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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,353

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STB45N65M5
STMicroelectronics
1: S/33.01
1,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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1,755En existencias

Cinta cortada

S/33.01

S/22.73

S/17.87

Envase tipo carrete

S/14.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A

STB75NF75T4
STMicroelectronics
1: S/14.25
1,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB75NF75T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB75NF75T4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A

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Hoja de datos

1,278En existencias

Cinta cortada

S/14.25

S/9.61

S/6.73

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.06

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

80 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB8N90K5
STMicroelectronics
1: S/15.92
1,178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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Hoja de datos

1,178En existencias

Cinta cortada

S/15.92

S/10.47

S/7.40

S/6.66

Envase tipo carrete

S/5.76

S/5.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus

STD13NM60ND
STMicroelectronics
1: S/20.09
4,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STD13NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus

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4,330En existencias

Cinta cortada

S/20.09

S/8.76

S/7.90

Envase tipo carrete

S/7.51

S/7.43

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

380 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

109 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH

STD1NK60T4
STMicroelectronics
1: S/4.90
8,292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD1NK60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD1NK60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH

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8,292En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.44

S/2.57

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1 A

8.5 Ohms

- 30 V, 30 V

2.25 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

STD3N62K3
STMicroelectronics
1: S/6.03
8,530En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

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8,530En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.83

S/2.55

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

2.7 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F

STD5N52U
STMicroelectronics
1: S/6.62
3,742En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N52U

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N52U

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F

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Hoja de datos

3,742En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.81

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

4.4 A

1.28 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

16.9 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

UltraFASTmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a

STD5NM50AG
STMicroelectronics
1: S/9.50
5,733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM50AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM50AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a

Hoja de datos

5,733En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.31

S/4.32

S/3.45

Envase tipo carrete

S/2.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.5 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD7LN80K5
STMicroelectronics
1: S/10.47
2,672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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2,672En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/6.73

S/4.67

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.15 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

STD7N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.14
4,865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

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Hoja de datos

4,865En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/5.18

S/3.61

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

6 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A

STD95N4F3
STMicroelectronics
1: S/8.76
3,123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD95N4F3

N.º de artículo de Mouser
511-STD95N4F3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A

Hoja de datos

3,123En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.64

S/3.82

S/3.05

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

STE48NM50
STMicroelectronics
1: S/111.05
163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE48NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STE48NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

Hoja de datos

163En existencias

S/111.05

S/81.24

S/75.44

S/68.98

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

500 V

48 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

117 nC

- 65 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STF20N95K5
STMicroelectronics
1: S/22.34
1,658En existencias
1,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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1,658En existencias

1,000Se espera el 27/07/2026

S/22.34

S/13.51

S/12.38

S/11.64

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STF21N90K5
STMicroelectronics
1: S/29.93
1,728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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Hoja de datos

1,728En existencias

S/29.93

S/15.88

S/14.91

S/12.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

STF26NM60N
STMicroelectronics
1: S/29.39
2,032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

Hoja de datos

2,032En existencias

S/29.39

S/16.39

S/15.06

S/14.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

STF3NK100Z
STMicroelectronics
1: S/18.14
1,813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF3NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,813En existencias

S/18.14

S/9.77

S/8.87

S/7.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

2.5 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

STF40N60M2
STMicroelectronics
1: S/23.71
1,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

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Hoja de datos

1,534En existencias

S/23.71

S/16.23

S/13.12

S/11.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

88 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p

STH200N10WF7-2
STMicroelectronics
1: S/18.76
649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH200N10WF7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH200N10WF7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p

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Hoja de datos

649En existencias

Cinta cortada

S/18.76

S/13.86

S/10.70

S/10.47

Envase tipo carrete

S/8.52

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

340 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG

STL100N10F7
STMicroelectronics
1: S/11.79
3,078En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG

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Hoja de datos

3,078En existencias

Cinta cortada

S/11.79

S/7.67

S/5.29

S/4.44

Ver

Envase tipo carrete

S/3.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

19 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL18N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.65
3,803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

Obtenga más información

Hoja de datos

3,803En existencias

Cinta cortada

S/12.65

S/8.21

S/5.80

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

290 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

STL24N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.83
2,130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,130En existencias

Cinta cortada

S/14.83

S/9.73

S/6.81

S/6.07

S/6.03

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

186 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

STL260N4LF7
STMicroelectronics
1: S/12.30
2,681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL260N4LF7

N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4LF7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

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Cinta cortada

S/12.30

S/8.02

S/5.57

S/4.71

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

STP10NK60Z
STMicroelectronics
1: S/16.62
3,141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK60Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

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3,141En existencias

S/16.62

S/8.68

S/7.86

S/7.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

STP10NK80Z
STMicroelectronics
1: S/20.59
2,195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

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2,195En existencias

S/20.59

S/10.78

S/9.81

S/8.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package

STP12N120K5
STMicroelectronics
1: S/33.01
1,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package

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1,732En existencias

S/33.01

S/18.14

S/16.70

S/14.52

S/14.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V
330 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

600 mV
700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W