.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

X2-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 17

Filtros aplicados:

Serie = X2-Class

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTP8N65X2
IXYS
1: S/12.49
28En existencias

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IXTP8N65X2

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747-IXTP8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

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28En existencias

S/12.49

S/6.23

S/4.71

S/4.67

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

IXTK102N65X2
IXYS
1: S/67.77
251En existencias

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IXTK102N65X2

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747-IXTK102N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

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251En existencias

S/67.77

S/45.39

S/45.35

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Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

102 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTA4N65X2
IXYS
1: S/14.79
101En existencias

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IXTA4N65X2

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747-IXTA4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS

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101En existencias

S/14.79

S/8.80

S/7.51

S/5.41

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTA8N65X2
IXYS
1: S/16.70
232En existencias

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IXTA8N65X2

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747-IXTA8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

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232En existencias

S/16.70

S/8.56

S/8.41

S/6.38

S/5.76

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Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 2A N-CH X2CLASS

IXTP2N65X2
IXYS
1: S/13.82
220En existencias

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IXTP2N65X2

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747-IXTP2N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 2A N-CH X2CLASS

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220En existencias

S/13.82

S/7.01

S/6.97

S/5.14

S/4.48

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2 A

2.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

55 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTP4N65X2
IXYS
1: S/13.82
295En existencias

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IXTP4N65X2

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747-IXTP4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH X2CLASS

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S/13.82

S/7.01

S/6.31

S/5.14

S/4.48

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTP8N65X2M
IXYS
1: S/15.76
87En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP8N65X2M

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747-IXTP8N65X2M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

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87En existencias

S/15.76

S/8.06

S/6.93

S/5.96

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTY4N65X2
IXYS
1: S/13.66
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY4N65X2

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747-IXTY4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 4A N-CH X2CLASS

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238En existencias

S/13.66

S/7.86

S/6.81

S/5.37

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTY8N65X2
IXYS
1: S/15.45
29En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY8N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

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29En existencias

S/15.45

S/7.51

S/6.77

S/5.76

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTY8N70X2
IXYS
1: S/16.70
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY8N70X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY8N70X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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60En existencias

S/16.70

S/8.17

S/7.40

S/6.31

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTA8N70X2
IXYS
1: S/17.91
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTA8N70X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA8N70X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/17.91

S/9.26

S/8.37

S/7.28

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTP8N70X2
IXYS
1: S/20.12
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTP8N70X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP8N70X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/20.12

S/10.51

S/9.77

S/8.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTP8N70X2M
IXYS
1: S/16.93
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTP8N70X2M

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP8N70X2M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/16.93

S/8.76

S/7.94

S/7.05

S/6.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTU8N70X2
IXYS
350: S/9.38
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTU8N70X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTU8N70X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/9.38

S/8.25

Min.: 350
Mult.: 70

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS

IXTX102N65X2
IXYS
300: S/52.28
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTX102N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX102N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/52.28

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

102 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 2A N-CH X2CLASS

IXTY2N65X2
IXYS
1: S/11.13
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTY2N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY2N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 2A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/11.13

S/6.42

S/4.75

S/4.13

S/3.81

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2 A

2.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

55 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTY4N65X2 TRL

IXTY4N65X2-TRL
IXYS
2,500: S/4.94
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTY4N65X2-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY4N65X2-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTY4N65X2 TRL

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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.94

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

- 55 C

+ 150 C

80 W

Reel

X2-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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