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HyperFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 116

Filtros aplicados:

Nombre comercial = HyperFET

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.4 Rds

IXFH6N120
IXYS
1: S/44.57
284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH6N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.4 Rds

Hoja de datos

284En existencias

S/44.57

S/27.09

S/26.43

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.6 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 6A

IXFH6N100
IXYS
1: S/45.31
226En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH6N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH6N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 6A

Hoja de datos

226En existencias

S/45.31

S/36.90

S/30.71

S/27.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V 2.8 Rds

IXFA4N100Q
IXYS
1: S/40.52
414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA4N100Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA4N100Q

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V 2.8 Rds

Hoja de datos

414En existencias

S/40.52

S/29.47

S/24.56

S/21.88

S/20.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

4 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFT50N50P3
IXYS
1: S/53.68
29En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT50N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT50N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Hoja de datos

29En existencias

S/53.68

S/40.09

S/34.64

S/32.77

S/30.63

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

50 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

IXFH58N20
IXYS
300: S/40.87
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH58N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH58N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas

S/40.87

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

58 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode

IXFA8N50P3
IXYS
1: S/13.97
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA8N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA8N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode

Hoja de datos

No en existencias

S/13.97

S/9.11

S/7.12

S/5.96

S/5.14

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

500 V

8 A

800 mOhms

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id48 BVdass500

IXFK48N50
IXYS
1: S/105.99
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFK48N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK48N50

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id48 BVdass500

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

S/105.99

S/80.15

S/74.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

48 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 34A

IXFX34N80
IXYS
300: S/75.83
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFX34N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX34N80

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 34A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/75.83

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

34 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

560 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3.6 Amps 800V 3.6 Rds

IXFA3N80
IXYS
50: S/23.20
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFA3N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA3N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3.6 Amps 800V 3.6 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/23.20

S/19.31

S/17.20

S/16.04

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3.6 A

3.6 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 72 Amps 550V 0.07 Rds

IXFB72N55Q2
IXYS
1: S/122.61
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFB72N55Q2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB72N55Q2

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 72 Amps 550V 0.07 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/122.61

S/104.59

S/91.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

550 V

72 A

72 mOhms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 500V 0.06 Rds

IXFB80N50Q2
IXYS
300: S/145.58
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFB80N50Q2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB80N50Q2

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 500V 0.06 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/145.58

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

PLUS-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

80 A

60 mOhms

- 30 V, 30 V

5.5 V

250 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds

IXFG55N50
IXYS
25: S/79.29
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFG55N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFG55N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/79.29

S/70.03

Presupuesto

Min.: 25
Mult.: 25

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

48 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

- 40 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

IXFH10N100
IXYS
1: S/59.91
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

Hoja de datos

No en existencias

S/59.91

S/46.36

S/40.05

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

10 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

IXFH11N80
IXYS
30: S/38.50
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH11N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH11N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

Hoja de datos

No en existencias

S/38.50

S/32.07

S/28.57

S/26.66

Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

IXFH12N100
IXYS
300: S/44.37
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

Hoja de datos

No en existencias

S/44.37

Presupuesto

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

12 A

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds

IXFH12N120
IXYS
30: S/56.01
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N120

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/56.01

S/48.42

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

IXFH12N90
IXYS
60: S/48.81
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

Hoja de datos

No en existencias

S/48.81

S/42.19

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

12 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

IXFH13N100
IXYS
30: S/52.59
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/52.59

S/45.46

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

12.5 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

IXFH13N80
IXYS
300: S/31.61
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

Hoja de datos

No en existencias

S/31.61

S/29.93

S/27.95

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

IXFH13N80Q
IXYS
30: S/36.59
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/36.59

S/31.61

S/29.93

S/27.95

Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

700 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

IXFH13N90
IXYS
30: S/42.19
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/42.19

S/36.47

S/34.53

S/32.23

Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

13 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

IXFH14N80
IXYS
30: S/43.01
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH14N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH14N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/43.01

S/37.13

S/35.19

S/32.85

Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

700 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

IXFH15N60
IXYS
30: S/27.21
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

Hoja de datos

No en existencias

S/27.21

S/27.17

S/26.66

Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

IXFH15N80
IXYS
30: S/38.65
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas

S/38.65

S/32.19

S/26.78

Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

15 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

IXFH20N60
IXYS
300: S/53.44
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

Hoja de datos

No en existencias

S/53.44

Presupuesto

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HyperFET

Tube

HyperFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.6 A
4 A
6 A
7 A
8 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
15 A
16 A
20 A
21 A
22 A
24 A
25 A
26 A
27 A

5 mOhms
6 mOhms
7 mOhms
9 mOhms
10 mOhms
11 mOhms
12 mOhms
12.5 mOhms
17 mOhms
22 mOhms
22.5 mOhms
25 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
33 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
60 mOhms