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MOSFETs de SiC

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Resultados: 54

Filtros aplicados:

Marca = Valores múltiples

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A SCT019HU120G3AG STMicroelectronics 1: S/ 81.82 2En existencias 600Se espera el 23/07/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SCT019HU120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT019HU120G3AG Nuevo producto	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	2En existencias 600Se espera el 23/07/2027	Cinta cortada S/ 81.82 S/ 61.11 S/ 52.86 Envase tipo carrete S/ 50.06	Min.: 1 Mult.: 1 : 600														AEC-Q100
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: S/ 86.69 1,259En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT020HU120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT020HU120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1,259En existencias	Cinta cortada S/ 86.69 S/ 64.73 S/ 56.01 Envase tipo carrete S/ 53.02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: S/ 94.63 558En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT012W90G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	558En existencias	S/ 94.63 S/ 75.75 S/ 65.51 S/ 62.05 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/ 107.90 443En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT015W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	443En existencias	S/ 107.90 S/ 86.37 S/ 74.70 S/ 70.73 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/ 77.93 181En existencias 600En pedido	N.º de artículo del Fabricante SCT020W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	181En existencias 600En pedido	S/ 77.93 S/ 46.17	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: S/ 52.98 448En existencias 1,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SCT027H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	448En existencias 1,000En pedido	Cinta cortada S/ 52.98 S/ 30.13 S/ 30.05 Envase tipo carrete S/ 28.42	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics 1: S/ 55.04 187En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT027W65G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT027W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	187En existencias	S/ 55.04 S/ 36.86 S/ 34.18 S/ 29.08	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	60 A	29 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	51 nC	- 55 C	+ 200 C	313 W	Enhancement	AEC-Q100
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: S/ 51.69 823En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040H120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	823En existencias	Cinta cortada S/ 51.69 S/ 38.50 S/ 32.11 S/ 28.61 Envase tipo carrete S/ 26.70	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/ 54.46 611En existencias 600Se espera el 30/07/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	611En existencias 600Se espera el 30/07/2027	S/ 54.46 S/ 41.49 S/ 34.57 S/ 30.83 S/ 28.77	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q100
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: S/ 43.95 457En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040W65G3-4 N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	457En existencias	S/ 43.95 S/ 24.02 S/ 21.99	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: S/ 51.69 429En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040W65G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	429En existencias	S/ 51.69 S/ 38.50 S/ 32.11 S/ 28.61 S/ 26.70	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: S/ 39.12 1,394En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT055TO65G3 N.º de artículo de Mouser 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	1,394En existencias	Cinta cortada S/ 39.12 S/ 26.70 S/ 22.03 S/ 19.62 S/ 18.37 Envase tipo carrete S/ 18.37	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: S/ 73.76 43En existencias 600En pedido	N.º de artículo del Fabricante SCT025W120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	43En existencias 600En pedido	S/ 73.76 S/ 45.89 S/ 43.05	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/ 53.72 20En existencias 1,200En pedido	N.º de artículo del Fabricante SCT070W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Hoja de datos	20En existencias 1,200En pedido	S/ 53.72 S/ 35.89 S/ 33.75 S/ 30.28 S/ 28.45	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: S/ 51.23 513En existencias 1,000Se espera el 2/07/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	513En existencias 1,000Se espera el 2/07/2027	Cinta cortada S/ 51.23 S/ 38.19 S/ 31.80 S/ 28.34 Envase tipo carrete S/ 26.51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: S/ 64.07 5En existencias 1,000Se espera el 24/09/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT018H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	5En existencias 1,000Se espera el 24/09/2027	Cinta cortada S/ 64.07 S/ 38.42 Envase tipo carrete S/ 35.89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: S/ 77.93 9En existencias 1,200En pedido	N.º de artículo del Fabricante SCT025W120G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	9En existencias 1,200En pedido	S/ 77.93 S/ 50.60 S/ 44.76 S/ 41.18	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: S/ 43.67 8En existencias 1,800Se espera el 5/02/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040TO65G3 N.º de artículo de Mouser 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	8En existencias 1,800Se espera el 5/02/2027	Cinta cortada S/ 43.67 S/ 30.87 S/ 25.69 S/ 22.93 S/ 21.41 Envase tipo carrete S/ 21.41	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: S/ 54.46 6En existencias 600Se espera el 29/10/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040W120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	6En existencias 600Se espera el 29/10/2027	S/ 54.46 S/ 41.49 S/ 34.57 S/ 30.83 S/ 28.77	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A SCT011H75G3AG STMicroelectronics 1: S/ 109.61 988En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SCT011H75G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT011H75G3AG Nuevo producto	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A	Hoja de datos	988En pedido	Cinta cortada S/ 109.61 S/ 87.74 S/ 75.86 S/ 71.86 Envase tipo carrete S/ 67.11	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000														AEC-Q100
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: S/ 120.01 1,200Se espera el 6/08/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT011HU75G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT011HU75G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1,200Se espera el 6/08/2027	Cinta cortada S/ 120.01 S/ 96.07 S/ 83.07 Envase tipo carrete S/ 78.67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: S/ 104.98 1,800En pedido	N.º de artículo del Fabricante SCT016H120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT016H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1,800En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SCT016H120G3AG Existencias: 0 En pedido: 800 Se espera el 30/04/2027 1,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 25 Semanas	Cinta cortada S/ 104.98 S/ 84.04 S/ 72.67 S/ 68.82 Envase tipo carrete S/ 64.30 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: S/ 71.47 1,997Se espera el 11/06/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT025H120G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	1,997Se espera el 11/06/2027	Cinta cortada S/ 71.47 S/ 44.26 S/ 43.67 Envase tipo carrete S/ 40.33	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: S/ 89.76 998Se espera el 4/06/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT012H90G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	998Se espera el 4/06/2027	Cinta cortada S/ 89.76 S/ 58.27 S/ 58.15 S/ 54.96 Envase tipo carrete S/ 51.34	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics 1: S/ 72.71 600Se espera el 5/11/2027	N.º de artículo del Fabricante SCT018W65G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT018W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package	Hoja de datos	600Se espera el 5/11/2027	S/ 72.71 S/ 55.39 S/ 46.17 S/ 38.42	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	77 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q101