Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 81

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPTC068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/32.27
7,529En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPTC068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC068N20NM6ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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7,529En existencias

Cinta cortada

S/32.27

S/22.19

S/17.32

S/16.19

Envase tipo carrete

S/16.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

6.8 mOhms

20 V

4.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC45N04S6N070HATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.81
13,150En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC45N04S6N070HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC45N04S6N070H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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13,150En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.36

S/2.90

S/2.29

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

55 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.22
10,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ021N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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10,250En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/4.24

S/3.68

S/3.36

Ver

Envase tipo carrete

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC45N04S6L063HATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
8,694En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC45N04S6L063HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC45N04S6L063H

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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8,694En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.51

S/2.94

S/2.33

Ver

Envase tipo carrete

S/1.94

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

59 A

6.3 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA250N04S6N005AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.54
5,746En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N04S6N005AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N04S6N005

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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5,746En existencias

Cinta cortada

S/16.54

S/10.63

S/7.71

S/7.05

S/6.62

Envase tipo carrete

S/6.54

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-5

N-Channel

1 Channel

40 V

490 A

550 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

250 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6L045HATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.63
4,846En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6L045HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6L045H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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4,846En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.79

S/3.28

S/2.60

Ver

Envase tipo carrete

S/2.27

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.5 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA250N04S6N007EAUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.39
8,112En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N04S6N007EAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N04S6N00E

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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8,112En existencias

Cinta cortada

S/13.39

S/8.76

S/6.11

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-1

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

192 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

IPB014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.14
700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

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Cinta cortada

S/28.14

S/20.79

S/16.82

S/14.95

Envase tipo carrete

S/13.23

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB095N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.47
1,796En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB095N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB095N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Cinta cortada

S/23.47

S/15.73

S/11.33

S/11.21

Envase tipo carrete

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

PG-TO263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

IPF011N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.86
700En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF011N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF011N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

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700En existencias

Cinta cortada

S/29.86

S/20.40

S/15.57

Envase tipo carrete

S/14.56

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP095N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.31
1,915En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP095N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP095N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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1,915En existencias

S/19.31

S/10.04

S/9.15

S/9.07

S/8.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

IQE031N08LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.85
5,358En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE031N08LM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE031N08LM6CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

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Hoja de datos

5,358En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/6.73

S/5.68

S/5.49

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

127 A

3.15 mOhms

20 V

2.3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

IQE031N08LM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.20
6,257En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE031N08LM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE031N08LM6CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

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6,257En existencias

Cinta cortada

S/13.20

S/9.11

S/7.79

S/7.51

S/7.40

Envase tipo carrete

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

PG-WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

127 A

3.15 mOhms

20 V

2.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP130N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.75
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP130N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP130N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

550En existencias

S/17.75

S/9.19

S/8.37

S/8.14

S/7.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12 mOhms

20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

ISC300N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.65
292En existencias
5,000Se espera el 7/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC300N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC300N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

292En existencias

5,000Se espera el 7/05/2026

Cinta cortada

S/12.65

S/8.25

S/5.72

S/4.90

S/4.55

Envase tipo carrete

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB038N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.28
1,043En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB038N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB038N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,043En existencias

Cinta cortada

S/20.28

S/13.51

S/9.65

S/9.23

Envase tipo carrete

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

156 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB085N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.95
2,224En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB085N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB085N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

Obtenga más información

Hoja de datos

2,224En existencias

Cinta cortada

S/11.95

S/7.75

S/5.37

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

90 A

8 mOhms

20 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

IPF036N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.67
1,232En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF036N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF036N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,232En existencias

Cinta cortada

S/20.67

S/14.36

S/10.28

S/9.96

Envase tipo carrete

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

3.4 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

IPP038N15NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.23
2,436En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP038N15NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP038N15NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

2,436En existencias

S/19.23

S/10.86

S/10.00

S/9.96

S/9.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

178 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

IPT034N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.66
3,849En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT034N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT034N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

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Hoja de datos

3,849En existencias

Cinta cortada

S/19.66

S/13.08

S/9.34

S/8.87

S/8.41

Envase tipo carrete

S/8.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

IPT047N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.26
3,918En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT047N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT047N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

Obtenga más información

Hoja de datos

3,918En existencias

Cinta cortada

S/18.26

S/12.11

S/8.60

S/8.02

S/7.59

Envase tipo carrete

S/7.47

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

147 A

4.4 mOhms

20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

IPTC034N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.51
1,922En existencias
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IPTC034N15NM6ATMA1

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726-IPTC034N15NM6ATM

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S/20.51

S/14.25

S/10.24

S/9.89

S/9.23

Envase tipo carrete

S/9.23

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

194 A

3.2 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

ISC165N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.26
3,935En existencias
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ISC165N15NM6ATMA1

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726-ISC165N15NM6ATMA

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S/5.96

S/4.09

S/3.24

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Envase tipo carrete

S/2.96

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

15.6 mOhms

20 V

4 V

14.8 nC

- 55 C

+ 175 C

95 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.43
6,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT017N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT017N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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S/23.43

S/15.88

S/11.44

S/11.37

S/11.17

Envase tipo carrete

S/10.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

120 V

331 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQE013N04LM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.22
18,903En existencias
18,000En pedido

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IQE013N04LM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE013N04LM6CGSC

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S/12.22

S/7.94

S/5.53

S/4.67

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Envase tipo carrete

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

31 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

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PG-WHTFN-9
SON-8
sTOLL-6
TDSON-8
TDSON-8FL
TDSON-FL-8

24 A
26 A
31 A
39 A
40 A
44 A
50 A
55 A
59 A
62 A
63 A
74 A
75 A
80 A
86 A
87 A
88 A
90 A
97 A
100 A

450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
880 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.35 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.24 mOhms
2.4 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.15 mOhms

3.6 nC
7.4 nC
9 nC
9.4 nC
9.5 nC
9.9 nC
10 nC
10.4 nC
13 nC
14 nC
14.4 nC
14.8 nC
15.9 nC
17 nC
19 nC
23 nC
25 nC
26 nC
28 nC
29 nC

250 mW
2.5 W
38 W
41 W
43 W
48 W
52 W
75 W
79 W
83 W
88 W
94 W
95 W
100 W
125 W
136 W
150 W
158 W
167 W
187 W