Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP16N65M2
STMicroelectronics
1:
S/11.02
251 En existencias
1,000 Se espera el 27/07/2026
N.º de artículo de Mouser 511-STP16N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
251 En existencias
1,000 Se espera el 27/07/2026
1
S/11.02
10
S/7.08
100
S/5.06
500
S/4.24
1,000
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1,000
S/3.59
2,000
S/3.57
5,000
S/3.51
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
STF18N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/11.99
371 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF18N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
371 En existencias
1
S/11.99
10
S/7.75
100
S/5.68
500
S/4.75
1,000
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S/4.09
2,000
S/3.89
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
STL4N10F7
STMicroelectronics
1:
S/3.81
923 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL4N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
923 En existencias
1
S/3.81
10
S/2.38
100
S/1.55
500
S/1.19
3,000
S/0.911
6,000
Ver
1,000
S/1.05
6,000
S/0.872
9,000
S/0.852
24,000
S/0.845
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
+1 imagen
STL64DN4F7AG
STMicroelectronics
1:
S/8.41
654 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL64DN4F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M
654 En existencias
1
S/8.41
10
S/5.41
100
S/3.73
500
S/3.16
3,000
S/2.30
6,000
Ver
1,000
S/2.64
6,000
S/2.19
24,000
Presupuesto
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MOSFETs
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
360°
+4 imágenes
STHU47N60DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/25.30
59 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STHU47N60DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
59 En existencias
1
S/25.30
10
S/17.83
100
S/12.85
600
S/12.30
1,200
S/11.87
2,400
S/11.68
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
1:
S/6.73
2,805 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET
2,805 En existencias
1
S/6.73
10
S/4.28
100
S/2.86
500
S/2.34
3,000
S/1.78
6,000
Ver
1,000
S/2.05
6,000
S/1.65
9,000
S/1.63
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
ST13007D
STMicroelectronics
1:
S/8.25
1,336 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ST13007D
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
1,336 En existencias
1
S/8.25
10
S/2.91
100
S/2.63
500
S/2.49
1,000
Ver
1,000
S/2.32
2,000
S/2.30
5,000
S/2.21
25,000
Presupuesto
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Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
STB10N60M2
STMicroelectronics
1:
S/9.46
1,075 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB10N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
1,075 En existencias
1
S/9.46
10
S/6.11
100
S/4.16
500
S/3.38
1,000
S/2.84
2,000
Ver
2,000
S/2.72
5,000
S/2.67
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp
STB30NF10T4
STMicroelectronics
1:
S/7.86
1,412 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB30NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp
1,412 En existencias
1
S/7.86
10
S/5.02
100
S/3.39
500
S/2.69
1,000
S/2.20
2,000
Ver
2,000
S/2.16
5,000
S/2.07
Comprar
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
STD18N60M6
STMicroelectronics
1:
S/8.64
1,632 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD18N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
1,632 En existencias
1
S/8.64
10
S/5.53
100
S/3.81
500
S/3.05
2,500
S/2.37
5,000
Ver
1,000
S/2.72
5,000
S/2.27
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp
STD20NF10T4
STMicroelectronics
1:
S/6.15
1,981 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD20NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp
1,981 En existencias
1
S/6.15
10
S/3.86
100
S/2.56
500
S/2.02
2,500
S/1.55
5,000
Ver
1,000
S/1.83
5,000
S/1.42
10,000
S/1.41
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
STD3NM60N
STMicroelectronics
1:
S/6.81
2,222 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD3NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
2,222 En existencias
1
S/6.81
10
S/4.32
100
S/2.90
500
S/2.30
2,500
S/1.79
5,000
Ver
1,000
S/2.11
5,000
S/1.76
10,000
S/1.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
STD6N60M2
STMicroelectronics
1:
S/7.75
2,265 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD6N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
2,265 En existencias
1
S/7.75
10
S/4.94
100
S/3.35
500
S/2.84
2,500
S/2.14
5,000
Ver
1,000
S/2.58
5,000
S/1.97
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package
+1 imagen
STD80N3LL
STMicroelectronics
1:
S/3.66
2,977 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD80N3LL
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package
2,977 En existencias
1
S/3.66
10
S/2.58
100
S/1.88
500
S/1.56
2,500
S/1.32
5,000
Ver
1,000
S/1.43
5,000
S/1.23
10,000
S/1.22
25,000
S/1.19
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF26N60M2
STMicroelectronics
1:
S/13.27
981 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF26N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
981 En existencias
1
S/13.27
10
S/6.70
100
S/6.03
500
S/4.90
1,000
Ver
1,000
S/4.52
2,000
S/4.24
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct
STGIF10CH60TS-L
STMicroelectronics
1:
S/51.23
97 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGIF10CH60TS-L
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct
97 En existencias
1
S/51.23
10
S/34.53
100
S/26.90
468
S/25.61
5,148
Ver
5,148
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIP2F-26
IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
STGP19NC60KD
STMicroelectronics
1:
S/12.49
997 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP19NC60KD
STMicroelectronics
IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
997 En existencias
1
S/12.49
10
S/6.27
100
S/5.64
500
S/4.59
1,000
Ver
1,000
S/4.20
2,000
S/3.93
5,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
360°
+6 imágenes
STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics
1:
S/32.15
258 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
258 En existencias
1
S/32.15
10
S/23.39
100
S/19.50
600
S/13.86
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
STGWA50HP65FB2
STMicroelectronics
1:
S/14.09
662 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGWA50HP65FB2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
662 En existencias
1
S/14.09
10
S/7.71
100
S/5.25
600
S/4.87
1,200
S/4.59
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
1:
S/35.85
380 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
380 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
STI20N65M5
STMicroelectronics
1:
S/14.99
958 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STI20N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
958 En existencias
1
S/14.99
10
S/7.24
100
S/5.96
500
S/5.41
1,000
Ver
1,000
S/5.22
2,000
S/5.06
5,000
S/5.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
STL13N60M6
STMicroelectronics
1:
S/10.12
2,800 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL13N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
2,800 En existencias
1
S/10.12
10
S/6.46
100
S/4.40
500
S/3.60
3,000
S/2.83
6,000
Ver
1,000
S/3.25
6,000
S/2.79
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
STL36N55M5
STMicroelectronics
1:
S/23.08
2,984 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36N55M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
2,984 En existencias
1
S/23.08
10
S/16.70
100
S/12.11
3,000
S/9.85
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
STL40N10F7
STMicroelectronics
1:
S/8.17
2,086 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL40N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
2,086 En existencias
1
S/8.17
10
S/5.22
100
S/3.60
500
S/2.86
3,000
S/2.22
6,000
Ver
1,000
S/2.57
6,000
S/2.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
STP24N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/14.91
855 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP24N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
855 En existencias
1
S/14.91
10
S/5.92
100
S/5.84
500
S/5.76
1,000
Ver
1,000
S/5.37
2,000
S/5.22
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Perú
