MSC015SMA070B4

Microchip Technology
494-MSC015SMA070B4
MSC015SMA070B4

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4

Modelo ECAD:
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En existencias: 150

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
6 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/74.81 S/74.81
S/69.95 S/699.50
S/60.37 S/1,811.10

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
700 V
112 A
19 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.9 V
215 nC
- 55 C
+ 175 C
524 W
Enhancement
Marca: Microchip Technology
Configuración: Single
Tiempo de caída: 12 ns
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 22 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 27 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.