System on a Chip (SoC) RF ATM34 SoC, 4x4 BGA,93balls, 2.5M NVM SR (Small Reel)
ATM3405-5YCABV-UR
Atmosic Technologies
1:
S/21.02
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N.º de artículo de Mouser 952-ATM34055YCABVSR
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Atmosic Technologies
System on a Chip (SoC) RF ATM34 SoC, 4x4 BGA,93balls, 2.5M NVM SR (Small Reel)
525 En existencias
1
S/21.02
10
S/16.00
25
S/14.75
100
S/13.39
1,000
S/12.14
2,000
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S/12.73
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S/12.30
2,000
S/12.03
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
ISC016N08NM8SCATMA1
Infineon Technologies
1:
S/27.64
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N.º de artículo de Mouser 726-ISC016N08NM8SCAT
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
3,075 En existencias
1
S/27.64
10
S/14.75
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S/13.51
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S/12.77
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S/11.68
4,000
S/10.39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.87
3,518 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N010GAT
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
3,518 En existencias
1
S/8.87
10
S/5.64
100
S/3.78
500
S/3.07
1,000
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5,000
S/2.45
1,000
S/2.75
2,500
S/2.69
5,000
S/2.45
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.23
7,289 En existencias
5,000 Se espera el 8/10/2026
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N.º de artículo de Mouser 726-ISC034N08NM7ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
7,289 En existencias
5,000 Se espera el 8/10/2026
1
S/9.23
10
S/5.14
100
S/3.97
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S/3.19
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S/2.53
10,000
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S/3.11
10,000
S/2.21
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Carrete :5,000
Amplificador de RF 2W 2-6GHz MMIC PA
QPA2597
Qorvo
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18 En existencias
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QPA2597
N.º de artículo de Mouser 772-QPA2597
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Qorvo
Amplificador de RF 2W 2-6GHz MMIC PA
18 En existencias
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S/503.61
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S/421.21
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S/388.20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
TPM1R408RH,LQ
Toshiba
1:
S/14.79
2,444 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 757-TPM1R408RHLQ
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
2,444 En existencias
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S/14.79
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S/8.64
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S/6.77
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S/5.68
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S/5.41
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S/4.28
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
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S/12.92
3,580 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ461EP-T1_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
3,580 En existencias
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S/12.92
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S/8.37
100
S/5.80
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S/4.83
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S/4.67
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S/4.20
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
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S/7.16
1,906 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ858AEP-T1_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
1,906 En existencias
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S/7.16
10
S/4.44
100
S/2.91
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S/2.28
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S/2.01
3,000
S/1.70
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
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S/14.95
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N.º de artículo de Mouser 78-SQM40022EM_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
690 En existencias
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S/14.95
10
S/9.77
100
S/7.12
500
S/5.96
800
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S/5.49
2,400
S/5.14
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S/4.67
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Módulos IGBT EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and NTC
FZ35R12ST4H18ABPSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-FZ35R12ST4H18ABP
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Infineon Technologies
Módulos IGBT EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and NTC
54 En existencias
1
S/129.00
10
S/105.29
100
S/92.99
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S/85.40
1,000
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Presupuesto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SI8409ADB-T1-E1
Vishay / Siliconix
1:
S/4.16
6,000 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 78-SI8409ADB-T1-E1
Nuevo producto
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
6,000 En existencias
1
S/4.16
10
S/1.89
100
S/1.67
500
S/1.27
3,000
S/0.958
6,000
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1,000
S/1.09
6,000
S/0.829
9,000
S/0.72
24,000
S/0.685
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet - Power, N-Channel with ESD Protection,60V,853mA
NVNJWS1K6N061LTAG
onsemi
1:
S/3.50
2,100 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 863-VNJWS1K6N061LTAG
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet - Power, N-Channel with ESD Protection,60V,853mA
2,100 En existencias
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S/3.50
10
S/2.49
100
S/1.55
3,000
S/1.55
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Carrete :3,000
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Controladores de puertas Quad half-bridge gate driver
STDRIVE141TR
STMicroelectronics
1:
S/10.59
700 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 511-STDRIVE141TR
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STMicroelectronics
Controladores de puertas Quad half-bridge gate driver
700 En existencias
1
S/10.59
10
S/7.90
25
S/7.20
100
S/6.46
3,000
S/5.37
6,000
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S/6.11
500
S/5.96
1,000
S/5.68
6,000
S/5.25
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
FDMS8622-NC
onsemi
1:
S/7.63
2,065 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 863-FDMS8622-NC
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
2,065 En existencias
1
S/7.63
10
S/3.59
100
S/3.16
3,000
S/3.16
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQM120P04-04L_NE3
Vishay Semiconductors
1:
S/16.04
700 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 78-SQM120P04-04L_NE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
700 En existencias
1
S/16.04
10
S/10.51
100
S/7.86
500
S/6.58
800
Ver
800
S/6.07
2,400
S/5.64
5,600
S/5.14
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IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
AFGB30T65RQDN
onsemi
1:
S/18.22
666 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 863-AFGB30T65RQDN
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onsemi
IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
666 En existencias
1
S/18.22
10
S/11.95
800
S/11.95
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Máx.: 67
Carrete :800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
360°
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NVMFD5877NLWFT1G-UM
onsemi
1:
S/7.20
945 En existencias
1,500 Se espera el 29/12/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 863-FD5877NLWFT1G-UM
Nuevo producto
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
945 En existencias
1,500 Se espera el 29/12/2026
1
S/7.20
10
S/3.89
100
S/2.97
1,500
S/2.97
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Carrete :1,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1:
S/10.16
828 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 863-NVTFS5C453NLETAG
Nuevo producto
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
828 En existencias
1
S/10.16
10
S/6.50
1,500
S/6.50
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Carrete :1,500
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Sintonizadores Low Power Software Defined Radio (SDR) Tuner
CMX918Q5
CML Micro
1:
S/25.42
150 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 226-CMX918Q5-R701
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CML Micro
Sintonizadores Low Power Software Defined Radio (SDR) Tuner
150 En existencias
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Carrete :100
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package
STH4N150-2AG
STMicroelectronics
1:
S/22.15
350 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-STH4N150-2AG
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package
350 En existencias
1
S/22.15
10
S/14.52
100
S/10.70
500
S/9.69
1,000
S/8.17
2,000
Ver
2,000
S/7.98
5,000
S/7.63
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Carrete :1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQD50P06-15L_NE3
Vishay Semiconductors
1:
S/9.93
1,562 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 78-SQD50P06-15L_NE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
1,562 En existencias
1
S/9.93
10
S/6.31
100
S/4.28
500
S/3.44
1,000
Ver
1,000
S/3.22
2,000
S/2.73
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Máx.: 2,000
Amplificador de RF 40 dB Gain, 25 dBm IP3, 0.8 dB NF, 11 dBm P1dB, 1 GHz to 2 GHz, Low Noise High Gain Amplifier SMA
PE15A1019
Pasternack
1:
S/5,835.95
4 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 28-PE15A1019
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Pasternack
Amplificador de RF 40 dB Gain, 25 dBm IP3, 0.8 dB NF, 11 dBm P1dB, 1 GHz to 2 GHz, Low Noise High Gain Amplifier SMA
4 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 100A SM SCHOTTKY
VS-100BGQ100HN4
Vishay
1:
S/32.74
1,837 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 78-VS-100BGQ100HN4
Nuevo producto
Vishay
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 100A SM SCHOTTKY
1,837 En existencias
1
S/32.74
10
S/23.04
100
S/15.61
1,000
S/14.83
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Detalles
Amplificador de RF 2.5 dB NF, 22 dBm P1dB, 6 GHz to 18 GHz, Low Noise Broadband Amplifier, 38 dB Gain, 30 dBm IP3, SMA
PE15A3259
Pasternack
1:
S/10,382.97
1 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 28-PE15A3259
Nuevo producto
Pasternack
Amplificador de RF 2.5 dB NF, 22 dBm P1dB, 6 GHz to 18 GHz, Low Noise Broadband Amplifier, 38 dB Gain, 30 dBm IP3, SMA
1 En existencias
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
iS15M2R5S1T-100B
iDEAL Semiconductor
1:
S/29.62
50 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 25-IS15M2R5S1T-100B
Nuevo producto
iDEAL Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
50 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/29.62
10
S/21.21
500
S/17.44
1,000
S/14.40
2,500
S/14.01
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Detalles
