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IXTY4N65X2-TRL

Name: IXYS IXTY4N65X2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY4N65X2-TRL
Price: 4.63 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXTY4N65X2-TRL

Fabricante N.º:

IXTY4N65X2-TRL

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTY4N65X2 TRL

Hoja de datos:

IXTY4N65X2-TRL Hoja de datos

Modelo ECAD:

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N.º de artículo del Fabricante:

IXTY4N65X2

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

S/13.51

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	850 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	80 W
Empaquetado:	Reel
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	28 ns
Serie:	X2-Class
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	57 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns
Peso de la unidad:	330 mg

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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