TK100A10N1,S4X
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757-TK100A10N1S4X
TK100A10N1,S4X
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
Hoja de datos:
En existencias: 141
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/21.84 | S/21.84 | |
| S/11.52 | S/115.20 | |
| S/10.74 | S/1,074.00 | |
| S/8.72 | S/4,360.00 | |
| S/8.64 | S/8,640.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
