.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

PowerMESH Transistores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp

STGB20NB41LZT4
STMicroelectronics
1: S/15.06
1,561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB20NB41LZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB20NB41LZ

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp

Hoja de datos

1,561En existencias

Cinta cortada

S/15.06

S/9.89

S/6.97

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

STE53NC50
STMicroelectronics
1: S/152.70
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE53NC50

N.º de artículo de Mouser
511-STE53NC50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

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Hoja de datos

199En existencias

S/152.70

S/120.90

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STP3N150
STMicroelectronics
1: S/20.28
1,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

1,156En existencias

S/20.28

S/11.41

S/10.39

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

STE40NC60
STMicroelectronics
1: S/158.27
146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE40NC60

N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

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Hoja de datos

146En existencias

S/158.27

S/128.10

S/117.48

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

STFW3N150
STMicroelectronics
1: S/17.56
1,625En existencias
900Se espera el 20/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

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Hoja de datos

1,625En existencias

900Se espera el 20/03/2026

S/17.56

S/11.44

S/8.02

S/7.24

S/6.93

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

STFW3N170
STMicroelectronics
1: S/23.78
565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Hoja de datos

565En existencias

S/23.78

S/13.97

S/11.68

S/11.64

S/11.13

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT

STGD6NC60H-1
STMicroelectronics
1: S/6.97
4,058En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD6NC60H-1

N.º de artículo de Mouser
511-STGD6NC60H-1

STMicroelectronics

IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT

Hoja de datos

Comentarios de Producto

4,058En existencias

S/6.97

S/3.16

S/2.84

S/2.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IPAK-3

IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp

STGD7NB60ST4
STMicroelectronics
1: S/11.13
1,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD7NB60ST4

N.º de artículo de Mouser
511-STGD7NB60ST4

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp

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1,783En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/7.20

S/4.98

S/4.13

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

IGBTs N-CHANNEL IGBT

STGW30NC120HD
STMicroelectronics
1: S/20.90
2,808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW30NC120HD

N.º de artículo de Mouser
511-STGW30NC120HD

STMicroelectronics

IGBTs N-CHANNEL IGBT

Hoja de datos

2,808En existencias

S/20.90

S/12.26

S/10.16

S/9.61

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

STH3N150-2
STMicroelectronics
1: S/23.43
795En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STH3N150-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH3N150-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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795En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/23.43

S/15.73

S/11.33

S/11.21

Envase tipo carrete

S/10.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

STP4N150
STMicroelectronics
1: S/22.77
1,487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

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Hoja de datos

1,487En existencias

S/22.77

S/12.03

S/10.98

S/10.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STW3N150
STMicroelectronics
1: S/20.24
3,396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

3,396En existencias

S/20.24

S/11.37

S/9.42

S/9.34

S/8.60

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

STW3N170
STMicroelectronics
1: S/23.47
1,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

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Hoja de datos

1,190En existencias

S/23.47

S/13.82

S/11.52

S/10.98

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

STW4N150
STMicroelectronics
1: S/28.14
472En existencias
600Se espera el 13/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

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Hoja de datos

472En existencias

600Se espera el 13/04/2026

S/28.14

S/16.23

S/13.62

S/13.35

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

STW9N150
STMicroelectronics
1: S/36.90
589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW9N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

Hoja de datos

589En existencias

S/36.90

S/21.76

S/19.11

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: S/25.53
232En existencias
600Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STFW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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Hoja de datos

232En existencias

600Se espera el 27/07/2026

S/25.53

S/15.06

S/12.57

S/12.18

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp

STGE200NB60S
STMicroelectronics
1: S/101.13
31En existencias
85Se espera el 6/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STGE200NB60S

N.º de artículo de Mouser
511-STGE200NB60S

STMicroelectronics

Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp

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31En existencias

85Se espera el 6/04/2026

S/101.13

S/75.63

S/72.48

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Through Hole

ISOTOP-4

IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT

STGF7NB60SL
STMicroelectronics
1: S/8.49
1,004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGF7NB60SL

N.º de artículo de Mouser
511-STGF7NB60SL

STMicroelectronics

IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT

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Hoja de datos

1,004En existencias

S/8.49

S/4.13

S/3.69

S/3.32

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Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3 FP

IGBTs N Ch 10A 600V

STGD10NC60HT4
STMicroelectronics
2,500: S/2.38
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STGD10NC60HT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGD10NC60HT4

STMicroelectronics

IGBTs N Ch 10A 600V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.38

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

PowerMESH Transistores

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