IXFH15N60

IXYS
747-IXFH15N60
IXFH15N60

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 30   Múltiples: 30
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/24.95 S/748.50
S/24.91 S/2,989.20
S/24.52 S/25,010.40

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
15 A
500 mOhms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 40 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 43 ns
Serie: HiPerFET
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 70 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

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