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RF2L16180CB4

Name: STMicroelectronics RF2L16180CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF2L16180CB4
Price: 671.42 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-RF2L16180CB4

Fabricante N.º:

RF2L16180CB4

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

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NRND:

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Hoja de datos:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 120)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/671.42	S/671.42
	S/545.03	S/5,450.30
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 120)
	S/511.47	S/61,376.40
480	Presupuesto

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	65 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 Ohms
Frecuencia de trabajo:	1.6 GHz
Ganancia:	14 dB
Potencia de salida:	180 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	B4E-5
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	120
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Peso de la unidad:	4 g

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EOL

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RFxL RF Power LDMOS Transistors

STMicroelectronics RFxL RF Power LDMOS Transistors offer high-performance intended for multiple applications with different frequency bands. The RFxL RF Power Transistors are available in B4E, B2, and LBB packages.