Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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X2-Class Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X2-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ are designed for high-efficiency and high-speed power switching applications. The Ultra-Junction X2-Class MOSFETs offer low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode. These MOSFETs are available in many standard industrial packages, including isolated types. Typical applications are switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics and servo controls.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

IXTH80N65X2
IXYS
1: S/59.75
239En existencias

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IXTH80N65X2

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747-IXTH80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

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239En existencias

S/59.75

S/36.71

S/35.77

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

137 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 24A N-CH X2CLASS

IXTH24N65X2
IXYS
1: S/30.21
586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH24N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH24N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 24A N-CH X2CLASS

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586En existencias

S/30.21

S/17.48

S/15.57

S/14.95

S/14.25

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TO-247-3

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1 Channel

650 V

24 A

145 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

IXFH34N65X2
IXYS
1: S/36.47
660En existencias

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IXFH34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

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660En existencias

S/36.47

S/21.56

S/19.11

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650 V

34 A

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- 30 V, 30 V

2.7 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

IXFH46N65X2
IXYS
1: S/43.99
403En existencias

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IXFH46N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH46N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

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S/43.99

S/25.50

S/22.38

S/20.98

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TO-247-3

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75 nC

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+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 62A N-CH X2CLASS

IXTH62N65X2
IXYS
1: S/49.20
204En existencias

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IXTH62N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH62N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 62A N-CH X2CLASS

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204En existencias

S/49.20

S/29.74

S/28.22

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TO-247-3

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62 A

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Enhancement

HiPerFET

Tube

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IXTK102N65X2
IXYS
1: S/79.76
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IXTK102N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK102N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

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240En existencias

S/79.76

S/52.55

Min.: 1
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TO-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

102 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS

IXTX120N65X2
IXYS
1: S/93.89
213En existencias

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IXTX120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS

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213En existencias

S/93.89

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1 Channel

650 V

120 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2

IXFH60N65X2
IXYS
1: S/50.33
889En existencias

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IXFH60N65X2

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IXYS

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S/50.33

S/30.48

S/29.04

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TO-247-3

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650 V

60 A

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780 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

IXFP22N65X2
IXYS
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IXFP22N65X2

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IXYS

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S/24.80

S/13.20

S/12.03

S/11.41

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N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

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- 30 V, 30 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2

IXFB150N65X2
IXYS
1: S/118.72
51En existencias

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IXFB150N65X2

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747-IXFB150N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2

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S/118.72

S/99.10

Min.: 1
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PLUS-264-3

N-Channel

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650 V

150 A

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- 30 V, 30 V

2.7 V

430 nC

- 55 C

+ 150 C

1.56 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTP8N65X2
IXYS
1: S/12.49
28En existencias

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IXTP8N65X2

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747-IXTP8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

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S/12.49

S/6.23

S/4.71

S/4.67

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Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

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12 nC

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+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 34A N-CH X2CLASS

IXTH34N65X2
IXYS
1: S/30.24
214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 34A N-CH X2CLASS

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214En existencias

S/30.24

S/17.79

S/16.19

S/14.48

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 120A N-CH X2CLASS

IXTK120N65X2
IXYS
1: S/94.74
410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 120A N-CH X2CLASS

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410En existencias

S/94.74

S/67.85

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

120 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-247-4L

IXFH80N65X2-4
IXYS
1: S/66.48
509En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH80N65X2-4

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH80N65X2-4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-247-4L

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509En existencias

S/66.48

S/41.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2

IXFH80N65X2
IXYS
1: S/61.03
749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH80N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2

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749En existencias

S/61.03

S/37.56

S/37.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

IXFK100N65X2
IXYS
1: S/78.98
424En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK100N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK100N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

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424En existencias

S/78.98

S/57.34

S/52.16

S/43.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/34A Ultra Junction X2-Class

IXFP34N65X2
IXYS
1: S/31.53
493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/34A Ultra Junction X2-Class

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Hoja de datos

493En existencias

S/31.53

S/17.36

S/15.92

S/13.78

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

105 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-268HV

IXFT80N65X2HV
IXYS
1: S/65.86
315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT80N65X2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT80N65X2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-268HV

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Hoja de datos

315En existencias

S/65.86

S/40.79

S/35.50

S/35.46

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

IXFX100N65X2
IXYS
1: S/74.23
118En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX100N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX100N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

118En existencias

S/74.23

S/47.76

S/47.72

S/42.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2

IXFX120N65X2
IXYS
1: S/98.32
111En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX120N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX120N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

111En existencias

S/98.32

S/63.56

S/59.71

S/59.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

120 A

24 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

225 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 48A N-CH X2CLASS

IXTH48N65X2
IXYS
1: S/43.28
350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH48N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH48N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 48A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

350En existencias

S/43.28

S/25.85

S/21.99

S/20.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

48 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

76 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

IXFA22N65X2
IXYS
1: S/25.61
350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA22N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA22N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

350En existencias

S/25.61

S/13.66

S/12.46

S/11.79

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

IXFH22N65X2
IXYS
1: S/29.93
179En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH22N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH22N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

179En existencias

S/29.93

S/17.44

S/14.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-220

IXFP12N65X2
IXYS
1: S/19.70
172En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP12N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP12N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-220

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Hoja de datos

172En existencias

S/19.70

S/10.28

S/9.30

S/7.71

S/7.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/22A OVERMOLDED TO-220

IXFP22N65X2M
IXYS
1: S/23.00
261En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP22N65X2M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP22N65X2M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/22A OVERMOLDED TO-220

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Hoja de datos

261En existencias

S/23.00

S/12.14

S/11.05

S/9.23

S/8.87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

145 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

X2-Class Power MOSFETs with HiPerFET™

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

17 mOhms
23 mOhms
24 mOhms
30 mOhms
33 mOhms
38 mOhms
40 mOhms
50 mOhms
52 mOhms
65 mOhms
76 mOhms
96 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
145 mOhms
160 mOhms
185 mOhms
200 mOhms
300 mOhms
310 mOhms

4.3 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17.7 nC
18.5 nC
27 nC
29 nC
36 nC
37 nC
38 nC
54 nC
56 nC
75 nC
76 nC
100 nC
107 nC
108 nC
137 nC

1.25 mW
30 W
32 W
36 W
37 W
40 W
55 W
80 W
150 W
180 W
290 W
330 W
360 W
390 W
540 W
660 W
780 W
890 W
1.04 kW
1.25 kW