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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
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IPN60R1K0PFD7SATMA1

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726-IPN60R1K0PFD7SAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.32
5,693En existencias

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IPN60R360PFD7SATMA1

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726-IPN60R360PFD7SAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.57
26,980En existencias

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IPN60R600PFD7SATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.70
778En existencias
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IPAN60R180P7SXKSA1

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726-IPAN60R180P7SXKS

NRND

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S/10.70

S/5.25

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IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.05
2,927En existencias

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IPD60R280P7SAUMA1

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726-IPD60R280P7SAUMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.99
996En existencias
2,500Se espera el 24/09/2026
NRND

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IPD60R1K0PFD7SAUMA1

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726-IPD60R1K0PFD7SAU

NRND

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S/5.99

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S/2.44

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S/1.37

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0902NS
Infineon Technologies
1: S/7.16
79En existencias
15,000Se espera el 15/10/2026

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BSZ0902NS

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726-BSZ0902NS

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ESD150B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.779
69,387En existencias

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ESD150B1W0201E6327XTSA1

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726-D150B1W0201E6327

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S/0.779

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S/0.265

S/0.218

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S/0.105

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD131B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.09
407,282En existencias
390,000Se espera el 31/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
ESD131B1W0201E6327XTSA1

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726-ESD131B1W0201E63

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S/0.148

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD133B1W01005E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.856
4,648En existencias

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ESD133B1W01005E6327XTSA1

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726-ESD133B1W01005E6

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S/0.856

S/0.374

S/0.30

S/0.237

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S/0.109

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD249B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.779
389En existencias
15,000Se espera el 12/11/2026

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ESD249B1W0201E6327XTSA1

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726-ESD249B1W0201E63

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S/0.779

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S/0.097

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD253B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.895
13,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ESD253B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD253B1W0201E63

Infineon Technologies

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S/0.895

S/0.393

S/0.323

S/0.253

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S/0.117

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD259B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.895
142En existencias
15,000Se espera el 8/09/2026

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ESD259B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD259B1W0201E63

Infineon Technologies

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142En existencias

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S/0.895

S/0.393

S/0.323

S/0.253

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S/0.117

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.38
2,445En existencias
17,500En pedido

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IPD60R360P7SAUMA1

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726-IPD60R360P7SAUMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/6.38

S/3.55

S/2.61

S/2.05

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.32
88En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/7.32

S/3.48

S/3.11

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.02

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.96
3,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/5.96

S/2.80

S/2.49

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.58

S/1.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.76
156En existencias
25,000Se espera el 7/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R600P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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156En existencias

25,000Se espera el 7/01/2027

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S/5.76

S/2.85

S/2.15

S/1.70

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
219En existencias
2,500Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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219En existencias

2,500Se espera el 15/10/2026

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S/6.93

S/3.97

S/2.92

S/2.22

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.85
4,613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K4P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/3.85

S/1.76

S/1.56

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.93

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC0702NLSATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.89
255En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC0702NLSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC0702NLSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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255En existencias

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S/6.89

S/3.27

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC0703NLSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.55
4,939En existencias
10,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC0703NLSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC0703NLSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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4,939En existencias

10,000Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/4.55

S/2.11

S/1.87

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISZ0703NLSATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
655En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISZ0703NLSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ0703NLSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

655En existencias

25,000En pedido

Cinta cortada

S/6.97

S/3.93

S/2.90

S/2.30

S/2.25

Envase tipo carrete

S/1.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A

BSL606SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.50
42,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSL606SNH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSL606SNH6327XTS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A

Hoja de datos

42,000En pedido

Cinta cortada

S/3.50

S/1.59

S/1.41

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.833

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.36
12,477Se espera el 15/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R900P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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12,477Se espera el 15/04/2027

Cinta cortada

S/4.36

S/2.48

S/1.82

S/1.49

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.96
16,975En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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16,975En pedido

Cinta cortada

S/5.96

S/2.79

S/2.49

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.55

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Mult.: 1

: 3,000

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