STF11NM80

STMicroelectronics
511-STF11NM80
STF11NM80

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
- 65 C
+ 150 C
Marca: STMicroelectronics
Modo canal: Enhancement
Configuración: Single
Tiempo de caída: 15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 8 S
Id - Corriente de drenaje continua: 11 A
Estilo de montaje: Through Hole
Número de canales: 1 Channel
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Empaquetado: Tube
Dp - Disipación de potencia : 35 W
Tipo de producto: MOSFETs
Qg - Carga de puerta: 43.6 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 400 mOhms
Tiempo de subida: 17 ns
Serie: STF11NM80
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: Si
Nombre comercial: MDmesh
Polaridad del transistor: N-Channel
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 46 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 800 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

En existencias: 861

Existencias:
861 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/30.32 S/30.32
S/16.35 S/163.50
S/14.99 S/1,499.00
S/13.62 S/6,810.00

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