.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

MOSFETs are in stock with same-day shipping at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many MOSFET manufacturers including Diodes Inc., Infineon, IXYS, Nexperia, onsemi, STMicroelectronics, Toshiba, Vishay, & more.
More...

Please view our large selection of MOSFETs below.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 22,763

Filtros aplicados:

Fabricante

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R011M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/65.82
1,212En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT40R011M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R011M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,212En existencias

Cinta cortada

S/65.82

S/46.36

S/37.84

S/36.67

Envase tipo carrete

S/34.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

400 V

144 A

14.4 mOhms

- 7 V, 23 V

4.5 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

CoolSiC

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHL041N65SF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/28.26
860En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHL041N65SF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHL041N65SF-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

Hoja de datos

860En existencias

S/28.26

S/14.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

74 A

43 mOhms

20 V

5 V

168 nC

- 55 C

+ 150 C

595 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.46
1,993En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ461EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ461EP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

1,993En existencias

S/12.46

S/8.02

S/5.72

S/4.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

60 V

30 A

16 mOhms

20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.32
4,718En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ463EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ463EP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

4,718En existencias

S/17.32

S/11.29

S/8.84

S/7.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

40 V

30 A

10 mOhms

20 V

2.5 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQRS160EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.91
3,022En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQRS160EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQRS160EP-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

3,022En existencias

S/14.91

S/12.49

S/10.28

S/8.41

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK SO-8SW

N-Channel

1 Channel

60 V

373 A

2 mOhms

20 V

3.2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

270 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.93
5,039En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC034N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,039En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/6.34

S/4.32

S/3.60

S/3.34

Envase tipo carrete

S/3.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

122 A

3.4 mOhms

20 V

3.2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

SIHL050N65SF-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/28.18
819En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHL050N65SF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHL050N65SF-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

Hoja de datos

819En existencias

S/28.18

S/12.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AD-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

52 mOhms

20 V

5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

520 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

SIR680ADP-T1-BE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.63
2,055En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIR680ADP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR680ADP-T1-BE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

2,055En existencias

S/10.63

S/6.85

S/4.90

S/4.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V

SIHFR9024TRL-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.02
2,093En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR9024TRL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9024TRL-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V

Hoja de datos

2,093En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.16

S/2.09

S/1.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V

SIHF520S-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.92
804En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHF520S-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF520S-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V

Hoja de datos

804En existencias

S/5.92

S/3.75

S/2.49

S/1.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V

SIHFR9024-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.02
458En existencias
3,000Se espera el 30/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR9024-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9024-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V

Hoja de datos

458En existencias

3,000Se espera el 30/04/2026

S/5.02

S/3.17

S/2.09

S/1.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

RBA40N10EANS-5UA11#HB0
Renesas Electronics
1: S/6.46
1,400En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RBA40N10EANS-5UA11#HB0

N.º de artículo de Mouser
968-40N10EANS5UA11HB

Nuevo producto

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

Obtenga más información

Hoja de datos

1,400En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.75

S/2.17

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

uSO8-FL

N-Channel

100 V

40 A

11.1 mOhms

4 V

28 nC

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

RBE111N10R1SZN2#HB0
Renesas Electronics
1: S/6.38
2,100En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RBE111N10R1SZN2#HB0

N.º de artículo de Mouser
968-E111N10R1SZN2HB0

Nuevo producto

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

Obtenga más información

Hoja de datos

2,100En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.01

S/2.70

S/2.13

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

uSO8-FL

N-Channel

100 V

40 A

11.1 mOhms

4 V

28 nC

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V

SIHF620S-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.77
881En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHF620S-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF620S-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V

Hoja de datos

881En existencias

S/6.77

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

SIHFBC30AL-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.36
995En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHFBC30AL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFBC30AL-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

Hoja de datos

995En existencias

S/7.36

S/4.67

S/3.12

S/2.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V

SIHFR9220TR-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.02
1,920En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR9220TR-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9220TR-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V

Hoja de datos

1,920En existencias

S/5.02

S/3.18

S/2.10

S/1.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

SIZF4412DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.11
2,643En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIZF4412DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF4412DT-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos

2,643En existencias

S/9.11

S/5.80

S/4.01

S/3.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V

SIHFU220-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.59
2,789En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHFU220-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU220-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V

Hoja de datos

2,789En existencias

S/4.59

S/2.88

S/1.88

S/1.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V

SIHFU420-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.94
2,971En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHFU420-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU420-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V

Hoja de datos

2,971En existencias

S/4.94

S/3.13

S/2.07

S/1.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.25
740En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQM40022EM_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

740En existencias

S/14.25

S/9.30

S/7.12

S/5.96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

1.63 mOhms

20 V

3.5 V

106 C

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 60V 12A

RF7L120BJFRATCR
ROHM Semiconductor
1: S/5.92
2,030En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RF7L120BJFRATCR

N.º de artículo de Mouser
755-RF7L120BJFRATCR

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 60V 12A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,030En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/3.74

S/2.49

S/1.95

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN2020-8

P-Channel

1 Channel

60 V

12 A

119 mOhms

- 20 V, 5 V

2.5 V

15.7 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.02
2,350En existencias
3,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ768ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ768ELP-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

2,350En existencias

3,000En pedido

S/8.02

S/5.06

S/3.31

S/2.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L

N-Channel

2 Channel

60 V

21 A

30.5 mOhms

20 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/22.85
248En existencias
600Se espera el 12/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N028T

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

Hoja de datos

248En existencias

600Se espera el 12/05/2026

S/22.85

S/18.29

S/14.79

S/13.12

S/11.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

84 A

28 mOhms

30 V

4.2 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.76
720En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

720En existencias

Cinta cortada

S/15.76

S/10.32

S/7.24

S/6.07

Ver

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/5.64
1,496En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-S5C460NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,496En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/3.52

S/2.29

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

4.5 mOhms

20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Advanced Linear Devices
Central Semiconductor
Comchip Technology
Diodes Incorporated
Diotec Semiconductor
GigaDevice
iDEAL Semiconductor
Infineon
IXYS
Linear Integrated Systems
Littelfuse
Microchip
Micro Commercial Components (MCC)
Nexperia
Nuvoton
onsemi
Panjit
Rectron
Renesas Electronics
ROHM Semiconductor
Shindengen
Soldered
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
TE Connectivity
Texas Instruments
Torex Semiconductor
Toshiba
TT Electronics
Vishay
WeEn Semiconductors
YAGEO

1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
ATPAK-3
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CCPAK1212-12
CCPAK1212i-12
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6

6 V
8 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 12 V
20 V, 20 V
20 V, 30 V
20 V, 8 V
21 V, 20 V
22 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
0.42 mOhms
420 uOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
530 uOhms
540 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V
450 mV, 950 mV

70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC
340 pC, 400 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ