IAUC45N04S6N070HATMA1

Infineon Technologies
726-IAUC45N04S6N070H
IAUC45N04S6N070HATMA1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 13,720

Existencias:
13,720 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/6.81 S/6.81
S/4.36 S/43.60
S/2.90 S/290.00
S/2.29 S/1,145.00
S/2.08 S/2,080.00
S/1.97 S/4,925.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
S/1.70 S/8,500.00
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
55 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
9 nC
- 55 C
+ 175 C
41 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Tiempo de caída: 2 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 1 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 4 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 3 ns
Alias de las piezas n.º: IAUC45N04S6N070H SP003863380
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor RDS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.