Si Semiconductores

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

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4,725En existencias

6,000Se espera el 10/12/2026

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S/19.89

S/13.04

S/9.73

S/8.17

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S/7.12

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: 6,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
3,127En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N010GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N010GAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

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3,127En existencias

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S/8.87

S/5.64

S/3.78

S/3.07

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S/2.45

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.04
5,269En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S7L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L040ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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5,269En existencias

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S/13.04

S/8.45

S/5.84

S/4.87

S/4.59

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S/4.20

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
7,607En existencias
5,000Se espera el 22/04/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC034N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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7,607En existencias

5,000Se espera el 22/04/2027

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S/9.23

S/5.84

S/3.97

S/3.43

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S/2.91

S/2.30

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

IXTX400N20X4
IXYS
1: S/113.54
315En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXTX400N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX400N20X4

Nuevo producto

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

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315En existencias

S/113.54

S/91.63

S/80.15

S/75.55

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System on a Chip (SoC) RF Ultra-low power SOC + advanced security features, a range of peripherals & multiprotocol 2.4 GHz transceiver

NRF54LM20A-PAAA-R
Nordic Semiconductor
1: S/22.19
430En existencias
12,000Se espera el 5/02/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NRF54LM20A-PAAA-R

N.º de artículo de Mouser
949-NRF54LM20A-PAAAR

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Nordic Semiconductor

System on a Chip (SoC) RF Ultra-low power SOC + advanced security features, a range of peripherals & multiprotocol 2.4 GHz transceiver

430En existencias

12,000Se espera el 5/02/2027

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S/22.19

S/16.93

S/15.61

S/14.13

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S/12.73

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: 6,000

Amplificador de RF 2W 2-6GHz MMIC PA

QPA2597
Qorvo
1: S/325.30
18En existencias
50Se espera el 6/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
QPA2597

N.º de artículo de Mouser
772-QPA2597

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Qorvo

Amplificador de RF 2W 2-6GHz MMIC PA

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18En existencias

50Se espera el 6/10/2026

S/325.30

S/322.10

S/286.02

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

TPM1R408RH,LQ
Toshiba
1: S/14.75
2,608En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TPM1R408RH,LQ

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757-TPM1R408RHLQ

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

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S/14.75

S/9.61

S/6.73

S/5.64

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S/4.44

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: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.14
4,349En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ463EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ463EP-T1_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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4,349En existencias

S/18.14

S/11.87

S/8.87

S/7.43

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
2,030En existencias
Nuevo producto

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SQJ858AEP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ858AEP-T1_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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2,030En existencias

S/7.16

S/4.44

S/2.91

S/2.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.95
690En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQM40022EM_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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690En existencias

S/14.95

S/9.77

S/7.12

S/5.96

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Módulos IGBT EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and NTC

FZ35R12ST4H18ABPSA1
Infineon Technologies
1: S/129.00
60En existencias
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FZ35R12ST4H18ABPSA1

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726-FZ35R12ST4H18ABP

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Módulos IGBT EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and NTC

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60En existencias

S/129.00

S/105.29

S/92.99

S/85.40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56

FDMS8622-NC
onsemi
1: S/7.75
2,079En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
FDMS8622-NC

N.º de artículo de Mouser
863-FDMS8622-NC

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56

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2,079En existencias

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S/7.75

S/4.79

S/3.16

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S/3.16

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: 3,000

IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE

AFGB30T65RQDN
onsemi
1: S/18.22
693En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
AFGB30T65RQDN

N.º de artículo de Mouser
863-AFGB30T65RQDN

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onsemi

IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE

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693En existencias

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S/18.22

S/11.95

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S/11.95

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Máx.: 40

: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1: S/10.08
1,040En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

Hoja de datos

1,040En existencias

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S/10.08

S/6.46

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

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Máx.: 150

: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SI8409ADB-T1-E1
Vishay / Siliconix
1: S/4.13
6,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI8409ADB-T1-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8409ADB-T1-E1

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos

6,000En existencias

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S/4.13

S/2.96

S/1.84

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.958

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.02
2,289En existencias
3,000Se espera el 10/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ768ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ768ELP-T1_GE3

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

2,289En existencias

3,000Se espera el 10/08/2026

S/8.02

S/5.06

S/3.31

S/2.63

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Min.: 1
Mult.: 1

Sintonizadores Low Power Software Defined Radio (SDR) Tuner

CMX918Q5
CML Micro
1: S/25.42
44En existencias
100Se espera el 11/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
CMX918Q5

N.º de artículo de Mouser
226-CMX918Q5-R701

Nuevo producto

CML Micro

Sintonizadores Low Power Software Defined Radio (SDR) Tuner

Hoja de datos

44En existencias

100Se espera el 11/08/2026

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S/25.42

Envase tipo carrete

S/25.42

S/20.36

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SI7804BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.01
5,950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI7804BDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7804BDN-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos

5,950En existencias

Cinta cortada

S/4.01

S/2.76

S/1.75

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.689

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQM120P06-07L_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.39
312En existencias
800Se espera el 19/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQM120P06-07L_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P06-07L_NE3

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

312En existencias

800Se espera el 19/08/2026

S/16.39

S/10.74

S/8.02

S/6.73

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SIA432BDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.35
5,950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIA432BDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA432BDJ-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos

5,950En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/2.30

S/1.46

S/0.903

Envase tipo carrete

S/0.572

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.92
1,258En existencias
3,000Se espera el 6/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ461EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ461EP-T1_NE3

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

1,258En existencias

3,000Se espera el 6/08/2026

S/12.92

S/8.37

S/5.80

S/4.83

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
353En existencias
10,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC024N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC024N08NM7ATMA

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Hoja de datos

353En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/13.78

S/8.99

S/6.31

S/5.29

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50P06-15L_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.93
1,749En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P06-15L_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P06-15L_NE3

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

1,749En existencias

S/9.93

S/6.31

S/4.28

S/3.44

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Min.: 1
Mult.: 1

Amplificador de RF 40 dB Gain, 25 dBm IP3, 0.8 dB NF, 11 dBm P1dB, 1 GHz to 2 GHz, Low Noise High Gain Amplifier SMA

PE15A1019
Pasternack
1: S/5,835.95
4En existencias
2Se espera el 21/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PE15A1019

N.º de artículo de Mouser
28-PE15A1019

Nuevo producto

Pasternack

Amplificador de RF 40 dB Gain, 25 dBm IP3, 0.8 dB NF, 11 dBm P1dB, 1 GHz to 2 GHz, Low Noise High Gain Amplifier SMA