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Toshiba DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 112

Filtros aplicados:

Fabricante = Toshiba Nombre comercial = DTMOSIV

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W

TK12E80W,S1X
Toshiba
1: S/20.20
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK12E80W,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK12E80WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/20.20

S/10.39

S/9.54

S/8.02

S/7.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11.5 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ

TK12P50W,RQ
Toshiba
2,000: S/3.89
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK12P50W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK12P50WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.89

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

11.5 A

340 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF

TK12Q60W,S1VQ
Toshiba
1: S/12.30
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK12Q60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK12Q60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/12.30

S/5.80

Envase tipo carrete

S/5.80

S/5.02

S/4.44

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 75

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

265 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

DTMOSIV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A

TK12V60W,LVQ
Toshiba
2,500: S/4.79
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK12V60W,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK12V60WLVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.79

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

300 mOhms

104 W

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK14E65W5,S1X
Toshiba
1: S/17.75
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK14E65W5,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK14E65W5S1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/17.75

S/9.19

S/8.33

S/6.85

S/6.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

TK14E65W,S1X
Toshiba
1: S/17.79
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK14E65W,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK14E65WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/17.79

S/9.23

S/8.06

S/6.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK14G65W5,RQ
Toshiba
1,000: S/6.31
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK14G65W5,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK14G65W5RQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.31

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK14N65W5,S1F
Toshiba
1: S/22.69
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK14N65W5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK14N65W5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/22.69

S/13.20

S/10.94

S/9.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ

TK14V65W,LQ
Toshiba
2,500: S/7.55
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK14V65W,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK14V65WLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/7.55

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK16E60W5,S1VX
Toshiba
1: S/18.22
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK16E60W5,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16E60W5S1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/18.22

S/9.19

S/8.41

S/7.08

S/6.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

TK16G60W,RVQ
Toshiba
1,000: S/13.23
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/13.23

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W5,S1VQ
Toshiba
1: S/22.65
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W5,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60W5S1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/22.65

S/13.20

S/10.78

S/9.11

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16J60W,S1VQ
Toshiba
1: S/18.61
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

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Hoja de datos

No en existencias

S/18.61

S/14.91

S/12.03

S/10.67

S/9.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A

TK16V60W,LVQ
Toshiba
2,500: S/6.85
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60WLVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.85

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

139 W

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK17A65W5,S5X
Toshiba
1: S/15.57
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK17A65W5,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK17A65W5S5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/15.57

S/8.02

S/7.24

S/5.99

S/5.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17.3 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK17E65W,S1X
Toshiba
1: S/18.61
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK17E65W,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK17E65WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/18.61

S/9.65

S/8.60

S/7.24

S/6.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17.3 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK17V65W,LQ
Toshiba
2,500: S/7.43
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK17V65W,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK17V65WLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/7.43

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

17.3 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A

TK20V60W,LVQ
Toshiba
2,500: S/12.53
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK20V60W,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK20V60WLVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/12.53

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ

TK28E65W,S1X
Toshiba
1: S/29.00
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK28E65W,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK28E65WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/29.00

S/15.69

S/14.36

S/12.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27.6 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK28N65W,S1F
Toshiba
1: S/30.63
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK28N65W,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK28N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/30.63

S/17.48

S/14.95

S/13.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27.6 A

94 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ

TK28V65W5,LQ
Toshiba
5,000: S/12.11
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK28V65W5,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK28V65W5LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/12.11

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

27.6 A

140 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK28V65W,LQ
Toshiba
2,500: S/11.44
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK28V65W,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK28V65WLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.44

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

27.6 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC

TK31J60W5,S1VQ
Toshiba
1: S/39.16
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK31J60W5,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31J60W5S1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/39.16

S/23.82

S/20.05

S/18.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC

TK31J60W,S1VQ
Toshiba
1: S/36.59
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK31J60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31J60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/36.59

S/23.08

S/19.38

S/18.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

88 mOhms

- 30 V, 30 V

105 nC

230 W

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A

TK31V60W,LVQ
Toshiba
2,500: S/21.45
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK31V60W,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60WLVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A

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Envase tipo carrete

S/21.45

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

78 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

Toshiba DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
27.6 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
150 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC
50 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
156 W
165 W
180 W
230 W
240 W
270 W
400 W