Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISC037N12NM6ATMA1
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Rectificadores y diodos Schottky 1A,200V,SMF,TRENCH SKY RECT
V1F22HM3_A/I
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Rectificadores y diodos Schottky 1A,200V,SMF,TRENCH SKY RECT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
SIHFR9024TRL-GE3
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.
V10P22HM3_A/H
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.
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Módulos de Diodos Modules Rectifiers - IAP Ultrafast
VS-VSKDF400/06PBF
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Módulos de Diodos Modules Rectifiers - IAP Ultrafast
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
SIHF520S-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
SIHFR9024-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
SIHFU1N60A-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 58A
SIRA14DDP-T1-GE3
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Rectificadores y diodos Schottky 5A, 40V, DFN3820A SKY RECT
SS5N42HM3/I
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Rectificadores y diodos Schottky 5A, 40V, DFN3820A SKY RECT
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky - POWIRTAB
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky - POWIRTAB
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Rectificadores y diodos Schottky 25A,45V,HIGH BARRIER HT SKY RECT,TO263
MBRB25H45CTHM3/I
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Rectificadores y diodos Schottky 25A,45V,HIGH BARRIER HT SKY RECT,TO263
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
SIHFU220-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
SIHFU420-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
2,951 En existencias
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S/1.30
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Rectificadores y diodos Schottky 2A, 200V, SMP TRENCH SKY RECT.
V2P22LHM3_A/I
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Rectificadores y diodos Schottky 2A, 200V, SMP TRENCH SKY RECT.
9,195 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 100A SM SCHOTTKY
VS-100BGQ100HN4
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 100A SM SCHOTTKY
206 En existencias
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S/32.74
10
S/23.04
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Rectificadores y diodos Schottky 8A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.
V8P22HM3_A/H
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Rectificadores y diodos Schottky 8A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.
2,926 En existencias
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S/7.08
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
SIHF620S-GE3
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N.º de artículo de Mouser 78-SIHF620S-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
881 En existencias
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S/1.65
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
SIHFBC30AL-GE3
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N.º de artículo de Mouser 78-SIHFBC30AL-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
995 En existencias
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S/8.25
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S/5.18
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S/3.41
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S/2.40
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S/2.20
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S/2.06
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
SIHFR9220TR-GE3
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N.º de artículo de Mouser 78-SIHFR9220TR-GE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
1,920 En existencias
1
S/6.31
10
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S/1.32
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Rectificadores y diodos Schottky 1A, 200V, MicroSMP TRENCH SKY RECT.
V1P22HM3_A/H
Vishay
1:
S/3.50
4,805 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 78-V1P22HM3_A/H
Nuevo producto
Vishay
Rectificadores y diodos Schottky 1A, 200V, MicroSMP TRENCH SKY RECT.
4,805 En existencias
1
S/3.50
10
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S/0.697
2,500
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9,000
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S/0.381
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Carrete :4,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQS146ELNW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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17,788 En existencias
N.º de artículo de Mouser 78-SQS146ELNW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
17,788 En existencias
1
S/5.45
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S/3.16
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6,000
S/1.16
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S/1.09
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Carrete :3,000
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System on a Chip (SoC) RF FG23, Sub-GHz, 512kB Flash, 64kB RAM, +20 dBm, QFN40
EFR32FG23A020F512GM40-C
Silicon Labs
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N.º de artículo de Mouser 634-FG23A20F512GM40C
Silicon Labs
System on a Chip (SoC) RF FG23, Sub-GHz, 512kB Flash, 64kB RAM, +20 dBm, QFN40
1,902 En existencias
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S/27.87
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S/16.15
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 40V 31.7A
SISS10ADN-T1-BE3
Vishay
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S/7.98
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N.º de artículo de Mouser 78-SISS10ADN-T1-BE3
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 40V 31.7A
5,820 En existencias
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S/2.23
6,000
S/1.75
9,000
S/1.74
24,000
S/1.67
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Circuitos integrados de interruptores de RF SPDT, 26.5 GHz, Absorptive, 50? Instrumentation Switch
PE42522B-X
pSemi
1:
S/88.17
1,537 En existencias
N.º de artículo de Mouser 81-PE42522B-X
pSemi
Circuitos integrados de interruptores de RF SPDT, 26.5 GHz, Absorptive, 50? Instrumentation Switch
1,537 En existencias
1
S/88.17
10
S/70.49
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S/64.19
500
S/55.04
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
