Semiconductores discretos

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores discretos

Lista Imágenes

Resultados: 130

Filtros aplicados:

Tipo de producto

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STB24N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.74
2,628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

Hoja de datos

2,628En existencias

Cinta cortada

S/13.74

S/8.95

S/6.31

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.75

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N65M2
STMicroelectronics
1: S/19.66
4,482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

4,482En existencias

Cinta cortada

S/19.66

S/13.08

S/9.34

S/8.87

Envase tipo carrete

S/7.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

STF40N60M2
STMicroelectronics
1: S/23.71
1,534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,534En existencias

S/23.71

S/16.23

S/13.12

S/11.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL18N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.65
3,751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

Obtenga más información

Hoja de datos

3,751En existencias

Cinta cortada

S/12.65

S/8.21

S/5.80

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

STL24N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.83
2,130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,130En existencias

Cinta cortada

S/14.83

S/9.73

S/6.81

S/6.07

S/6.03

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

STW42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/23.90
1,020En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack

Obtenga más información

Hoja de datos

1,020En existencias

S/23.90

S/17.59

S/14.05

S/14.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N65M2
STMicroelectronics
1: S/16.54
2,032En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

2,032En existencias

Cinta cortada

S/16.54

S/11.05

S/7.86

S/7.16

Envase tipo carrete

S/5.96

S/5.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.05
2,734En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

2,734En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/7.16

S/4.94

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD5N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.58
6,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

6,550En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.20

S/2.82

S/2.22

Envase tipo carrete

S/1.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N65M2
STMicroelectronics
1: S/8.33
3,209En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD13N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

3,209En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.70

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF24N65M2
STMicroelectronics
1: S/7.43
1,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF24N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,163En existencias

S/7.43

S/5.99

S/5.64

S/5.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF33N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.42
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000En existencias

S/12.42

S/8.21

S/7.71

S/6.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STI28N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.96
1,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STI28N60M2

STMicroelectronics

Obtenga más información

Hoja de datos

1,848En existencias

S/12.96

S/7.12

S/5.84

S/5.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

STW40N60M2
STMicroelectronics
1: S/19.70
1,100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,100En existencias

S/19.70

S/10.78

S/8.87

S/8.33

S/8.02

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.08
1,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60M2

STMicroelectronics

Obtenga más información

Hoja de datos

1,893En existencias

Cinta cortada

S/10.08

S/6.50

S/4.52

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

STW70N60M2
STMicroelectronics
1: S/34.84
647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW70N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW70N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

Obtenga más información

Hoja de datos

647En existencias

S/34.84

S/21.56

S/17.28

S/17.24

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL16N60M2
STMicroelectronics
1: S/11.76
3,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL16N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

Obtenga más información

Hoja de datos

3,126En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/7.63

S/5.29

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.86

S/3.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB40N60M2
STMicroelectronics
1: S/22.89
Plazo de entrega 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 14 Semanas

Cinta cortada

S/22.89

S/15.38

S/11.05

S/10.90

Envase tipo carrete

S/8.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa

STB42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/22.85
1,260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STB42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK packa

Obtenga más información

Hoja de datos

1,260En existencias

Cinta cortada

S/22.85

S/17.09

S/12.49

S/12.46

Envase tipo carrete

S/10.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

STL12N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.87
3,598En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL12N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

Obtenga más información

Hoja de datos

3,598En existencias

Cinta cortada

S/8.87

S/5.72

S/3.89

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

STP42N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/27.40
1,144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP42N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STP42N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

Obtenga más información

Hoja de datos

1,144En existencias

S/27.40

S/14.83

S/14.25

S/12.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF40N65M2
STMicroelectronics
1: S/15.10
1,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF40N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,102En existencias

S/15.10

S/11.13

S/10.55

S/10.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STU13N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.25
2,414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU13N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,414En existencias

S/8.25

S/3.73

S/3.36

S/2.82

S/2.21

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.07
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU6N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU6N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

45En existencias

S/6.07

S/2.98

S/2.46

S/2.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.02
251En existencias
1,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

251En existencias

1,000Se espera el 27/07/2026

S/11.02

S/7.08

S/5.06

S/4.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

MDmesh™ II Power MOSFETs

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte