SIHL050N65SF-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIHL050N65SF-GE3
SIHL050N65SF-GE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 650V

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 355

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/24.41 S/24.41
S/18.68 S/186.80
S/15.14 S/1,514.00
S/13.43 S/6,715.00
S/11.52 S/11,520.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247AD-4L
N-Channel
1 Channel
650 V
64 A
52 mOhms
20 V
5 V
141 nC
- 55 C
+ 150 C
520 W
Enhancement
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tiempo de caída: 38 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 26 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 81 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 149 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 62 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99