GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT140R70ILB
STMicroelectronics
1:
S/19.73
637 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-SGT140R70ILB
Nuevo producto
STMicroelectronics
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
637 En existencias
1
S/19.73
10
S/14.09
100
S/10.59
500
S/10.20
1,000
Ver
3,000
S/7.32
1,000
S/8.64
3,000
S/7.32
9,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
GaN FETs
GaN
SMD/SMT
PowerFLAT-8
Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 40 V, 3 A Schottky rectifier in SOD128Flat package
LEO1N5822AF
STMicroelectronics
1:
S/53.72
283 En existencias
500 Se espera el 14/08/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-LEO1N5822AF
Nuevo producto
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Rad-hard 40 V, 3 A Schottky rectifier in SOD128Flat package
283 En existencias
500 Se espera el 14/08/2026
1
S/53.72
10
S/40.91
100
S/34.10
500
S/28.96
1,000
S/28.38
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :500
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
SOD-128-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
STMicroelectronics
1:
S/27.52
438 En existencias
600 Se espera el 8/09/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-STWA60N028T
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
438 En existencias
600 Se espera el 8/09/2026
1
S/27.52
10
S/18.41
100
S/14.79
600
S/13.16
1,200
Ver
1,200
S/10.82
3,000
S/10.70
5,400
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
STPST5H100SF
STMicroelectronics
1:
S/2.41
11,061 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPST5H100SF
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
11,061 En existencias
1
S/2.41
10
S/1.84
100
S/1.32
500
S/1.14
6,000
S/0.829
12,000
Ver
1,000
S/1.00
12,000
S/0.814
24,000
S/0.779
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
TO-277A-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD54008L-E
STMicroelectronics
1:
S/33.28
3,649 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD54008L-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
3,649 En existencias
1
S/33.28
10
S/23.94
100
S/21.64
500
S/21.60
1,000
S/20.47
3,000
S/18.68
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55003-E
STMicroelectronics
1:
S/44.18
5,874 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55003-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
5,874 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/44.18
10
S/30.75
100
S/28.34
400
S/28.06
1,200
Ver
1,200
S/27.95
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
STL57N65M5
STMicroelectronics
1:
S/48.23
2,439 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL57N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
2,439 En existencias
1
S/48.23
10
S/32.31
100
S/27.87
500
S/27.36
1,000
S/23.20
3,000
S/22.77
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
STGIK10M120T
STMicroelectronics
1:
S/175.05
63 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGIK10M120T
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
63 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIPHP-30
Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
360°
+6 imágenes
STPSC40G12WL
STMicroelectronics
1:
S/59.56
533 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPSC40G12WL
STMicroelectronics
Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
533 En existencias
1
S/59.56
10
S/45.31
100
S/37.68
600
S/33.59
1,200
Ver
1,200
S/28.61
3,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SiC Schottky Diodes
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
S/17.94
2,389 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2,389 En existencias
1
S/17.94
10
S/11.83
100
S/8.37
500
S/7.16
2,500
S/5.84
5,000
Ver
5,000
S/5.80
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
1:
S/68.16
1,332 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1,332 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/68.16
10
S/45.35
100
S/42.58
400
S/42.55
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
S/5.92
41,533 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41,533 En existencias
1
S/5.92
10
S/3.74
100
S/2.48
500
S/1.94
3,000
S/1.35
6,000
Ver
1,000
S/1.77
6,000
S/1.34
9,000
S/1.32
24,000
S/1.29
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/79.41
174 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
174 En existencias
1
S/79.41
10
S/56.71
100
S/41.38
200
S/41.38
400
S/41.34
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :200
Detalles
MOSFETs
Si
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 33 V TVS
SM50T39AY
STMicroelectronics
1:
S/5.80
2,364 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SM50T39AY
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 33 V TVS
2,364 En existencias
1
S/5.80
10
S/4.16
100
S/3.47
500
S/3.34
2,500
S/3.11
5,000
Ver
1,000
S/3.21
5,000
S/2.98
10,000
S/2.97
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
STPSC20G12WLY
STMicroelectronics
1:
S/48.58
571 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPSC20G12WLY
STMicroelectronics
Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
571 En existencias
1
S/48.58
10
S/29.12
100
S/23.12
600
S/21.64
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SiC Schottky Diodes
Through Hole
DO-247-2
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
STPST5H100SBY-TR
STMicroelectronics
1:
S/4.01
9,415 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPST5H100SBY-TR
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
9,415 En existencias
1
S/4.01
10
S/2.66
100
S/2.05
500
S/1.72
1,000
S/1.57
2,500
S/1.30
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
STPST8H100SFY
STMicroelectronics
1:
S/3.81
5,567 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STPST8H100SFY
STMicroelectronics
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
5,567 En existencias
1
S/3.81
10
S/2.50
100
S/1.88
500
S/1.57
6,000
S/1.23
12,000
Ver
1,000
S/1.39
2,500
S/1.38
12,000
S/1.11
24,000
S/1.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :6,000
Detalles
Schottky Diodes & Rectifiers
Si
SMD/SMT
TO-277A-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1:
S/72.48
500 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW65N023M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
500 En existencias
1
S/72.48
10
S/45.19
120
S/39.98
510
S/36.98
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
TN1605H-8G-TR
STMicroelectronics
1:
S/8.33
3,994 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-TN1605H-8G-TR
STMicroelectronics
SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
3,994 En existencias
1
S/8.33
10
S/5.33
100
S/3.59
500
S/2.85
1,000
S/2.55
2,000
Ver
2,000
S/2.18
10,000
S/2.16
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
SCRs
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
TN3050HP-12L2Y
STMicroelectronics
1:
S/19.73
526 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-TN3050HP-12L2Y
STMicroelectronics
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
526 En existencias
1
S/19.73
10
S/16.15
100
S/13.97
600
S/12.30
1,200
S/11.29
2,400
Ver
2,400
S/10.98
24,600
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :600
Detalles
SCRs
SMD/SMT
HUPAK-9
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 25A, Ultrafast diode
+1 imagen
STTH25M06B-TR
STMicroelectronics
1:
S/6.89
46,525 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STTH25M06B-TR
STMicroelectronics
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 25A, Ultrafast diode
46,525 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.89
10
S/4.16
100
S/3.08
500
S/2.55
2,500
S/1.92
5,000
Ver
1,000
S/2.27
5,000
S/1.86
25,000
S/1.79
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
BU508AF
STMicroelectronics
1:
S/16.00
11,068 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BU508AF
N.º de artículo de Mouser 511-BU508AF
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
11,068 En existencias
1
S/16.00
10
S/8.41
100
S/6.50
600
S/6.31
1,200
S/5.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
SM15T39CAY
STMicroelectronics
1:
S/5.72
47,393 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SM15T39CAY
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
47,393 En existencias
1
S/5.72
10
S/4.13
100
S/2.85
500
S/2.26
2,500
S/1.82
5,000
Ver
1,000
S/2.04
5,000
S/1.71
10,000
S/1.65
25,000
S/1.61
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
SMC (DO-214AB)
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
STE145N65M5
STMicroelectronics
1:
S/118.64
760 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STE145N65M5
STMicroelectronics
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
760 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFET Modules
Si
Screw Mount
ISOTOP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
1:
S/11.64
19,971 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
19,971 En existencias
1
S/11.64
10
S/7.55
100
S/5.22
500
S/4.20
3,000
S/3.38
6,000
Ver
1,000
S/3.97
6,000
S/3.34
9,000
S/3.32
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Perú
