Resultados: 53
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 15,133En existencias
Cinta cortada
S/6.93
S/3.29
S/2.93
S/2.31
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Envase tipo carrete
S/1.81
Min.: 1
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: 5,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4,850En existencias
S/6.66
S/3.15
S/2.81
S/2.23
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Min.: 1
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 7,416En existencias
Cinta cortada
S/7.82
S/3.76
S/3.36
S/2.66
S/2.54
Envase tipo carrete
S/2.18
Min.: 1
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: 2,500
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3,531En existencias
Cinta cortada
S/12.81
S/6.38
S/5.76
S/4.67
S/4.59
Envase tipo carrete
S/4.24
Min.: 1
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: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 8,862En existencias
Cinta cortada
S/4.75
S/2.20
S/1.95
S/1.52
Envase tipo carrete
S/1.15
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: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 7,343En existencias
9,000Se espera el 3/12/2026
Cinta cortada
S/5.96
S/2.79
S/2.49
S/1.95
Envase tipo carrete
S/1.55
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Min.: 1
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: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 2,280En existencias
Cinta cortada
S/15.76
S/9.26
S/7.16
S/6.23
S/5.88
Envase tipo carrete
S/5.53
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3,752En existencias
Cinta cortada
S/12.07
S/5.99
S/5.41
S/4.36
S/4.28
Envase tipo carrete
S/3.93
Min.: 1
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: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A VSON-4 2,941En existencias
Cinta cortada
S/19.81
S/11.83
S/10.32
S/9.54
S/9.19
Envase tipo carrete
S/9.19
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS 2,661En existencias
Cinta cortada
S/16.19
S/8.25
S/7.47
S/6.23
Envase tipo carrete
S/5.88
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 6,299En existencias
Cinta cortada
S/13.86
S/6.97
S/6.11
S/5.10
S/4.98
Envase tipo carrete
S/4.75
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,649En existencias
S/7.82
S/3.75
S/3.36
S/2.75
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Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller 3,474En existencias
S/8.56
S/6.34
S/5.61
S/5.18
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Min.: 1
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4,655En existencias
Cinta cortada
S/8.72
S/5.45
S/3.59
S/2.85
Envase tipo carrete
S/2.22
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Min.: 1
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: 5,000
Infineon Technologies Controladores de conmutación MEDIUM POWER IC 4,925En existencias
Cinta cortada
S/10.94
S/10.12
S/9.30
S/8.37
Envase tipo carrete
S/7.20
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: 2,500
Infineon Technologies ESD134B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES 25,950En existencias
Cinta cortada
S/1.05
S/0.448
S/0.374
S/0.30
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Envase tipo carrete
S/0.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 15,000
Infineon Technologies Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES 928,640En existencias
Cinta cortada
S/1.09
S/0.475
S/0.413
S/0.304
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Envase tipo carrete
S/0.163
Min.: 1
Mult.: 1
: 15,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 80,782En existencias
Cinta cortada
S/5.88
S/2.76
S/2.45
S/1.91
S/1.83
Envase tipo carrete
S/1.35
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4,672En existencias
Cinta cortada
S/7.47
S/3.55
S/3.11
S/2.46
Envase tipo carrete
S/1.93
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 30,078En existencias
Cinta cortada
S/4.09
S/1.88
S/1.66
S/1.28
Envase tipo carrete
S/1.01
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 3,690En existencias
Cinta cortada
S/13.12
S/6.58
S/5.92
S/4.79
S/4.67
Envase tipo carrete
S/4.40
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 3,486En existencias
Cinta cortada
S/5.99
S/2.94
S/2.44
S/1.92
Envase tipo carrete
S/1.37
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5 18,950En existencias
Cinta cortada
S/8.87
S/4.32
S/3.85
S/3.06
S/2.98
Envase tipo carrete
S/2.83
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Máx.: 5,000
: 5,000
Infineon Technologies Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES 462,279En existencias
525,000Se espera el 30/11/2026
Cinta cortada
S/0.779
S/0.343
S/0.265
S/0.218
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Envase tipo carrete
S/0.113
Min.: 1
Mult.: 1
: 15,000
Infineon Technologies Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES 373,412En existencias
Cinta cortada
S/0.934
S/0.413
S/0.346
S/0.265
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Envase tipo carrete
S/0.128
Min.: 1
Mult.: 1
: 15,000