Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
STMicroelectronics
1:
S/27.52
409 En existencias
1,200 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-STWA60N028T
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
409 En existencias
1,200 En pedido
Ver fechas
Existencias:
409 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
600 Se espera el 12/02/2027
600 Se espera el 26/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
1
S/27.52
10
S/18.41
100
S/14.79
600
S/13.16
1,200
Ver
1,200
S/10.82
3,000
S/10.70
5,400
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
84 A
28 mOhms
30 V
4.2 V
164 nC
- 55 C
+ 150 C
481 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
S/17.94
2,368 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2,368 En existencias
1
S/17.94
10
S/11.83
100
S/8.37
500
S/7.16
2,500
S/5.84
5,000
S/5.80
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
12 A
340 mOhms
- 10 V, 10 V
3 V
17.8 nC
- 55 C
+ 150 C
92 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
S/5.92
41,498 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41,498 En existencias
1
S/5.92
10
S/2.79
100
S/2.48
500
S/1.94
3,000
S/1.52
6,000
Ver
6,000
S/1.42
9,000
S/1.38
24,000
S/1.32
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
2 Channel
60 V
33 A
23 mOhms, 23 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
8 nC
- 55 C
+ 175 C
58 W
Enhancement
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/79.41
173 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SH68N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
173 En existencias
1
S/79.41
10
S/50.64
100
S/41.38
200
S/41.38
400
S/41.34
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :200
Detalles
Si
N-Channel
650 V
64 A
35 mOhms
AQG 324
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1:
S/72.56
459 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW65N023M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
459 En existencias
1
S/72.56
10
S/41.92
120
S/41.88
510
S/36.98
1,020
S/36.94
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
95 A
23 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
230 nC
- 55 C
+ 150 C
463 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1:
S/40.13
536 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW65N045M9-4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
536 En existencias
1
S/40.13
10
S/24.21
120
S/21.68
510
S/18.61
1,020
S/17.52
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
54 A
45 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
312 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
STL57N65M5
STMicroelectronics
1:
S/48.62
2,439 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL57N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
2,439 En existencias
1
S/48.62
10
S/28.30
100
S/27.91
500
S/27.36
1,000
S/23.20
3,000
S/22.77
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
1 Channel
650 V
22.5 A
61 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
96 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
STMicroelectronics
1:
S/5.96
38,107 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL8N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
38,107 En existencias
1
S/5.96
10
S/3.64
100
S/2.49
500
S/1.95
3,000
S/1.71
9,000
Ver
1,000
S/1.86
9,000
S/1.55
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
1 Channel
100 V
35 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FD
STMicroelectronics
1:
S/31.14
4,451 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FD
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
4,451 En existencias
1
S/31.14
10
S/18.45
100
S/16.97
500
S/15.22
1,000
Ver
1,000
S/13.23
2,000
S/12.88
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20 A
290 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
54 nC
- 65 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
FDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
STL10LN80K5
STMicroelectronics
1:
S/16.70
3,153 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL10LN80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
3,153 En existencias
1
S/16.70
10
S/10.94
100
S/8.17
500
S/6.85
3,000
S/5.96
6,000
Ver
1,000
S/6.34
6,000
S/5.92
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-VHV-8
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
660 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/13.27
2,383 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
2,383 En existencias
1
S/13.27
10
S/8.60
100
S/5.96
500
S/4.98
1,000
S/4.71
2,500
S/4.32
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
440 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
14.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
STB31N65M5
STMicroelectronics
1:
S/23.00
840 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB31N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
840 En existencias
1
S/23.00
10
S/15.06
100
S/11.25
500
S/9.42
1,000
S/8.41
2,000
S/8.25
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
22 A
148 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
STB14NK50ZT4
STMicroelectronics
1:
S/21.80
5,982 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB14NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
5,982 En existencias
1
S/21.80
10
S/10.78
100
S/9.07
500
S/8.33
1,000
S/8.21
5,000
Ver
5,000
S/8.02
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
14 A
380 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
92 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
STB16N90K5
STMicroelectronics
1:
S/27.17
1,171 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB16N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1,171 En existencias
1
S/27.17
10
S/14.79
100
S/11.56
500
S/10.78
1,000
S/10.28
2,000
S/10.16
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
900 V
15 A
330 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
29.7 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
STB20NM50T4
STMicroelectronics
1:
S/25.61
957 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB20NM50
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
957 En existencias
1
S/25.61
10
S/13.58
100
S/12.42
500
S/12.18
1,000
S/9.69
2,000
S/9.38
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
20 A
250 mOhms
- 30 V, 30 V
- 65 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
STB30N65M5
STMicroelectronics
1:
S/29.04
1,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB30N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
1,000 En existencias
1
S/29.04
10
S/15.57
100
S/14.29
500
S/13.62
1,000
S/12.85
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
22 A
125 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp
STB42N65M5
STMicroelectronics
1:
S/40.56
280 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB42N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp
280 En existencias
1
S/40.56
10
S/28.57
100
S/27.09
500
S/26.27
1,000
S/24.83
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
79 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
98 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STB45N50DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/25.92
1,409 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB45N50DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
1,409 En existencias
1
S/25.92
10
S/16.93
100
S/15.53
500
S/14.79
1,000
S/12.30
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
35 A
84 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
57 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
STD12N60DM6
STMicroelectronics
1:
S/11.48
2,358 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD12N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
2,358 En existencias
1
S/11.48
10
S/7.43
100
S/5.10
500
S/4.16
2,500
S/3.40
5,000
Ver
1,000
S/3.84
5,000
S/3.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
600 V
10 A
390 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
STD1NK60-1
STMicroelectronics
1:
S/6.81
3,797 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD1NK60-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
3,797 En existencias
1
S/6.81
10
S/3.02
100
S/2.59
500
S/2.25
1,000
Ver
1,000
S/2.05
3,000
S/1.83
9,000
S/1.62
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
600 V
1 A
8 Ohms
- 30 V, 30 V
2.25 V
7 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
STD2LN60K3
STMicroelectronics
1:
S/5.80
8,766 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD2LN60K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
8,766 En existencias
1
S/5.80
10
S/2.73
100
S/2.43
500
S/2.02
2,500
S/1.46
5,000
Ver
1,000
S/1.77
5,000
S/1.38
10,000
S/1.37
25,000
S/1.33
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
2 A
4.5 Ohms
- 30 V, 30 V
4.5 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
SuperMESH
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
STD2N62K3
STMicroelectronics
1:
S/8.72
2,749 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD2N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
2,749 En existencias
1
S/8.72
10
S/4.24
100
S/3.77
500
S/3.00
2,500
S/2.60
5,000
Ver
1,000
S/2.87
5,000
S/2.22
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
620 V
2.2 A
3.6 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
STD47N10F7AG
STMicroelectronics
1:
S/10.12
18,121 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD47N10F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
18,121 En existencias
1
S/10.12
10
S/4.94
100
S/4.48
500
S/3.56
2,500
S/3.22
5,000
Ver
1,000
S/3.40
5,000
S/2.85
10,000
S/2.81
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
22 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
STF13N95K3
STMicroelectronics
1:
S/31.45
956 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF13N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
956 En existencias
1
S/31.45
10
S/17.01
100
S/15.61
500
S/13.16
1,000
Ver
1,000
S/12.53
2,000
S/12.49
5,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
950 V
10 A
850 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
51 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
STF13NM60N
STMicroelectronics
1:
S/22.19
660 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF13NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
660 En existencias
1
S/22.19
10
S/11.02
100
S/9.26
500
S/8.33
1,000
Ver
1,000
S/8.25
5,000
S/8.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
360 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Perú