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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications IAUCN04S7N010GATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.87 3,399En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N010GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N010GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	3,399En existencias	Cinta cortada S/8.87 S/4.98 S/3.79 S/3.07 S/3.01 Envase tipo carrete S/2.67	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8) NVBYST0D8N08XTXG onsemi 1: S/31.37 1,119En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVBYST0D8N08XTXG N.º de artículo de Mouser 863-NVBYST0D8N08XTXG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8) Obtenga más información sobre onsemi nvbyst0d8n08x mosfet	Hoja de datos	1,119En existencias	Cinta cortada S/31.37 S/22.11 S/17.87 Envase tipo carrete S/17.87	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 150 : 1,500
Amplificador de RF 2W2-6GHzMMICPA QPA2597 Qorvo 1: S/503.61 63En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante QPA2597 N.º de artículo de Mouser 772-QPA2597 Nuevo producto	Qorvo	Amplificador de RF 2W2-6GHzMMICPA Obtenga más información sobre Qorvo qpa2597 amplifier	Hoja de datos	63En existencias	S/503.61 S/427.55 S/389.79	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 25
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET SQJ461EP-T1_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/12.92 3,455En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ461EP-T1_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ461EP-T1_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	3,455En existencias	S/12.92 S/8.37 S/5.80 S/4.83 Ver S/4.67 S/4.20	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000
Rectificadores y diodos Schottky Rectifier, TMBS Schottky, 10A, 100V, ultra-low VF, DFN6546A V10N6103-M3/I Vishay Semiconductors 1: S/5.25 4,200En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante V10N6103-M3/I N.º de artículo de Mouser 78-V10N6103-M3/I Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Rectificadores y diodos Schottky Rectifier, TMBS Schottky, 10A, 100V, ultra-low VF, DFN6546A	Hoja de datos	4,200En existencias	Cinta cortada S/5.25 S/3.25 S/2.14 S/1.68 Envase tipo carrete S/1.16 Ver S/1.48 S/1.30 S/1.12 S/0.981 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000
Rectificadores y diodos Schottky Rectifier, TMBS Schottky, 10A, 100V, ultra-low VF, DFN6546A V10N6M103-M3/I Vishay Semiconductors 1: S/5.25 4,200En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante V10N6M103-M3/I N.º de artículo de Mouser 78-V10N6M103-M3/I Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Rectificadores y diodos Schottky Rectifier, TMBS Schottky, 10A, 100V, ultra-low VF, DFN6546A	Hoja de datos	4,200En existencias	Cinta cortada S/5.25 S/3.25 S/2.14 S/1.68 Envase tipo carrete S/1.16 Ver S/1.48 S/1.30 S/1.12 S/0.981 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000
Rectificadores y diodos Schottky Rectifier, TMBS Schottky, 10A, 200V, ultra-low VF, DFN6546A V10N6202-M3/I Vishay Semiconductors 1: S/5.84 4,200En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante V10N6202-M3/I N.º de artículo de Mouser 78-V10N6202-M3/I Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Rectificadores y diodos Schottky Rectifier, TMBS Schottky, 10A, 200V, ultra-low VF, DFN6546A	Hoja de datos	4,200En existencias	Cinta cortada S/5.84 S/3.61 S/2.37 S/1.87 Envase tipo carrete S/1.28 Ver S/1.60 S/1.44 S/1.24 S/1.09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package IAUCP04P4L020ATMA1 Infineon Technologies 1: S/15.22 690En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCP04P4L020ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCP04P4L020ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos p2 mosfets	Hoja de datos	690En existencias	Cinta cortada S/15.22 S/9.93 S/7.24 S/6.07 Ver Envase tipo carrete S/4.75 S/5.64 S/5.61 S/4.75	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T1 60V (N-CH) NVNJWS1K6N061LTAG onsemi 1: S/3.50 1,493En existencias 3,000Se espera el 19/03/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVNJWS1K6N061LTAG N.º de artículo de Mouser 863-VNJWS1K6N061LTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T1 60V (N-CH) Obtenga más información sobre onsemi nvnjws1k6n061l mosfet	Hoja de datos	1,493En existencias 3,000Se espera el 19/03/2027	Cinta cortada S/3.50 S/2.49 S/1.55 Envase tipo carrete S/1.55	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 300 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package IAUCP04P4N120ATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.81 700En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCP04P4N120ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCP04P4N120ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos p2 mosfets	Hoja de datos	700En existencias	Cinta cortada S/6.81 S/4.28 S/2.80 S/2.23 Envase tipo carrete S/1.62 Ver S/1.98 S/1.91 S/1.56 S/1.52	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Módulos de Diodos THYRISTOR 1.5KV 200MA BRKOVR IXBOD2-15RD IXYS 1: S/437.95 5En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IXBOD2-15RD N.º de artículo de Mouser 747-IXBOD215RD Nuevo producto	IXYS	Módulos de Diodos THYRISTOR 1.5KV 200MA BRKOVR Obtenga más información sobre IXYS ixb0d2 breakover diode modules	Hoja de datos	5En existencias	S/437.95 S/364.30 S/301.63 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET SQD50P06-15L_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/9.93 1,052En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQD50P06-15L_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQD50P06-15L_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	1,052En existencias	S/9.93 S/6.31 S/4.28 S/3.44 Ver S/3.22 S/2.73	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET SQ3457CEV-T1_GE3 Vishay Semiconductors 1: S/2.57 2,806En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQ3457CEV-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQ3457CEV-T1_GE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	2,806En existencias	S/2.57 S/1.16 S/1.02 S/0.767 Ver S/0.584 S/0.506 S/0.471	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package IAUCP04P4L100ATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.81 700En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCP04P4L100ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCP04P4L100ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos p2 mosfets	Hoja de datos	700En existencias	Cinta cortada S/6.81 S/4.28 S/2.80 S/2.23 Envase tipo carrete S/1.62 Ver S/1.98 S/1.91 S/1.56 S/1.52	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET SQD50P04-13L_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/8.37 1,000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQD50P04-13L_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQD50P04-13L_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	1,000En existencias	S/8.37 S/5.29 S/3.57 S/2.89 Ver S/2.70 S/2.29 S/2.09	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET SQJ144EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix 1: S/6.97 2,065En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ144EP-T1_BE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ144EP-T1_BE3 Nuevo producto	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	2,065En existencias	Cinta cortada S/6.97 S/3.89 S/2.86 S/2.25 S/2.07 Envase tipo carrete S/1.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET SQM120P06-07L_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/16.39 556En existencias 1,600Se espera el 3/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQM120P06-07L_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQM120P06-07L_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	556En existencias 1,600Se espera el 3/11/2026	S/16.39 S/10.74 S/8.02 S/6.73 S/6.19	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,600
Módulos de Diodos THYRISTOR 2KV 200MA BRKOVR IXBOD2-20RD IXYS 1: S/437.95 14En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IXBOD2-20RD N.º de artículo de Mouser 747-IXBOD220RD Nuevo producto	IXYS	Módulos de Diodos THYRISTOR 2KV 200MA BRKOVR Obtenga más información sobre IXYS ixb0d2 breakover diode modules	Hoja de datos	14En existencias	S/437.95 S/364.30 S/331.76	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET SQJQ580ER-T1_GE3 Vishay / Siliconix 1: S/20.05 366En existencias 4,000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJQ580ER-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ580ER-T1_GE3 Nuevo producto	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	366En existencias 4,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SQJQ580ER-T1_GE3 Existencias: 366 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,000 Se espera el 14/06/2027 2,000 Se espera el 16/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 23 Semanas	Cinta cortada S/20.05 S/10.39 S/9.46 S/8.29 Envase tipo carrete S/6.81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET SQM100P10-19L_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/17.01 702En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQM100P10-19L_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQM100P10-19L_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	702En existencias	S/17.01 S/11.13 S/8.33 S/6.97 Ver S/6.42 S/5.99 S/5.45	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package IAUCP04P4L040ATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.63 700En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCP04P4L040ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCP04P4L040ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos p2 mosfets	Hoja de datos	700En existencias	Cinta cortada S/10.63 S/6.85 S/4.67 S/3.97 Envase tipo carrete S/2.92 Ver S/3.49 S/3.44 S/2.88	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package IAUCP04P4N020ATMA1 Infineon Technologies 1: S/15.22 626En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCP04P4N020ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCP04P4N020ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos p2 mosfets	Hoja de datos	626En existencias	Cinta cortada S/15.22 S/9.93 S/7.24 S/6.07 Ver Envase tipo carrete S/4.75 S/5.64 S/5.61 S/4.75	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package IAUCP04P4N040ATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.63 700En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCP04P4N040ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCP04P4N040ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS P2 -40 V Single SSO8 Automotive MOSFET in SSO8 (5x6 mm) package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos p2 mosfets	Hoja de datos	700En existencias	Cinta cortada S/10.63 S/6.85 S/4.67 S/3.97 Envase tipo carrete S/2.92 Ver S/3.49 S/3.44 S/2.88	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET SQJ858AEP-T1_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/7.16 1,601En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ858AEP-T1_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ858AEP-T1_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	1,601En existencias	S/7.16 S/4.44 S/2.91 S/2.28 Ver S/2.01 S/1.70	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET SQM120P04-04L_NE3 Vishay Semiconductors 1: S/16.04 695En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQM120P04-04L_NE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQM120P04-04L_NE3 Nuevo producto	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET	Hoja de datos	695En existencias	S/16.04 S/10.51 S/7.86 S/6.58 Ver S/6.07 S/5.64 S/5.14	Min.: 1 Mult.: 1