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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 91

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics

Polaridad del transistor

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: S/59.40
1,549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

1,549En existencias

S/59.40

S/42.04

S/39.04

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

11.5 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060-E
STMicroelectronics
1: S/228.76
872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57060-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

872En existencias

S/228.76

S/184.82

S/181.70

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

65 V

1 GHz

14.3 dB

60 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD54008L-E
STMicroelectronics
1: S/32.62
3,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

3,812En existencias

Cinta cortada

S/32.62

S/23.47

S/20.51

S/20.20

Envase tipo carrete

S/20.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

15 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: S/43.32
6,631En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

6,631En existencias

S/43.32

S/30.17

S/27.75

S/27.71

S/27.60

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: S/66.83
1,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

1,497En existencias

S/66.83

S/47.57

S/44.41

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035-E
STMicroelectronics
1: S/128.65
613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD85035-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

613En existencias

S/128.65

S/107.71

S/94.24

S/94.12

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8 A

40 V

870 MHz

14.9 dB

35 W

- 65 C

+ 165 C

SMD/SMT

PowerSO-12

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

SD4933MR
STMicroelectronics
1: S/601.43
93En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD4933MR

N.º de artículo de Mouser
511-SD4933MR

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

93En existencias

S/601.43

S/504.66

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

200 V

100 MHz

24 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

M177MR-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD55025-E
STMicroelectronics
1: S/120.55
214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

214En existencias

S/120.55

S/87.43

S/84.82

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

40 V

1 GHz

14.5 dB

25 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-11W
STMicroelectronics
1: S/328.64
5En existencias
250En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-11W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

5En existencias

250En pedido

S/328.64

S/260.80

S/250.75

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

125 V

175 MHz

14 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55025S-E
STMicroelectronics
1: S/103.46
148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55025S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

148En existencias

S/103.46

S/81.20

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

40 V

1 GHz

14.5 dB

25 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD54003-E
STMicroelectronics
1: S/46.52
115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

115En existencias

S/46.52

S/30.67

S/27.40

S/26.27

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

25 V

1 GHz

12 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003S-E
STMicroelectronics
1: S/43.32
472En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

472En existencias

S/43.32

S/30.17

S/27.75

S/27.60

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: S/84.66
578En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

Hoja de datos

578En existencias

Cinta cortada

S/84.66

S/63.53

S/57.53

Envase tipo carrete

S/57.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1: S/749.62
18En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L15120CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

S/749.62

S/611.36

Envase tipo carrete

S/605.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

Dual N-Channel

2.5 A

95 V

1 Ohms

1 GHz

20 dB

120 W

+ 200 C

SMD/SMT

LBB-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: S/671.50
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

110En existencias

Cinta cortada

S/671.50

S/570.64

Envase tipo carrete

S/538.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 120

N-Channel

2.5 A

110 V

1 Ohms

1 GHz

19 dB

400 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CB4
STMicroelectronics
1: S/671.53
20En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

20En existencias

Cinta cortada

S/671.53

S/545.46

Envase tipo carrete

S/538.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 120

N-Channel

2.5 A

65 V

1 Ohms

1.6 GHz

14 dB

180 W

+ 200 C

SMD/SMT

B4E-5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-10W
STMicroelectronics
1: S/357.33
522En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

522En existencias

S/357.33

S/283.88

S/273.88

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

125 V

230 MHz

15 dB

150 W

+ 150 C

SMD/SMT

M174

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz

SD2932W
STMicroelectronics
1: S/788.85
132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz

Hoja de datos

132En existencias

S/788.85

S/639.30

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

125 V

250 MHz

16 dB

300 W

+ 150 C

SMD/SMT

M244

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

PD55003L-E
STMicroelectronics
1: S/29.93
1,302En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PD55003L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan

Hoja de datos

1,302En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/29.93

S/21.49

S/18.72

S/18.37

Envase tipo carrete

S/18.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003TR-E
STMicroelectronics
1: S/34.37
389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

389En existencias

Cinta cortada

S/34.37

S/24.80

S/21.68

Envase tipo carrete

S/21.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55008TR-E
STMicroelectronics
1: S/59.40
687En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

687En existencias

Cinta cortada

S/59.40

S/43.91

S/39.04

Envase tipo carrete

S/39.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015-E
STMicroelectronics
1: S/88.71
167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

167En existencias

S/88.71

S/64.07

S/60.57

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD57018-E
STMicroelectronics
1: S/101.17
186En existencias
400Se espera el 24/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
PD57018-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

186En existencias

400Se espera el 24/02/2026

S/101.17

S/83.42

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

65 V

760 mOhms

1 GHz

16.5 dB

18 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD57030-E
STMicroelectronics
1: S/190.30
266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57030-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

266En existencias

S/190.30

S/142.47

S/138.81

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

1 GHz

14 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

SD2941-10W
STMicroelectronics
1: S/344.41
33En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2941-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

Hoja de datos

33En existencias

S/344.41

S/281.19

S/278.04

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

130 V

175 MHz

15 dB

175 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

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Recursos

Soporte

1 MHz
100 MHz
150 MHz
175 MHz
200 MHz
230 MHz
250 MHz
500 MHz
860 MHz
870 MHz
930 MHz
945 MHz
1 GHz
1.47 GHz
1.5 GHz
1.6 GHz
1.625 GHz
2.7 GHz
3.5 GHz
3.6 GHz

11.5 dB
12 dB
12.5 dB
13 dB
13.4 dB
14 dB
14.3 dB
14.5 dB
14.8 dB
14.9 dB
15 dB
16 dB
16.5 dB
17 dB
17.3 dB
17.5 dB
18 dB
19 dB
20 dB
21 dB

3 W
8 W
12 W
15 W
18 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
60 W
75 W
80 W
120 W
150 W
175 W
180 W
200 W
250 W
300 W

A2-3
B2-3
B4E-5
E2-3
LBB-3
LBB-4
LBB-5
M174
M177
M177MR-5
M243
M243-3
M244
M246
M250
MM-2
PowerFLAT (5x5)
PowerSO-10
PowerSO-10RF-2
PowerSO-10RF-Formed-4