IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
360°
+4 imágenes
STGW75H65DFB2-4
STMicroelectronics
1:
S/21.56
598 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW75H65DFB2-4
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
598 En existencias
1
S/21.56
10
S/15.61
100
S/14.40
600
S/13.82
3,000
Ver
3,000
S/13.74
5,400
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
STH240N10F7-2
STMicroelectronics
1:
S/18.29
940 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH240N10F7-2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
940 En existencias
1
S/18.29
10
S/12.11
100
S/8.60
500
S/7.98
1,000
S/6.42
2,000
S/6.34
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
STL140N4LLF5
STMicroelectronics
1:
S/12.30
2,858 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL140N4LLF5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
2,858 En existencias
1
S/12.30
10
S/7.98
100
S/5.68
500
S/4.83
1,000
S/4.48
3,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL160N4F7
STMicroelectronics
1:
S/7.51
4,235 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL160N4F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
4,235 En existencias
1
S/7.51
10
S/4.79
100
S/3.25
500
S/2.58
3,000
S/2.07
6,000
Ver
1,000
S/2.35
6,000
S/2.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
STL260N4F7
STMicroelectronics
1:
S/14.29
5,403 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL260N4F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
5,403 En existencias
1
S/14.29
10
S/9.38
100
S/6.54
500
S/5.76
3,000
S/4.87
6,000
Ver
1,000
S/5.29
6,000
S/4.67
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
STP20NK50Z
STMicroelectronics
1:
S/19.31
4,483 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP20NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
4,483 En existencias
1
S/19.31
10
S/9.30
100
S/8.95
1,000
S/8.56
5,000
Ver
5,000
S/8.45
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
STP30N65M5
STMicroelectronics
1:
S/28.77
708 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP30N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
708 En existencias
1
S/28.77
10
S/15.49
100
S/14.67
500
S/12.57
1,000
Ver
1,000
S/12.53
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
STP33N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/13.74
1,426 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP33N60DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
1,426 En existencias
1
S/13.74
10
S/9.23
100
S/8.56
500
S/7.43
1,000
Ver
1,000
S/6.89
2,000
S/6.85
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
STP45N60DM6
STMicroelectronics
1:
S/27.25
1,008 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP45N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
1,008 En existencias
1
S/27.25
10
S/20.12
100
S/16.27
500
S/14.48
1,000
Ver
1,000
S/11.72
2,000
S/11.17
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
STP7NK80Z
STMicroelectronics
1:
S/14.87
1,935 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP7NK80Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
1,935 En existencias
1
S/14.87
10
S/6.70
100
S/6.27
500
S/5.61
1,000
Ver
1,000
S/5.02
2,000
S/4.94
5,000
S/4.87
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
STS5DNF60L
STMicroelectronics
1:
S/6.50
3,793 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STS5DNF60L
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Dual N-CH 60V 4A
3,793 En existencias
1
S/6.50
10
S/4.13
100
S/2.75
500
S/2.17
2,500
S/1.84
5,000
Ver
1,000
S/1.98
5,000
S/1.59
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
STS6NF20V
STMicroelectronics
1:
S/3.70
16,886 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STS6NF20V
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20 Volt 6 Amp
16,886 En existencias
1
S/3.70
10
S/2.30
100
S/1.50
500
S/1.16
2,500
S/0.923
5,000
Ver
1,000
S/1.05
5,000
S/0.81
25,000
S/0.728
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STU13N60M2
STMicroelectronics
1:
S/8.25
2,414 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
2,414 En existencias
1
S/8.25
10
S/3.73
100
S/3.36
500
S/2.82
3,000
S/2.21
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
STU7NM60N
STMicroelectronics
1:
S/11.41
1,749 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU7NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
1,749 En existencias
1
S/11.41
10
S/4.90
100
S/4.52
500
S/4.09
1,000
Ver
1,000
S/3.53
3,000
S/3.44
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STW12N170K5
STMicroelectronics
1:
S/41.30
1,113 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW12N170K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1,113 En existencias
1
S/41.30
10
S/28.80
100
S/20.63
600
S/20.36
1,200
Ver
1,200
S/19.58
3,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
+1 imagen
STW77N65M5
STMicroelectronics
1:
S/63.25
511 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW77N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
511 En existencias
1
S/63.25
10
S/39.04
100
S/33.71
600
S/33.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET
STLD200N4F6AG
STMicroelectronics
1:
S/15.61
2,251 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-STLD200N4F6AG
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET
2,251 En existencias
1
S/15.61
10
S/10.28
100
S/7.47
500
S/6.62
1,000
S/6.46
2,500
S/5.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
STP11NM60FDFP
STMicroelectronics
1:
S/14.05
537 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 511-STP11NM60FDFP
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
537 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistores Darlington Seven NPN Array
ULN2002D1013TR
STMicroelectronics
1:
S/2.37
5,311 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ULN2002D1013TR
STMicroelectronics
Transistores Darlington Seven NPN Array
5,311 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.37
10
S/1.44
100
S/1.19
500
S/1.12
2,500
S/0.876
5,000
Ver
1,000
S/1.10
5,000
S/0.743
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Darlington Transistors
SMD/SMT
SOIC-16
NPN
Transistores Darlington Eight NPN Array
ULQ2802A
STMicroelectronics
1:
S/9.11
682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-ULQ2802A
STMicroelectronics
Transistores Darlington Eight NPN Array
682 En existencias
1
S/9.11
10
S/6.19
100
S/5.25
500
S/5.06
1,000
Ver
1,000
S/4.28
2,000
S/4.13
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Darlington Transistors
Through Hole
PDIP-18
NPN
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
SD2931-11W
STMicroelectronics
1:
S/328.64
5 En existencias
250 En pedido
N.º de artículo de Mouser 511-SD2931-11W
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
5 En existencias
250 En pedido
Ver fechas
Existencias:
5 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
100 Se espera el 27/04/2026
150 Se espera el 4/05/2026
Plazo de entrega de fábrica:
28 Semanas
1
S/328.64
10
S/273.37
100
S/250.75
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/13.12
227 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
227 En existencias
1
S/13.12
10
S/8.52
100
S/6.54
500
S/5.45
1,000
S/4.44
2,000
S/4.40
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET
STD155N3LH6
STMicroelectronics
1:
S/9.19
363 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD155N3LH6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET
363 En existencias
1
S/9.19
10
S/5.92
100
S/4.01
500
S/3.14
2,500
S/2.61
5,000
Ver
1,000
S/3.06
5,000
S/2.49
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
360°
+6 imágenes
STGB40V60F
STMicroelectronics
1:
S/14.21
74 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGB40V60F
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
74 En existencias
1
S/14.21
10
S/9.26
100
S/7.24
500
S/6.07
1,000
S/5.22
2,000
S/4.94
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
D2PAK
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU6N65M2
STMicroelectronics
1:
S/6.07
45 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU6N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
45 En existencias
1
S/6.07
10
S/2.98
100
S/2.46
500
S/2.04
1,000
Ver
1,000
S/1.74
3,000
S/1.54
9,000
S/1.46
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Perú
