MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4

MSC015SMA070B4
Microchip Technology
1: S/74.54
150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSC015SMA070B4

N.º de artículo de Mouser
494-MSC015SMA070B4

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4

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Hoja de datos

150En existencias

S/74.54

S/69.95

S/60.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

700 V

112 A

19 mOhms

- 10 V, + 23 V

1.9 V

215 nC

- 55 C

+ 175 C

524 W

Enhancement

MOSFETs de SiC FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD

MSC035SMA070B4
Microchip Technology
1: S/45.54
862En existencias
270Se espera el 27/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
MSC035SMA070B4

N.º de artículo de Mouser
494-MSC035SMA070B4

Microchip Technology

MOSFETs de SiC FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD

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Hoja de datos

862En existencias

270Se espera el 27/03/2026

S/45.54

S/43.63

S/37.06

S/35.69

S/35.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

700 V

77 A

44 mOhms

- 10 V, + 23 V

1.9 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

283 W

Enhancement

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4

MSC025SMA120B4
Microchip Technology
1: S/146.40
258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSC025SMA120B4

N.º de artículo de Mouser
494-MSC025SMA120B4

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4

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Hoja de datos

258En existencias

S/146.40

S/138.81

S/130.28

S/128.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

103 A

31 mOhms

- 10 V, + 23 V

1.8 V

232 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4

MSC040SMA120B4
Microchip Technology
1: S/68.00
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSC040SMA120B4

N.º de artículo de Mouser
494-MSC040SMA120B4

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4

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Hoja de datos

67En existencias

S/68.00

S/62.71

S/54.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

66 A

40 mOhms

- 10 V, + 23 V

2.6 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

323 W

Enhancement

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247

MSC035SMA170B
Microchip Technology
1: S/157.92
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSC035SMA170B

N.º de artículo de Mouser
494-MSC035SMA170B

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247

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Hoja de datos

90En existencias

S/157.92

S/145.62

S/126.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

68 A

45 mOhms

- 10 V, + 23 V

1.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

370 W

Enhancement

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4

MSC035SMA170B4
Microchip Technology
1: S/162.71
318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSC035SMA170B4

N.º de artículo de Mouser
579-MSC035SMA170B4

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4

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Hoja de datos

318En existencias

S/162.71

S/150.02

S/130.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

68 A

35 mOhms

- 10 V, + 23 V

3.25 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

370 W

Enhancement

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268

MSC035SMA170S
Microchip Technology
1: S/161.54
242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSC035SMA170S

N.º de artículo de Mouser
579-MSC035SMA170S

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268

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Hoja de datos

242En existencias

S/161.54

S/148.97

S/129.62

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-268-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

59 A

35 mOhms

- 10 V, + 23 V

3.25 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Enhancement

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4

MSC080SMA120B4
Microchip Technology
1: S/35.97
17En existencias
120Se espera el 2/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
MSC080SMA120B4

N.º de artículo de Mouser
494-MSC080SMA120B4

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4

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17En existencias

120Se espera el 2/04/2026

S/35.97

S/33.16

S/28.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

37 A

80 mOhms

- 10 V, + 23 V

2.8 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268

MSC750SMA170S
Microchip Technology
1: S/24.09
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSC750SMA170S

N.º de artículo de Mouser
494-MSC750SMA170S

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268

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45En existencias

S/24.09

S/22.23

S/19.31

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

4.4 A

750 mOhms

- 10 V, + 23 V

3.25 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4

MSC060SMA070B4
Microchip Technology
1: S/25.50
55En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MSC060SMA070B4

N.º de artículo de Mouser
494-MSC060SMA070B4

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247-4

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55En existencias

S/25.50

S/23.51

S/20.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

700 V

39 A

75 mOhms

- 10 V, + 23 V

1.9 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247

MSC750SMA170B
Microchip Technology
1: S/21.18
592Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
MSC750SMA170B

N.º de artículo de Mouser
494-MSC750SMA170B

Microchip Technology

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247

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592Se espera el 16/03/2026

S/21.18

S/19.54

S/17.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

5 A

750 mOhms

- 10 V, + 23 V

3.25 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

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