Semiconductores discretos

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MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

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N.° de pieza

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

STE145N65M5
STMicroelectronics
1: S/116.81
760En existencias

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STE145N65M5

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511-STE145N65M5

STMicroelectronics

Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa

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760En existencias

S/116.81

S/87.46

S/76.29

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MOSFET Modules

Screw Mount

ISOTOP

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STB24N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.67
1,428En existencias

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STB24N60M2

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511-STB24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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Cinta cortada

S/14.67

S/9.54

S/6.73

S/5.61

Envase tipo carrete

S/4.83

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL18N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.39
3,703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

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Cinta cortada

S/13.39

S/7.79

S/5.88

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.01

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

STL24N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.84
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

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S/15.84

S/10.39

S/7.32

S/6.07

Envase tipo carrete

S/4.98

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.86
1,854En existencias

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STB28N60M2

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511-STB28N60M2

STMicroelectronics

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Cinta cortada

S/10.86

S/7.01

S/4.83

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.30

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STU7N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.10
2,924En existencias

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STU7N60M2

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511-STU7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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S/8.10

S/2.96

S/2.54

S/2.25

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MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

STW70N60M2
STMicroelectronics
1: S/43.56
565En existencias

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STW70N60M2

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511-STW70N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

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S/43.56

S/25.89

S/21.99

S/21.21

S/18.96

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STF13N60M2
STMicroelectronics
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2,951En existencias

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STF13N60M2

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511-STF13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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S/9.69

S/5.10

S/4.40

S/3.57

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

STL12N60M2
STMicroelectronics
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3,363En existencias

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STL12N60M2

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511-STL12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

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S/9.54

S/6.11

S/4.16

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.51

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.52
5,813En existencias

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STD16N60M2

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511-STD16N60M2

STMicroelectronics

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S/8.52

S/4.13

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF40N65M2
STMicroelectronics
1: S/21.80
918En existencias

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STF40N65M2

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511-STF40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/21.80

S/14.60

S/11.87

S/10.47

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STU13N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.80
2,256En existencias

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STU13N60M2

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511-STU13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

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S/8.80

S/4.01

S/3.59

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Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.03
3,082En existencias

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STD13N65M2

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511-STD13N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/9.03

S/4.48

S/3.48

S/3.09

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S/2.46

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

STI28N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.73
1,828En existencias

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STI28N60M2

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511-STI28N60M2

STMicroelectronics

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S/15.73

S/8.95

S/7.36

S/6.15

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: S/20.16
1,567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60M2

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511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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S/20.16

S/15.14

S/11.29

S/9.46

S/8.80

Envase tipo carrete

S/7.94

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2

STP40N60M2
STMicroelectronics
1: S/19.81
954En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2

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954En existencias

S/19.81

S/11.99

S/11.25

S/10.08

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.83
229En existencias
1,000Se espera el 5/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP16N65M2

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511-STP16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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229En existencias

1,000Se espera el 5/02/2027

S/11.83

S/7.67

S/5.25

S/4.28

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.81
2,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU6N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU6N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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S/6.81

S/3.48

S/2.81

S/2.23

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MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.21
2,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Cinta cortada

S/8.21

S/5.22

S/3.51

S/2.85

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF26N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.03
960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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960En existencias

S/15.03

S/7.59

S/6.89

S/5.61

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL13N60M6
STMicroelectronics
1: S/10.86
2,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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S/10.86

S/6.97

S/4.75

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.03

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU16N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.03
765En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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765En existencias

S/12.03

S/6.11

S/5.14

S/4.32

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MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD11N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.15
1,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD11N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD11N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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Comentarios de Producto

1,294En existencias

Cinta cortada

S/9.15

S/5.84

S/4.09

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.63

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.23
2,892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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2,892En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/3.93

S/2.61

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.62

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Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STF6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.21
1,703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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S/8.21

S/3.97

S/3.53

S/2.81

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

MDmesh™ II Power MOSFETs

Tipos de Semiconductores discretos

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