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TK31J60W,S1VQ

Name: Toshiba TK31J60W,S1VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK31J60WS1VQ
Price: 36.59 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

757-TK31J60WS1VQ

Fabricante N.º:

TK31J60W,S1VQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC

Hoja de datos:

TK31J60W,S1VQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/36.59	S/36.59
	S/23.08	S/230.80
	S/19.38	S/1,938.00
	S/18.06	S/9,030.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-3PN-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	88 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Qg - Carga de puerta:	105 nC
Dp - Disipación de potencia :	230 W
Nombre comercial:	DTMOSIV
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	TK31J60W
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	4.600 g

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Hoja de datos

TK31J60W,S1VQ Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.