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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.08
4,868En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R360P7ATMA1

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726-IPD80R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/13.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.73
2,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/15.73

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S/7.16

S/6.11

S/5.88

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S/5.53

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R600PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.72
4,655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R600PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R600PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/8.72

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S/3.59

S/2.85

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S/2.22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A VSON-4

IPL65R130C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/18.37
2,981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R130C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R130C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A VSON-4

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S/18.37

S/10.70

S/9.89

S/9.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
4,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS

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S/2.81

S/2.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R195C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.19
2,671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R195C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R195C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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S/16.19

S/8.25

S/7.47

S/6.23

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S/5.84

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

IPL65R230C7
Infineon Technologies
1: S/13.86
6,299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R230C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R230C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

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S/6.97

S/6.11

S/5.10

S/4.98

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Controladores de conmutación MEDIUM POWER IC

XDPS2201XUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.47
4,940En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
XDPS2201XUMA1

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726-XDPS2201XUMA1

NRND

Infineon Technologies

Controladores de conmutación MEDIUM POWER IC

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S/10.12

S/9.30

S/8.37

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S/7.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.70
4,532En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R365P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R365P7AUMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/10.70

S/6.93

S/4.75

S/4.20

S/3.87

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S/3.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
1,659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

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726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/7.82

S/3.75

S/3.36

S/2.70

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD134B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.09
40,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ESD134B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD134B1W0201E63

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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S/1.09

S/0.475

S/0.374

S/0.30

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S/0.136

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: 15,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5

BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
22,134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC098N10NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC098N10NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5

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S/8.87

S/4.32

S/3.80

S/3.06

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S/2.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD131B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.09
720,750En existencias
405,000Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
ESD131B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD131B1W0201E63

Infineon Technologies

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720,750En existencias

405,000Se espera el 8/10/2026

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S/1.09

S/0.475

S/0.413

S/0.304

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Envase tipo carrete

S/0.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 15,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
32,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/4.09

S/1.88

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.02

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Min.: 1
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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.06
4,266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/5.06

S/2.36

S/2.10

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.28

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Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC160N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.61
7,508En existencias
30,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC160N15NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC160N15NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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7,508En existencias

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S/12.61

S/6.38

S/5.76

S/4.67

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S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 5,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD239B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.934
199,652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ESD239B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD239B1W0201E63

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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199,652En existencias

Cinta cortada

S/0.934

S/0.413

S/0.343

S/0.265

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Envase tipo carrete

S/0.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 15,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD245B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.701
89,655En existencias
90,000Se espera el 5/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
ESD245B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD245B1W0201E63

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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90,000Se espera el 5/11/2026

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S/0.701

S/0.30

S/0.218

S/0.183

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Envase tipo carrete

S/0.097

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 15,000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD246B1W01005E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/0.584
88,995En existencias
60,000Se espera el 4/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
ESD246B1W01005E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD246B1W01005E6

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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88,995En existencias

60,000Se espera el 4/02/2027

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S/0.584

S/0.296

S/0.218

S/0.179

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Envase tipo carrete

S/0.078

Min.: 1
Mult.: 1

: 15,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.56
7,164En existencias
7,500Se espera el 1/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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7,164En existencias

7,500Se espera el 1/04/2027

Cinta cortada

S/8.56

S/4.16

S/3.71

S/2.95

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
7,426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R900P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

S/7.82

S/3.76

S/3.36

S/2.66

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.11
7,561En existencias
3,000Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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7,561En existencias

3,000Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/16.11

S/8.68

S/7.86

S/6.66

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.81
3,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/12.81

S/6.38

S/5.76

S/4.67

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.07
3,752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R285P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/12.07

S/5.99

S/5.41

S/4.36

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.75
8,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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8,862En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.21

S/1.96

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.24

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