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STL58N3LLH5

Name: STMicroelectronics STL58N3LLH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL58N3LLH5
Price: 8.1 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STL58N3LLH5

Fabricante N.º:

STL58N3LLH5

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 30 V, 0.0076 Ohm, 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerF

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/8.10	S/8.10
	S/5.18	S/51.80
	S/3.50	S/350.00
	S/2.78	S/1,390.00
	S/2.58	S/2,580.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/2.46	S/7,380.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-5x6-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	56 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	6.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	62.5 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15.6 ns
Serie:	STL58N3LLH5
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10.8 ns
Peso de la unidad:	76 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET V™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET V™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET™ technology with an updated gate structure. The advanced planar technology is ideal for high efficiency, improving Figure of Merit (FoM). These STMicroelectronics MOSFETs exhibit the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications. The advanced planar technology used in these devices is ideal for high-efficiency, low-voltage systems.