Transistores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET 174En existencias
Cinta cortada
S/ 76.68
S/ 58.43
S/ 47.37
Envase tipo carrete
S/ 47.37
Min.: 1
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: 200
MOSFETs Si SMD/SMT ACEPACK SMIT-9 N-Channel

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor 10,712En existencias
S/ 16.00
S/ 9.23
S/ 7.05
S/ 6.11
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Min.: 1
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa 760En existencias
S/ 129.11
S/ 92.88
S/ 88.44
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH 41,915En existencias
Cinta cortada
S/ 7.94
S/ 3.86
S/ 3.37
S/ 2.69
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Envase tipo carrete
S/ 2.22
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: 4,000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp 4,235En existencias
S/ 25.69
S/ 17.94
S/ 16.00
S/ 14.60
S/ 14.40
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET 2,338En existencias
Cinta cortada
S/ 17.94
S/ 9.23
S/ 8.37
S/ 7.16
Envase tipo carrete
S/ 6.73
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor 3,425En existencias
Cinta cortada
S/ 33.28
S/ 23.98
S/ 21.64
S/ 20.47
Envase tipo carrete
S/ 20.47
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5) N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 1,523En existencias
S/ 60.57
S/ 42.86
S/ 39.66
S/ 39.63
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 480En existencias
S/ 170.92
S/ 145.31
S/ 140.79
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH 3,053En existencias
Cinta cortada
S/ 16.78
S/ 10.04
S/ 8.17
S/ 6.85
Envase tipo carrete
S/ 6.50
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN power transistor 4,522En existencias
Cinta cortada
S/ 7.36
S/ 4.55
S/ 2.99
S/ 2.35
Envase tipo carrete
S/ 1.70
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Min.: 1
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: 2,500
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK 3,759En existencias
Cinta cortada
S/ 8.84
S/ 5.61
S/ 3.78
S/ 3.06
Envase tipo carrete
S/ 2.56
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 2,603En existencias
Cinta cortada
S/ 10.12
S/ 5.80
S/ 4.44
S/ 3.71
Envase tipo carrete
S/ 3.19
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Min.: 1
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: 3,000
MOSFETs Si
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) H VL fast-switching 4,639En existencias
S/ 11.52
S/ 6.70
S/ 5.06
S/ 4.13
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Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package 1,792En existencias
Cinta cortada
S/ 10.86
S/ 5.37
S/ 4.83
S/ 3.88
Envase tipo carrete
S/ 3.43
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp 21,229En existencias
Cinta cortada
S/ 8.49
S/ 4.13
S/ 3.67
S/ 2.92
S/ 2.71
Envase tipo carrete
S/ 2.43
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte 5,125En existencias
Cinta cortada
S/ 7.75
S/ 3.71
S/ 3.32
S/ 2.63
Envase tipo carrete
S/ 2.38
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A 3,339En existencias
S/ 11.13
S/ 5.22
S/ 4.71
S/ 4.01
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected 3,778En existencias
Cinta cortada
S/ 10.04
S/ 4.94
S/ 4.44
S/ 3.53
S/ 3.34
Envase tipo carrete
S/ 3.04
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT 2,872En existencias
S/ 9.65
S/ 4.71
S/ 4.24
S/ 3.37
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Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed 535En existencias
S/ 32.93
S/ 19.11
S/ 16.08
S/ 15.38
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs 600V 65A N-Channel 953En existencias
S/ 67.89
S/ 41.96
S/ 39.66
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in 495En existencias
S/ 39.12
S/ 24.33
S/ 19.93
S/ 19.35
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT 416En existencias
S/ 32.04
S/ 20.28
S/ 17.05
S/ 16.54
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i 905En existencias
Cinta cortada
S/ 22.58
S/ 11.83
S/ 10.78
S/ 9.73
Envase tipo carrete
S/ 9.15
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel