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STMicroelectronics PowerMESH Transistores

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Tipos de Transistores

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N.° de pieza

IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp

STGB20NB41LZT4
STMicroelectronics
1: S/15.06
1,561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB20NB41LZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB20NB41LZ

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp

Hoja de datos

1,561En existencias

Cinta cortada

S/15.06

S/9.89

S/6.97

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.22

S/5.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STP3N150
STMicroelectronics
1: S/21.25
1,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

1,176En existencias

S/21.25

S/11.41

S/10.39

S/8.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

STE40NC60
STMicroelectronics
1: S/155.47
146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE40NC60

N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

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Hoja de datos

146En existencias

S/155.47

S/120.94

S/106.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

STE53NC50
STMicroelectronics
1: S/156.21
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE53NC50

N.º de artículo de Mouser
511-STE53NC50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

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Hoja de datos

199En existencias

S/156.21

S/116.62

S/115.69

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

STFW3N170
STMicroelectronics
1: S/23.12
565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Hoja de datos

565En existencias

S/23.12

S/17.48

S/14.13

S/12.53

S/10.74

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT

STGD6NC60H-1
STMicroelectronics
1: S/7.08
4,058En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD6NC60H-1

N.º de artículo de Mouser
511-STGD6NC60H-1

STMicroelectronics

IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT

Hoja de datos

Comentarios de Producto

4,058En existencias

S/7.08

S/3.16

S/2.84

S/2.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IPAK-3

IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp

STGD7NB60ST4
STMicroelectronics
1: S/11.13
1,983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD7NB60ST4

N.º de artículo de Mouser
511-STGD7NB60ST4

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp

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Hoja de datos

1,983En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/7.20

S/4.98

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

IGBTs N-CHANNEL IGBT

STGW30NC120HD
STMicroelectronics
1: S/18.10
2,808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW30NC120HD

N.º de artículo de Mouser
511-STGW30NC120HD

STMicroelectronics

IGBTs N-CHANNEL IGBT

Hoja de datos

2,808En existencias

S/18.10

S/12.26

S/8.64

S/8.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

STH3N150-2
STMicroelectronics
1: S/21.60
815En existencias
1,000Se espera el 13/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH3N150-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH3N150-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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Hoja de datos

815En existencias

1,000Se espera el 13/04/2026

Cinta cortada

S/21.60

S/15.45

S/11.33

S/11.21

Envase tipo carrete

S/9.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

STP4N150
STMicroelectronics
1: S/22.77
1,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

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Hoja de datos

1,497En existencias

S/22.77

S/12.03

S/10.98

S/9.15

S/8.76

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STW3N150
STMicroelectronics
1: S/20.28
3,412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

3,412En existencias

S/20.28

S/13.47

S/10.90

S/9.69

S/8.29

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

STW3N170
STMicroelectronics
1: S/22.77
1,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

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Hoja de datos

1,190En existencias

S/22.77

S/17.20

S/13.90

S/12.38

S/10.59

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

STW4N150
STMicroelectronics
1: S/28.14
518En existencias
600Se espera el 13/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

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Hoja de datos

518En existencias

600Se espera el 13/04/2026

S/28.14

S/16.00

S/11.68

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

STW9N150
STMicroelectronics
1: S/36.98
589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW9N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

Hoja de datos

589En existencias

S/36.98

S/27.52

S/22.93

S/20.44

S/18.22

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

STFW3N150
STMicroelectronics
1: S/16.15
544En existencias
2,100En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

544En existencias

2,100En pedido

S/16.15

S/6.85

S/6.15

S/6.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: S/24.95
354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

354En existencias

S/24.95

S/19.11

S/15.45

S/13.74

S/11.76

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp

STGE200NB60S
STMicroelectronics
1: S/103.81
1En existencias
100Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STGE200NB60S

N.º de artículo de Mouser
511-STGE200NB60S

STMicroelectronics

Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1En existencias

100Se espera el 24/08/2026

S/103.81

S/75.63

S/63.37

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Through Hole

ISOTOP-4

IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT

STGF7NB60SL
STMicroelectronics
1: S/8.49
1,004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGF7NB60SL

N.º de artículo de Mouser
511-STGF7NB60SL

STMicroelectronics

IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT

Obtenga más información

Hoja de datos

1,004En existencias

S/8.49

S/4.13

S/3.69

S/2.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3 FP

IGBTs N Ch 10A 600V

STGD10NC60HT4
STMicroelectronics
2,500: S/2.23
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STGD10NC60HT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGD10NC60HT4

STMicroelectronics

IGBTs N Ch 10A 600V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.23

S/2.08

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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