ALD212914PAL

Advanced Linear Devices
585-ALD212914PAL
ALD212914PAL

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 50   Múltiples: 50
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/21.88 S/1,094.00
S/21.84 S/2,184.00
S/20.79 S/20,790.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Advanced Linear Devices
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
PDIP-8
N-Channel
2 Channel
10 V
79 mA
14 Ohms
- 12 V, 12 V
1.4 V
0 C
+ 70 C
500 mW
Enhancement
EPAD
Tube
Marca: Advanced Linear Devices
Configuración: Dual
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: ALD212914P
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 10 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 1 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

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