Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
STB14NK50ZT4
STMicroelectronics
1:
S/13.62
6,137 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB14NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
6,137 En existencias
1
S/13.62
10
S/10.55
100
S/8.87
500
S/8.72
1,000
S/8.02
5,000
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5,000
S/7.71
10,000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
14 A
380 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
92 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB28N65M2
STMicroelectronics
1:
S/16.54
2,052 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB28N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
2,052 En existencias
1
S/16.54
10
S/11.05
100
S/7.86
500
S/7.16
1,000
S/5.96
2,000
S/5.84
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
150 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
170 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
STB45N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/28.92
939 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB45N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
939 En existencias
1
S/28.92
10
S/19.97
100
S/15.18
500
S/15.14
1,000
S/12.38
10,000
Ver
10,000
Presupuesto
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
34 A
93 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD16N65M2
STMicroelectronics
1:
S/11.05
2,734 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
2,734 En existencias
1
S/11.05
10
S/7.16
100
S/4.94
500
S/4.05
2,500
S/3.33
5,000
Ver
1,000
S/3.73
5,000
S/3.30
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
320 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
19.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
STD1NK60-1
STMicroelectronics
1:
S/6.31
4,053 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD1NK60-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
4,053 En existencias
1
S/6.31
10
S/2.41
100
S/2.18
500
S/2.00
1,000
Ver
1,000
S/1.78
3,000
S/1.58
9,000
S/1.55
24,000
S/1.54
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
600 V
1 A
8 Ohms
- 30 V, 30 V
2.25 V
7 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
STD2N62K3
STMicroelectronics
1:
S/8.14
2,969 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD2N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
2,969 En existencias
1
S/8.14
10
S/5.22
100
S/3.53
500
S/2.81
2,500
S/2.32
5,000
Ver
1,000
S/2.66
5,000
S/2.17
Comprar
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
620 V
2.2 A
3.6 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD5N60M2
STMicroelectronics
1:
S/6.58
6,550 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD5N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
6,550 En existencias
1
S/6.58
10
S/4.20
100
S/2.82
500
S/2.22
2,500
S/1.72
5,000
Ver
1,000
S/2.02
5,000
S/1.67
10,000
S/1.61
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
3.5 A
1.4 Ohms
- 25 V, 25 V
3 V
8.5 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
STD7ANM60N
STMicroelectronics
1:
S/8.56
3,498 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD7ANM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
3,498 En existencias
1
S/8.56
10
S/5.49
100
S/3.72
500
S/2.97
2,500
S/2.46
5,000
Ver
1,000
S/2.79
5,000
S/2.32
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
5 A
900 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
AEC-Q100
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
STF7N105K5
STMicroelectronics
1:
S/14.75
1,471 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF7N105K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
1,471 En existencias
1
S/14.75
10
S/6.77
100
S/6.31
500
S/5.57
1,000
Ver
1,000
S/5.22
2,000
S/4.90
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.05 kV
4 A
1.4 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
STFU13N80K5
STMicroelectronics
1:
S/17.09
1,726 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFU13N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
1,726 En existencias
1
S/17.09
10
S/8.99
100
S/7.59
500
S/6.93
1,000
Ver
1,000
S/6.38
2,000
S/5.99
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
12 A
370 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
STL15N65M5
STMicroelectronics
1:
S/13.51
2,553 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL15N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
2,553 En existencias
1
S/13.51
10
S/8.80
100
S/6.19
500
S/5.37
1,000
S/4.98
3,000
S/4.36
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
375 mOhms
- 25 V, 25 V
5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 30 V, 0.0076 Ohm, 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerF
STL58N3LLH5
STMicroelectronics
1:
S/5.49
5,036 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL58N3LLH5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 30 V, 0.0076 Ohm, 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerF
5,036 En existencias
1
S/5.49
10
S/4.09
100
S/3.18
500
S/2.72
3,000
S/2.23
6,000
Ver
1,000
S/2.59
6,000
S/2.15
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
30 V
56 A
9 mOhms
- 20 V, 22 V
2.5 V
6.5 nC
- 55 C
+ 175 C
62.5 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
STL8P4LLF6
STMicroelectronics
1:
S/4.05
4,465 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL8P4LLF6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
4,465 En existencias
1
S/4.05
10
S/2.74
100
S/2.09
500
S/1.83
3,000
S/1.59
6,000
Ver
1,000
S/1.75
6,000
S/1.53
9,000
S/1.48
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
P-Channel
1 Channel
40 V
8 A
20.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
2.9 W
Enhancement
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL9N60M2
STMicroelectronics
1:
S/8.76
2,157 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL9N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
2,157 En existencias
1
S/8.76
10
S/5.61
100
S/3.81
500
S/3.04
3,000
S/2.48
6,000
Ver
1,000
S/2.88
6,000
S/2.40
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
600 V
4.8 A
860 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
STP110N10F7
STMicroelectronics
1:
S/12.49
1,920 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP110N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
1,920 En existencias
1
S/12.49
10
S/4.52
100
S/4.48
500
S/4.40
1,000
Ver
1,000
S/4.20
2,000
S/4.01
5,000
S/3.97
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
110 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
STripFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
STP130N6F7
STMicroelectronics
1:
S/6.66
1,951 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP130N6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
1,951 En existencias
1
S/6.66
10
S/3.87
100
S/3.62
500
S/3.16
1,000
Ver
1,000
S/2.99
2,000
S/2.73
5,000
S/2.60
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
80 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
160 W
Enhancement
STripFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
STP14NM50N
STMicroelectronics
1:
S/18.49
739 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP14NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
739 En existencias
1
S/18.49
10
S/8.91
100
S/8.37
500
S/7.20
1,000
Ver
1,000
S/6.70
2,000
S/6.66
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
12 A
280 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
STP15NK50Z
STMicroelectronics
1:
S/15.22
1,536 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP15NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
1,536 En existencias
1
S/15.22
10
S/7.79
100
S/7.08
500
S/5.92
1,000
Ver
1,000
S/5.33
2,000
S/5.14
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
14 A
340 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
106 nC
- 55 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 400V -.23 Zener SuperMESH 15A
STP17NK40ZFP
STMicroelectronics
1:
S/19.77
1,901 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP17NK40ZFP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 400V -.23 Zener SuperMESH 15A
1,901 En existencias
1
S/19.77
10
S/10.28
100
S/9.38
500
S/7.79
1,000
Ver
1,000
S/7.55
2,000
S/7.24
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
400 V
15 A
250 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
65 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
STP6N95K5
STMicroelectronics
1:
S/7.51
1,554 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP6N95K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
1,554 En existencias
1
S/7.51
10
S/4.90
100
S/4.63
500
S/4.13
1,000
Ver
1,000
S/3.86
2,000
S/3.56
5,000
S/3.47
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
950 V
9 A
1.25 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
+1 imagen
STW12NK90Z
STMicroelectronics
1:
S/26.04
1,017 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW12NK90Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH
1,017 En existencias
1
S/26.04
10
S/14.21
100
S/11.05
600
S/11.02
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S/10.94
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
900 V
11 A
880 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
113 nC
- 55 C
+ 150 C
230 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
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STW15N95K5
STMicroelectronics
1:
S/18.96
1,444 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW15N95K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
1,444 En existencias
1
S/18.96
10
S/9.54
100
S/7.40
600
S/7.12
3,000
S/6.85
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Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
12 A
410 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
+1 imagen
STW20NM60
STMicroelectronics
1:
S/26.74
882 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW20NM60
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
882 En existencias
1
S/26.74
10
S/14.48
100
S/11.02
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S/10.98
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20 A
290 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
54 nC
- 65 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
STW36N60M6
STMicroelectronics
1:
S/27.25
2,974 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW36N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
2,974 En existencias
1
S/27.25
10
S/15.69
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S/11.25
600
S/11.21
3,000
S/11.17
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Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
85 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
44.3 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
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STW65N65DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/40.64
508 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW65N65DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
508 En existencias
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Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
60 A
50 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Tube
Perú