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Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/27.52
308En existencias
1,200En pedido
Nuevo producto

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STWA60N028T

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511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

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308En existencias

1,200En pedido

S/27.52

S/18.41

S/14.79

S/13.16

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

SH63N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/76.68
174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH63N65DM6AG

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511-SH63N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

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S/76.68

S/58.43

S/46.71

Envase tipo carrete

S/46.71

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: 200

MOSFETs

SMD/SMT

ACEPACK SMIT-9

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/79.41
172En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH68N65DM6AG

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511-SH68N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

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S/79.41

S/50.64

S/47.25

Envase tipo carrete

S/47.25

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: 200

MOSFETs

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 33 V TVS

SM50T39AY
STMicroelectronics
1: S/9.11
2,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SM50T39AY

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511-SM50T39AY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 33 V TVS

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S/9.11

S/5.06

S/4.28

S/3.60

Envase tipo carrete

S/2.90

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,500

Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode

STPSC20G12WLY
STMicroelectronics
1: S/48.58
561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPSC20G12WLY

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511-STPSC20G12WLY

STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode

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S/48.58

S/26.78

S/25.07

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SiC Schottky Diodes

Through Hole

DO-247-2

Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier

STPST5H100SBY-TR
STMicroelectronics
1: S/5.33
9,415En existencias

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STPST5H100SBY-TR

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511-STPST5H100SBY-TR

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier

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S/5.33

S/2.50

S/2.21

S/1.72

Envase tipo carrete

S/1.35

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Mult.: 1

: 2,500

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier

STPST8H100SFY
STMicroelectronics
1: S/5.22
5,532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPST8H100SFY

N.º de artículo de Mouser
511-STPST8H100SFY

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier

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5,532En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/2.45

S/2.14

S/1.69

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Envase tipo carrete

S/1.21

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 6,000

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

TO-277A-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1: S/72.67
459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N023M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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459En existencias

S/72.67

S/41.92

S/41.88

S/38.34

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1: S/40.60
532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N045M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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532En existencias

S/40.60

S/22.23

S/21.68

S/19.00

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 20 V TVS

SM50T23AY
STMicroelectronics
1: S/9.03
2,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SM50T23AY

N.º de artículo de Mouser
511-SM50T23AY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 20 V TVS

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S/9.03

S/5.06

S/4.28

S/3.60

Envase tipo carrete

S/2.90

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier

STPST5H100SF
STMicroelectronics
1: S/3.81
11,021En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPST5H100SF

N.º de artículo de Mouser
511-STPST5H100SF

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier

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S/3.81

S/1.87

S/1.54

S/1.26

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Envase tipo carrete

S/0.852

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

Schottky Diodes & Rectifiers

SMD/SMT

TO-277A-3

Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

STPSC40G12WL
STMicroelectronics
1: S/59.40
533En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPSC40G12WL

N.º de artículo de Mouser
511-STPSC40G12WL

STMicroelectronics

Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

Hoja de datos

533En existencias

S/59.40

S/45.23

S/37.68

S/33.28

S/31.33

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor

BU508AF
STMicroelectronics
1: S/16.00
11,055En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BU508AF

N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor

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S/16.00

S/9.07

S/7.05

S/6.11

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Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

Through Hole

ISOWATT-218FX-3

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI

SM15T39CAY
STMicroelectronics
1: S/4.40
47,268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SM15T39CAY

N.º de artículo de Mouser
511-SM15T39CAY

STMicroelectronics

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI

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47,268En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/3.27

S/2.71

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMC (DO-214AB)

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

STE145N65M5
STMicroelectronics
1: S/126.58
760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE145N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STE145N65M5

STMicroelectronics

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

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760En existencias

S/126.58

S/92.88

S/88.44

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

ISOTOP

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

STL8N10F7
STMicroelectronics
1: S/5.96
38,107En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL8N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL8N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3

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38,107En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/2.79

S/2.49

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: S/17.94
2,358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Hoja de datos

2,358En existencias

Cinta cortada

S/17.94

S/9.23

S/8.37

S/7.16

Envase tipo carrete

S/6.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD54008L-E
STMicroelectronics
1: S/33.28
3,430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

3,430En existencias

Cinta cortada

S/33.28

S/23.98

S/21.64

S/20.16

Envase tipo carrete

S/20.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: S/44.18
5,097En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

5,097En existencias

S/44.18

S/30.75

S/29.58

S/27.56

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

STL57N65M5
STMicroelectronics
1: S/49.40
2,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

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Hoja de datos

2,434En existencias

Cinta cortada

S/49.40

S/28.30

S/27.91

S/27.36

S/25.50

Envase tipo carrete

S/25.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: S/60.57
1,533En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

1,533En existencias

S/60.57

S/42.86

S/39.66

S/39.63

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: S/68.16
1,322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

1,322En existencias

S/68.16

S/48.54

S/44.37

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

STL36DN6F7
STMicroelectronics
1: S/5.92
41,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL36DN6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

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Hoja de datos

41,498En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/2.79

S/2.48

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.52

S/1.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Rectificadores y diodos Schottky Auto Hi Vltg pwr 2 x 100A 170V 0.63VF

STPS200170TV1Y
STMicroelectronics
1: S/111.01
3,284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STPS200170TV1Y

N.º de artículo de Mouser
511-STPS200170TV1Y

STMicroelectronics

Rectificadores y diodos Schottky Auto Hi Vltg pwr 2 x 100A 170V 0.63VF

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Hoja de datos

3,284En existencias

S/111.01

S/72.60

Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers

Screw Mount

ISOTOP

Rectificadores Automotive 600 V, 30 A Soft Ultrafast Diode

STTH30RQ06WY
STMicroelectronics
1: S/14.99
1,463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STTH30RQ06WY

N.º de artículo de Mouser
511-STTH30RQ06WY

STMicroelectronics

Rectificadores Automotive 600 V, 30 A Soft Ultrafast Diode

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Hoja de datos

1,463En existencias

S/14.99

S/8.87

S/6.93

S/5.45

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Min.: 1
Mult.: 1

Rectifiers

Through Hole

DO-247-2

Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

BJTs - Bipolar Transistors
Bridge Rectifiers
Darlington Transistors
Diacs
Digital Transistors
GaN FETs
IGBT Modules
IGBT Transistors
IGBTs
Intelligent Power Modules - IPMs
MOSFET Modules
MOSFETs
RF Bipolar Transistors
RF MOSFETs
Rectifiers
SCRs
Schottky Diodes & Rectifiers
SiC MOSFETS
SiC Schottky Diodes
Small Signal Switching Diodes

0201 (0603 metric)
0603 (1610 metric)
1610 (4027 metric)
56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
CDIPB-26L
Case DR-91
D-PAK