Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
SH63N65DM6AG
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MOSFETs
Si
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ACEPACK SMIT-9
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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BU508AF
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
NPN
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
STE145N65M5
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MOSFET Modules
Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH
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STN1NK80Z
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SOT-223-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FD
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TO-220-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD54008L-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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RF MOSFETs
Si
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PowerFLAT (5x5)
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
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PowerSO-10RF-Formed-4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD57030-E
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PowerSO-10RF-Formed-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
STL10LN80K5
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PowerFLAT-5x6-VHV-8
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN power transistor
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STLD128DNT4
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN power transistor
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
STD7N52K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 1.3 m? typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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STL210N4F7
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) H VL fast-switching
BUL743
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) H VL fast-switching
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB28N60M2
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp
STD35NF06LT4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
STD3N80K5
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
STD3NK80Z-1
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511-STD3NK80Z-1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
STD5N95K5
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511-STD5N95K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
STGF7NB60SL
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511-STGF7NB60SL
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IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
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IGBTs
Si
Through Hole
TO-220-3 FP
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
STGWA40H120F2
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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IGBTs
Si
Through Hole
IGBTs 600V 65A N-Channel
STGY50NC60WD
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1:
S/ 67.89
953 En existencias
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511-STGY50NC60WD
STMicroelectronics
IGBTs 600V 65A N-Channel
953 En existencias
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IGBTs
Si
Through Hole
Max247-3
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
STGYA120M65DF2AG
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1:
S/ 39.12
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N.º de artículo de Mouser
511-STGYA120M65DF2AG
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
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IGBTs
Si
Through Hole
Max247-3
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
STGYA50H120DF2
STMicroelectronics
1:
S/ 32.04
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N.º de artículo de Mouser
511-STGYA50H120DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
416 En existencias
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IGBTs
Si
Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
1:
S/ 22.58
905 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
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Carrete :
1,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel