6,000
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1,000
S/1.39
6,000
S/1.10
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Carrete :3,000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
1SS226,LF
Toshiba
1:
S/0.856
882,630 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS226LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
882,630 En existencias
1
S/0.856
10
S/0.518
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Ver
1,000
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9,000
S/0.109
24,000
S/0.105
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
PMP4201Y,115
Nexperia
1:
S/2.57
128,364 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-PMP4201Y115
Nexperia
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT363 45V .1A NPN/N PN BJT
128,364 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.57
10
S/1.59
100
S/1.02
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S/0.771
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S/0.584
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Ver
1,000
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6,000
S/0.533
9,000
S/0.459
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/1.63
306,058 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
306,058 En existencias
1
S/1.63
10
S/1.01
100
S/0.81
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S/0.771
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S/0.697
6,000
Ver
1,000
S/0.74
6,000
S/0.677
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/8.95
54,037 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ500AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified
54,037 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.95
10
S/5.76
100
S/3.89
500
S/3.10
1,000
S/2.85
3,000
S/2.62
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified
SQJ940EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/8.33
55,702 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQJ940EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified
55,702 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.33
10
S/5.33
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S/2.85
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S/2.37
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
SQS966ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
S/6.97
39,662 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQS966ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
39,662 En existencias
1
S/6.97
10
S/4.44
100
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S/1.87
9,000
Ver
1,000
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9,000
S/1.86
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
+2 imágenes
SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.39
130,738 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
130,738 En existencias
1
S/3.39
10
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Ver
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S/0.677
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.04
181,173 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
181,173 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.89
100
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1,000
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9,000
S/0.588
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1:
S/3.04
127,591 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
127,591 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.88
100
S/1.21
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S/0.926
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Ver
1,000
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S/0.584
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Carrete :3,000
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Perú
