.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

EPAD Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 20

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212902PAL
Advanced Linear Devices
1: S/31.68
37En existencias

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ALD212902PAL

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585-ALD212902PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

37En existencias

S/31.68

S/23.04

S/19.42

S/18.29

S/17.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808PCL
Advanced Linear Devices
1: S/32.74
29En existencias

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585-ALD210808PCL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

29En existencias

S/32.74

S/21.68

S/18.06

S/17.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908SAL
Advanced Linear Devices
1: S/29.47
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908SAL

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585-ALD212908SAL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

18En existencias

S/29.47

S/19.38

S/16.11

S/15.73

S/14.79

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

780 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212914SAL
Advanced Linear Devices
1: S/36.36
32En existencias

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585-ALD212914SAL

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Hoja de datos

32En existencias

S/36.36

S/24.09

S/20.05

S/18.84

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210802PCL
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50: S/19.27
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
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585-ALD210802PCL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/19.27

S/19.23

S/19.19

S/18.02

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

220 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210802SCL
Advanced Linear Devices
50: S/17.71
No en existencias

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ALD210802SCL

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585-ALD210802SCL

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Hoja de datos

No en existencias

S/17.71

S/17.67

S/17.44

S/16.39

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

220 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210804PCL
Advanced Linear Devices
50: S/19.27
No en existencias

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ALD210804PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210804PCL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/19.27

S/19.23

S/19.19

S/18.02

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210804SCL
Advanced Linear Devices
50: S/17.71
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210804SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210804SCL

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Hoja de datos

No en existencias

S/17.71

S/17.67

S/17.44

S/16.39

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808APCL
Advanced Linear Devices
50: S/24.21
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808APCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808APCL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/24.21

S/24.17

S/23.43

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808ASCL
Advanced Linear Devices
50: S/22.19
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808ASCL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/22.19

S/22.15

S/21.18

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808SCL
Advanced Linear Devices
50: S/16.62
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808SCL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/16.62

S/16.58

S/16.23

S/15.26

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10.6 V

80 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210814PCL
Advanced Linear Devices
50: S/19.27
No en existencias

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ALD210814PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210814PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/19.27

S/19.23

S/19.19

S/18.02

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-16

N-Channel

4 Channel

10 V

70 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210814SCL
Advanced Linear Devices
50: S/17.71
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210814SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210814SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/17.71

S/17.67

S/17.44

S/16.39

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-16

N-Channel

4 Channel

10 V

70 mA

25 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212902SAL
Advanced Linear Devices
50: S/16.15
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212902SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212902SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/16.15

S/16.11

S/15.73

S/14.79

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

180 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212904PAL
Advanced Linear Devices
50: S/17.56
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212904PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212904PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/17.56

S/17.52

S/17.28

S/16.27

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212904SAL
Advanced Linear Devices
50: S/16.15
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212904SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212904SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/16.15

S/16.11

S/15.73

S/14.79

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

420 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908APAL
Advanced Linear Devices
50: S/24.87
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908APAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908APAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/24.87

S/24.83

S/24.21

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908ASAL
Advanced Linear Devices
50: S/22.85
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908ASAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908ASAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/22.85

S/22.81

S/21.88

Min.: 50
Mult.: 50

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908PAL
Advanced Linear Devices
50: S/17.56
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/17.56

S/17.52

S/17.28

S/16.27

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

780 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212914PAL
Advanced Linear Devices
50: S/21.88
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212914PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212914PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/21.88

S/21.84

S/20.79

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

EPAD Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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