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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,353

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

STP150N10F7
STMicroelectronics
1: S/9.30
3,299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP150N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP150N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

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3,299En existencias

S/9.30

S/5.29

S/5.22

S/5.14

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N65M2
STMicroelectronics
1: S/14.29
850En existencias
1,000Se espera el 4/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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850En existencias

1,000Se espera el 4/05/2026

S/14.29

S/8.64

S/8.02

S/6.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

117 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH

STP8NK80Z
STMicroelectronics
1: S/10.98
1,571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP8NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH

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1,571En existencias

S/10.98

S/7.24

S/6.70

S/6.31

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.2 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A

STS1DNC45
STMicroelectronics
1: S/10.28
4,686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS1DNC45

N.º de artículo de Mouser
511-STS1DNC45

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A

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4,686En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.77

S/4.63

S/3.75

Envase tipo carrete

S/3.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

450 V

400 mA

4.1 Ohms

- 30 V, 30 V

2.3 V

10 nC

- 65 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STU10NM60N
STMicroelectronics
1: S/15.22
2,998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STU10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

Hoja de datos

2,998En existencias

S/15.22

S/9.96

S/7.32

S/6.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

530 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A

STU6NF10
STMicroelectronics
1: S/4.83
5,610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU6NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STU6NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A

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5,610En existencias

S/4.83

S/2.16

S/1.93

S/1.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

100 V

6 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 65 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW40N90K5
STMicroelectronics
1: S/54.30
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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422En existencias

S/54.30

S/34.14

S/34.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

40 A

88 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

STW42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/23.90
1,024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

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1,024En existencias

S/23.90

S/17.67

S/14.05

S/14.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

87 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STW42N65M5
STMicroelectronics
1: S/39.43
529En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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529En existencias

S/39.43

S/23.67

S/20.98

S/20.47

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/32.11
377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag

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377En existencias

S/32.11

S/18.96

S/14.17

S/14.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

99 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

STB100N10F7
STMicroelectronics
1: S/11.91
1,530En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

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1,530En existencias

Cinta cortada

S/11.91

S/7.75

S/5.33

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.05

S/3.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB10N95K5
STMicroelectronics
1: S/16.23
4,628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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Hoja de datos

4,628En existencias

Cinta cortada

S/16.23

S/10.70

S/7.55

S/6.85

Envase tipo carrete

S/5.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

8 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

STB11NK50ZT4
STMicroelectronics
1: S/16.35
1,426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NK50ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,426En existencias

Cinta cortada

S/16.35

S/10.78

S/7.59

S/7.05

Envase tipo carrete

S/5.84

S/5.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

10 A

480 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

STB12NM50T4
STMicroelectronics
1: S/19.46
2,456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB12NM50T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB12NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

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Hoja de datos

2,456En existencias

Cinta cortada

S/19.46

S/14.17

S/10.82

S/10.00

Envase tipo carrete

S/8.41

S/7.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

28 nC

- 65 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II

STB32NM50N
STMicroelectronics
1: S/19.77
1,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB32NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB32NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

1,997En existencias

Cinta cortada

S/19.77

S/13.16

S/9.38

S/8.91

Envase tipo carrete

S/7.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N60DM2
STMicroelectronics
1: S/20.47
912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

912En existencias

Cinta cortada

S/20.47

S/13.66

S/9.77

S/9.34

Envase tipo carrete

S/7.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB35N60DM2
STMicroelectronics
1: S/23.51
578En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB35N60DM2

STMicroelectronics

Obtenga más información

Hoja de datos

578En existencias

Cinta cortada

S/23.51

S/16.08

S/12.30

S/11.52

Envase tipo carrete

S/9.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB40N60M2
STMicroelectronics
1: S/22.89
2,361En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

2,361En existencias

Cinta cortada

S/22.89

S/15.38

S/11.05

S/10.90

Envase tipo carrete

S/8.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

88 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa

STB42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/22.85
1,260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STB42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa

Obtenga más información

Hoja de datos

1,260En existencias

Cinta cortada

S/22.85

S/17.09

S/12.49

Envase tipo carrete

S/10.78

S/10.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

87 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET

STD10NF30
STMicroelectronics
1: S/7.82
3,623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10NF30

N.º de artículo de Mouser
511-STD10NF30

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET

Hoja de datos

3,623En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.37

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

10 A

330 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

103 W

Enhancement

AEC-Q101

MESH OVERLAY

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A

STD10NM60N
STMicroelectronics
1: S/14.64
3,767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A

Hoja de datos

3,767En existencias

Cinta cortada

S/14.64

S/9.61

S/6.73

S/5.96

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

550 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp

STD12NF06T4
STMicroelectronics
1: S/6.85
3,722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD12NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp

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Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.89

S/2.32

Envase tipo carrete

S/1.88

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package

STD130N6F7
STMicroelectronics
1: S/4.55
4,224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD130N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package

Hoja de datos

4,224En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/3.93

S/3.06

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.06

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package

STD36P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/6.73
4,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD36P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STD36P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package

Hoja de datos

4,374En existencias

Cinta cortada

S/6.73

S/4.28

S/2.86

S/2.25

Envase tipo carrete

S/1.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

36 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

STD4NK80Z-1
STMicroelectronics
1: S/10.43
3,438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4NK80Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK80Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

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S/10.43

S/4.83

S/4.36

S/3.85

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Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

22.5 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W