Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPLK60R600PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.68
4,655 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R600PFD7AT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,655 En existencias
1
S/8.68
10
S/5.41
100
S/3.58
500
S/2.84
5,000
S/2.22
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S/2.53
2,500
S/2.31
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A VSON-4
IPL65R130C7AUMA1
Infineon Technologies
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3,011 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R130C7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A VSON-4
3,011 En existencias
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1
S/22.42
10
S/14.79
100
S/11.56
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S/10.28
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S/9.19
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S/7.86
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R600P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,860 En existencias
1
S/6.66
10
S/3.15
100
S/2.81
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S/2.20
1,000
S/1.73
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
IPL65R195C7AUMA1
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2,671 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R195C7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
2,671 En existencias
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S/16.19
10
S/10.67
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S/7.47
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S/6.23
3,000
S/5.88
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
IPL65R230C7
Infineon Technologies
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6,349 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R230C7
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
6,349 En existencias
1
S/14.13
10
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S/6.42
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S/5.41
1,000
S/5.06
3,000
S/4.28
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
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S/15.88
2,630 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,630 En existencias
1
S/15.88
10
S/10.39
100
S/7.55
500
S/6.34
1,000
S/5.88
3,000
S/4.98
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Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
CYPD3174-24LQXQ
Infineon Technologies
1:
S/8.52
3,668 En existencias
N.º de artículo de Mouser 727-CYPD3174-24LQXQ
Infineon Technologies
Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
3,668 En existencias
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1
S/8.52
10
S/6.31
25
S/5.72
100
S/5.10
250
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250
S/4.83
500
S/4.63
1,000
S/4.48
2,500
S/4.36
4,900
S/4.16
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Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
CYPD3175-24LQXQ
Infineon Technologies
1:
S/8.41
7,347 En existencias
N.º de artículo de Mouser 727-CYPD3175-24LQXQ
Infineon Technologies
Interfaz IC USB USB Type-C Port Controller
7,347 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.41
10
S/6.23
25
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100
S/5.10
250
Ver
250
S/4.63
500
S/4.48
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S/4.40
2,500
S/4.32
4,900
S/4.16
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Controladores de conmutación MEDIUM POWER IC
XDPS2201XUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.29
4,970 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-XDPS2201XUMA1
NRND
Infineon Technologies
Controladores de conmutación MEDIUM POWER IC
4,970 En existencias
1
S/11.29
10
S/9.46
25
S/8.95
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S/8.41
2,500
S/6.97
5,000
Ver
250
S/8.14
500
S/7.94
1,000
S/7.75
5,000
S/6.89
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.60
4,532 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R365P7AUMA1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,532 En existencias
1
S/11.60
10
S/7.47
100
S/5.14
500
S/4.20
1,000
S/3.87
3,000
S/3.29
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/7.82
1,669 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R360P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1,669 En existencias
1
S/7.82
10
S/3.75
100
S/3.36
500
S/2.75
1,000
S/2.17
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
Infineon Technologies ESD134B1W0201E6327XTSA1
ESD134B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/1.13
41,469 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ESD134B1W0201E63
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
41,469 En existencias
1
S/1.13
10
S/0.658
100
S/0.397
500
S/0.346
1,000
Ver
15,000
S/0.136
1,000
S/0.241
2,500
S/0.21
5,000
S/0.195
10,000
S/0.144
15,000
S/0.136
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Carrete :15,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.51
3 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R1K0PFD7AT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
3 En existencias
1
S/7.51
10
S/4.71
100
S/3.09
500
S/2.46
1,000
Ver
5,000
S/1.85
1,000
S/2.18
2,500
S/2.08
5,000
S/1.85
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Carrete :5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.87
23,380 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC098N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
23,380 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.87
10
S/5.64
100
S/3.85
500
S/3.06
1,000
Ver
5,000
S/2.58
1,000
S/2.73
2,500
S/2.69
5,000
S/2.58
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.12
4,908 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4,908 En existencias
1
S/13.12
10
S/8.52
100
S/5.92
500
S/4.79
1,000
S/4.67
2,500
S/4.40
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
BSC160N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.77
10,664 En existencias
17,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC160N15NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
10,664 En existencias
17,500 En pedido
Ver fechas
Existencias:
10,664 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,500 Se espera el 21/08/2026
15,000 Se espera el 5/08/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/12.77
10
S/8.33
100
S/5.76
500
S/4.67
1,000
Ver
5,000
S/4.52
1,000
S/4.52
5,000
S/4.52
25,000
Presupuesto
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Carrete :5,000
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD131B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/1.09
258,553 En existencias
150,000 Se espera el 29/07/2026
N.º de artículo de Mouser 726-ESD131B1W0201E63
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
258,553 En existencias
150,000 Se espera el 29/07/2026
1
S/1.09
10
S/0.662
100
S/0.413
500
S/0.304
1,000
Ver
15,000
S/0.152
1,000
S/0.237
2,500
S/0.21
5,000
S/0.195
10,000
S/0.163
15,000
S/0.152
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :15,000
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD239B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/1.05
290,972 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ESD239B1W0201E63
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
290,972 En existencias
1
S/1.05
10
S/0.673
100
S/0.343
500
S/0.288
1,000
Ver
15,000
S/0.14
1,000
S/0.199
5,000
S/0.183
10,000
S/0.156
15,000
S/0.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :15,000
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD245B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/0.817
110,115 En existencias
90,000 Se espera el 8/10/2026
N.º de artículo de Mouser 726-ESD245B1W0201E63
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
110,115 En existencias
90,000 Se espera el 8/10/2026
1
S/0.817
10
S/0.49
100
S/0.304
500
S/0.222
1,000
Ver
15,000
S/0.125
1,000
S/0.171
5,000
S/0.148
10,000
S/0.125
15,000
S/0.125
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :15,000
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD246B1W01005E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
S/0.389
128,495 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-ESD246B1W01005E6
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
128,495 En existencias
1
S/0.389
10
S/0.28
100
S/0.113
500
S/0.109
1,000
Ver
15,000
S/0.062
1,000
S/0.105
5,000
S/0.101
10,000
S/0.066
15,000
S/0.062
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :15,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.56
11,514 En existencias
7,500 Se espera el 6/05/2027
N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R180P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
11,514 En existencias
7,500 Se espera el 6/05/2027
1
S/8.56
10
S/5.49
100
S/3.71
500
S/2.95
2,500
S/2.56
5,000
Ver
1,000
S/2.71
5,000
S/2.47
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.55
3,200 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R280P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3,200 En existencias
1
S/7.55
10
S/4.75
100
S/3.11
500
S/2.46
2,500
S/1.92
10,000
Ver
1,000
S/2.26
10,000
S/1.87
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.09
17,946 En existencias
15,000 Se espera el 28/12/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R1K4P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
17,946 En existencias
15,000 Se espera el 28/12/2026
1
S/4.09
10
S/2.55
100
S/1.66
500
S/1.28
2,500
S/1.02
5,000
Ver
1,000
S/1.16
5,000
S/0.895
10,000
S/0.88
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.36
16,658 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R900P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
16,658 En existencias
1
S/4.36
10
S/2.73
100
S/1.79
500
S/1.38
2,500
S/1.11
5,000
Ver
1,000
S/1.25
5,000
S/1.03
10,000
S/0.985
25,000
S/0.965
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.82
7,500 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
7,500 En existencias
1
S/7.82
10
S/5.02
100
S/3.36
500
S/2.66
2,500
S/2.19
10,000
Ver
1,000
S/2.44
10,000
S/2.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Perú