Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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X2-Class Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X2-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ are designed for high-efficiency and high-speed power switching applications. The Ultra-Junction X2-Class MOSFETs offer low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode. These MOSFETs are available in many standard industrial packages, including isolated types. Typical applications are switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics and servo controls.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/34A OVERMOLDED TO-220

IXFP34N65X2M
IXYS
1: S/34.33
184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP34N65X2M

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747-IXFP34N65X2M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/34A OVERMOLDED TO-220

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S/34.33

S/20.63

S/18.49

S/14.75

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTA4N65X2
IXYS
1: S/14.79
101En existencias

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IXTA4N65X2

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747-IXTA4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS

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101En existencias

S/14.79

S/8.80

S/7.51

S/5.41

S/4.75

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SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTA8N65X2
IXYS
1: S/16.70
232En existencias

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IXTA8N65X2

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747-IXTA8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

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S/16.70

S/8.56

S/8.41

S/6.38

S/5.76

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TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH X2CLASS

IXTP24N65X2M
IXYS
1: S/20.59
42En existencias

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IXTP24N65X2M

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747-IXTP24N65X2M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH X2CLASS

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S/20.59

S/11.76

S/10.67

S/8.91

S/8.52

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1 Channel

650 V

24 A

145 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 2A N-CH X2CLASS

IXTP2N65X2
IXYS
1: S/13.82
220En existencias

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IXTP2N65X2

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747-IXTP2N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 2A N-CH X2CLASS

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S/13.82

S/7.01

S/6.97

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S/4.48

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2.3 Ohms

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+ 150 C

55 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 34A N-CH X2CLASS

IXTP34N65X2
IXYS
1: S/31.10
206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 34A N-CH X2CLASS

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206En existencias

S/31.10

S/16.89

S/15.49

S/13.31

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1 Channel

650 V

34 A

96 mOhms

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3 V

54 nC

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+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTP4N65X2
IXYS
1: S/13.82
280En existencias

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IXTP4N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH X2CLASS

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280En existencias

S/13.82

S/7.01

S/6.31

S/5.14

S/4.48

Min.: 1
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TO-220-3

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650 V

4 A

850 mOhms

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3 V

8.3 nC

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+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

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IXTP4N70X2M
IXYS
1: S/16.70
95En existencias

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IXTP4N70X2M

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP4N70X2M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 700V 4A N-CH X4CLASS

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95En existencias

S/16.70

S/8.56

S/7.67

S/6.38

S/5.76

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTP8N65X2M
IXYS
1: S/15.76
87En existencias

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IXTP8N65X2M

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747-IXTP8N65X2M

IXYS

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S/15.76

S/8.06

S/6.93

S/5.96

S/5.33

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTY4N65X2
IXYS
1: S/13.66
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY4N65X2

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747-IXTY4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 4A N-CH X2CLASS

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238En existencias

S/13.66

S/7.86

S/6.81

S/5.37

S/4.94

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTY8N65X2
IXYS
1: S/15.45
29En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY8N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

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29En existencias

S/15.45

S/7.51

S/6.77

S/5.76

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTY8N70X2
IXYS
1: S/16.70
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY8N70X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY8N70X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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60En existencias

S/16.70

S/8.17

S/7.40

S/6.31

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 2A N-CH X2CLASS

IXTY2N65X2
IXYS
1: S/11.13
210Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXTY2N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY2N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 2A N-CH X2CLASS

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210Se espera el 8/02/2027

S/11.13

S/6.42

S/4.75

S/4.13

S/3.81

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2 A

2.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

55 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-263

IXFA12N65X2
IXYS
1: S/20.59
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA12N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA12N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-263

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/20.59

S/10.74

S/9.77

S/8.76

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-263

IXFA18N65X2
IXYS
300: S/12.07
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA18N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA18N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-263

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/12.07

S/10.90

Min.: 300
Mult.: 50

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

290 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/8A TO-263

IXFA8N65X2
IXYS
1: S/17.94
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA8N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/8A TO-263

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/17.94

S/11.87

S/8.14

S/7.36

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-247

IXFH12N65X2
IXYS
1: S/20.01
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-247

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/20.01

S/13.31

S/10.74

S/9.54

S/8.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-247

IXFH18N65X2
IXYS
300: S/16.23
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH18N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-247

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/16.23

S/14.56

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

290 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/60A TO-247-4L

IXFH60N65X2-4
IXYS
300: S/29.54
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH60N65X2-4

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH60N65X2-4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/60A TO-247-4L

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/29.54

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

52 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

108 nC

- 55 C

+ 150 C

780 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2

IXFK120N65X2
IXYS
1: S/98.99
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFK120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2

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S/98.99

S/78.39

S/68.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

120 A

24 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

225 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A Ultra Junction X2-Class

IXFK80N65X2
IXYS
300: S/67.89
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFK80N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A Ultra Junction X2-Class

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S/67.89

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A OVERMOLDED TO-220

IXFP12N65X2M
IXYS
1: S/20.01
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFP12N65X2M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP12N65X2M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A OVERMOLDED TO-220

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S/20.01

S/10.43

S/9.46

S/8.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-220

IXFP18N65X2
IXYS
300: S/11.29
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFP18N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP18N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-220

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/11.29

S/10.43

Min.: 300
Mult.: 50

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

290 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A OVERMOLDED TO-220

IXFP18N65X2M
IXYS
300: S/11.33
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFP18N65X2M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP18N65X2M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A OVERMOLDED TO-220

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/11.33

S/10.59

Min.: 300
Mult.: 50

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/8A TO-220

IXFP8N65X2
IXYS
1: S/17.24
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFP8N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/8A TO-220

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/17.24

S/11.52

S/7.79

S/7.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

X2-Class Power MOSFETs with HiPerFET™

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

17 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
30 mOhms
33 mOhms
38 mOhms
40 mOhms
50 mOhms
52 mOhms
65 mOhms
76 mOhms
96 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
145 mOhms
160 mOhms
185 mOhms
200 mOhms
300 mOhms
310 mOhms

4.3 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17.7 nC
18.5 nC
27 nC
29 nC
36 nC
37 nC
38 nC
54 nC
56 nC
75 nC
76 nC
100 nC
107 nC
108 nC
137 nC

1.25 mW
30 W
32 W
36 W
37 W
40 W
55 W
80 W
150 W
180 W
290 W
330 W
360 W
390 W
540 W
660 W
780 W
890 W
1.04 kW
1.25 kW